Ag_2O掺杂对Li_(0.02)(Na_(0.52)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2)O_3无铅压电陶瓷电性能影响的研究

用传统的固相无压烧结法制备了Li_(0.02)(Na_(0.52)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2O3)-x Ag_2O(0≤x≤0.1)无铅压电陶瓷,研究了Ag_2O掺杂对陶瓷电性能的影响。研究发现,适当掺杂Ag_2O能显著提高陶瓷的电性能,在1090℃的烧结温度下,当掺杂量为0.06时,陶瓷的压电性能最佳,d33、Кp、εr、Pr均达到最大(d33=229 p C/N,Кp=55.2%,εr=802,Pr=23μC/cm^2),矫顽场降到最低(Ec=12 k V/cm),应变达到2.0%。但Ag_2O的添加使陶瓷的机械品质因数Qm由139.7降到了58.8,使介电损耗tanδ由1.38%增加到了2.7%。

Sb^(3+)掺杂Li_(0.02)(Na_(0.53)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2)O_3无铅压电陶瓷的电学性能

用传统的固相反应烧结法制备了Li_(0.02)(Na_(0.53)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2)O_3-xSb_2O_3(LNKNT-xSb_2O_3)无铅压电陶瓷,研究了Sb^(3+)掺杂对陶瓷晶体结构、显微结构及压电性能的影响。研究结果表明,Sb3+掺杂LNKNT陶瓷属于明显的"软性"掺杂,少量掺杂Sb3+能显著提高陶瓷的烧结及压电性能。当烧结温度为1100℃,掺杂量为2wt%时,LNKNT-0.02Sb陶瓷达到最好的压电性能:d33=193 pC/N,КP=49.5%,εr=779,Pr=16μC/cm2,应变达到2.3%,但机械品质因数QM从110.97降低到了85,介电损耗tanδ从1.66%增加到了2.01%。