利用新型铁电材料Na 0.5 Y 0.5 TiO 3(NYTO)薄膜高介电的特点,将其作为MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor,MFIS)电容器的绝缘层,制备出Pt/Pb(Zr 0.2 Ti 0.8)O 3/NYTO/Si结构电容器,并对其进行XRD、SEM、C-V特性测试及I-...利用新型铁电材料Na 0.5 Y 0.5 TiO 3(NYTO)薄膜高介电的特点,将其作为MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor,MFIS)电容器的绝缘层,制备出Pt/Pb(Zr 0.2 Ti 0.8)O 3/NYTO/Si结构电容器,并对其进行XRD、SEM、C-V特性测试及I-V特性测试分析.分别对C-V存储窗口(记忆窗口,memory window)与应用电压以及绝缘层膜厚的关系进行了研究,结果表明记忆窗口数值比较理想.绝缘层厚度为40 nm、电容器的应用电压为32 V时,记忆窗口可达13 V.对制备的MFIS电容器I-V特性进行了研究,结果表明器件具备较低的漏电流密度,为1.08×10-6 A/cm 2,且其电流传导机制符合空间电荷限制电流导电机制.展开更多
采用水热合成法和浸渍法制备了不同硅铝比的纳米薄片负载型PtSnNa/MFI系列分子筛催化剂,并考察了纳米薄片催化剂的丙烷脱氢性能。采用XRD、SEM、TEM、^(27)Al MAS NMR、N_2吸附-脱附、FTIR等方法对催化剂的形貌、孔结构及物性参数等进...采用水热合成法和浸渍法制备了不同硅铝比的纳米薄片负载型PtSnNa/MFI系列分子筛催化剂,并考察了纳米薄片催化剂的丙烷脱氢性能。采用XRD、SEM、TEM、^(27)Al MAS NMR、N_2吸附-脱附、FTIR等方法对催化剂的形貌、孔结构及物性参数等进行了表征。表征结果显示,催化剂具有纳米薄片交叉构成的球形形貌和介孔结构,纳米薄片的厚度为20~40nm,催化剂中的Pt分散于纳米薄片分子筛表面。实验结果表明,硅铝比为100和500的MFI分子筛制备的PtSnNa/MFI-100和PtSnNa/MFI-500催化剂在丙烷脱氢反应中都表现出较好的催化性能,在反应温度为600℃、丙烷的重时空速为3 h^(-1)、常压的条件下反应40 h时,丙烷转化率约为40%,丙烯选择性约为94%。展开更多
文摘采用水热合成法和浸渍法制备了不同硅铝比的纳米薄片负载型PtSnNa/MFI系列分子筛催化剂,并考察了纳米薄片催化剂的丙烷脱氢性能。采用XRD、SEM、TEM、^(27)Al MAS NMR、N_2吸附-脱附、FTIR等方法对催化剂的形貌、孔结构及物性参数等进行了表征。表征结果显示,催化剂具有纳米薄片交叉构成的球形形貌和介孔结构,纳米薄片的厚度为20~40nm,催化剂中的Pt分散于纳米薄片分子筛表面。实验结果表明,硅铝比为100和500的MFI分子筛制备的PtSnNa/MFI-100和PtSnNa/MFI-500催化剂在丙烷脱氢反应中都表现出较好的催化性能,在反应温度为600℃、丙烷的重时空速为3 h^(-1)、常压的条件下反应40 h时,丙烷转化率约为40%,丙烯选择性约为94%。