Nd^(3+)A位置换对(Pb_(0.5)Ca_(0.5))(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3陶瓷微波介电性能的影响

研究了Nd3+离子A位置换改性(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Nb0.5)O3陶瓷的微波介电性能.[(Pb0.5Ca0.5)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3(PCNFN)陶瓷的微波介电性能得到改善是由于少量过剩的Nd3+与(Pb,Ca)2+的固溶能够消除氧空位.当x=0.02时,能够形成单相的钙钛矿相,随着Nd3+置换量的增加,过剩的Nd3+将导致第二相焦绿石的形成,焦绿石会恶化PCNFN的微波介电性能.PCNFN介电性能随x的增加而下降是由于焦绿石相随x增加的结果.当x=0.02-0.05,PCNFN陶瓷有很好的微波介电性能,介电常数K>100,Qf值为5385-5797GHz,频率温度系数TCF随Nd3+含量的增加从正的变为负的.

PbO-B_2O_3-CuV_2O_6掺杂对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O_3陶瓷微波介电性能的影响

研究了PbO-B2O3-CuV2O6(PBC)玻璃对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O3(PCLFN)陶瓷微波介电性能的影响。当纯PCLFN陶瓷在1 150℃烧结,介电常数rε=103,品质因数与频率之积Qf=5 640 GHz,频率温度系数τf=7.1×10-6/℃。PBC玻璃添加剂能降低PCLFN陶瓷的烧结温度到1 050℃左右,同时能保持良好的介电性能。随着PBC玻璃添加量的质量分数从1.0%增加2.0%,陶瓷的Qf值减小。掺杂w(PBC)=1%玻璃、在1 050℃烧结的陶瓷样品,能获得良好的微波介电性能为Qf=5 392 GHz,τf=8.18×10-6/℃,rε=101。

Effects of PbO-B_2O_3-CuV_2O_6 glass on the microwave dielectric properties of (Pb_(0.5)Ca_(0.5))(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3 ceramics

The influences of the PbO-B2O3-CuV2O6 （PBC） additives on the microwave dielectric properties of （Pb0.5Ca0.5） （Fe0.5Nb0.5）O3 （PCFN） ceramics were investigated as a function of sintering temperature from 950 ℃ to 1 100 ℃. The sintering temperature of the specimens with the glass could be lowered from 1125 ℃ to 1 025℃ without the degradation of microwave dielectric properties. The microwave results showed that the dielectric constant cr was not significantly different while Qf values decreased with the increase of CuV206 content of PBC glass. For the specimens doped with PB-CV0.1 glass （81% PbO-9% B203-10% CuV2O6） and sintered at 1 025 ℃ for 3 h, the microwave dielectric properties of Qf=4 823 GHz, Cr=107.1 with TCF=＋15.03 ×10^-6/℃ were obtained.

Pb_(0.45)Ca_(0.55)(Fe_(0.5)Nb_(0.5))_(0.9)(Sn_(1-x)Zr_x)O_3微波陶瓷介电性能的研究

研究了B位Zr、Sn共掺杂对PCFN微波陶瓷相组成及介电性能的影响。发现总掺杂量为10mol%、Zr/Sn为1:1时,样品中出现了未知第二相。当Zr/Sn<1时,样品的Q×f值随Zr含量的增加而降低,谐振频率温度系数随Zr含量的增加而增大;当Zr/Sn>1时,样品的Q×f值随Zr含量的增加而增大,谐振频率温度系数随Zr含量的增加而降低。

Zr^(4+)B位置换对(Pb_(0.5)Ca_(0.5))(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3陶瓷微波介电性能的影响

研究了Zr4+离子B位置换改性(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Nb0.5)O3陶瓷微波介电性能。实验结果表明,(Pb0.5Ca0.5)[(Fe0.5Nb0.5)1-yZry]O3(PCFNZ)陶瓷样品呈现单一斜方钙钛矿相结构。随Zr4+离子的置换量增加,PCFNZ陶瓷体系的Qf值和晶粒尺寸逐渐减小;介电常数εr随着置换量增加而提高,这主要是因为Zr4+的离子极化率(αZr=0.325nm)大于(Fe,Nb4)+离子极化率(αB-site=0.313nm)。频率温度系数TCF则随置换量增加开始阶段保持不变,而后急剧减小,由正变负值。当烧结温度为1150℃,Zr4+的置换量在y=0.08时,能够获得优良的微波介电性能:Qf=4938GHz,εr=111,TCF=9.06×10-6/℃。