Pb_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体外延薄膜的光学特性

采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方根拟合得到折射率的一阶Sellmeier色散关系.在吸收边附近,通过直接跃迁吸收系数与光子能量的关系外推得到其光学带隙.结果表明,在中红外区域其折射率随着Mn含量的增加而减小,其光学带隙则随着Mn含量的增加而增大,在温度T=295K时,随着Mn含量x由0变化到0.012,其光学带隙Eg由0.320eV增加到0.370eV. 基金

(Pb_(1-x)Srx)TiO_3铁电薄膜电滞回线的测试分析

采用磁控溅射法制备了PST薄膜,讨论了其制备工艺并着重对其电滞回线进行了测试分析。从测试结果来看,其饱和极化强度PS典型值为19.0μC+cm2,剩余极化强度为6.6μC+cm2,矫顽场强为16kV+cm,热释电系数为10-4量级。表明所制备的PST薄膜具有较好的铁电性能。

Pb_(1-x)Sr_xTiO_3固溶化合物及其热膨胀性

通过高温固相合成法合成Pb_(1-x)Sr_xTiO_3固溶化合物,用X射线衍射测定其固溶范围为0≤x≤1,晶胞参数随固溶度x连续变化,呈非线形关系;高温X射线衍射测定了x=0.0,0.15,0.20,0.50,0.90,1.0固溶化合物的结构,得出晶格常数与温度的关系,计算出相应的本征热膨胀系数,DSC分析表明,Pb_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3热力学性质稳定。

快速热压制备(AgSbTe_2)_x(Pb_(0.5)Sn_(0.5)Te)_(1-x)半导体材料及热电性能研究

为了进一步提高PbTe系列合金的热电性能和降低生产成本,采用溶剂热反应合成平均粒度为500nm的PbTe粉末,以所合成的PbTe粉末为主要原料通过封管熔炼法制备(AgSbTe2)x(Pb0.5Sn0.5Te)1-x(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)系合金。所得合金锭经过高能球磨制成微米级的超细合金粉,再通过快速热压烧结制备测试用的多晶试样,所有试样的相对密度均达到90%以上。通过XRD和SEM等手段分析材料的物相组成和微观结构,研究x的变化对于该体系材料热电性能(电阻率、Seebeck系数、热导率和ZT值)的影响。研究表明,当x取值为0.1时该体系材料的热电性能得到最优化,在575K时取得最大的ZT值为1.093。

PLCT系列热释电薄膜的最新研究进展

热释电红外探测器广泛应用于辐射测温、红外光谱测量、安全警戒、红外热成像等领域。掺杂钛酸铅薄膜是性能优异、应用广泛的热释电薄膜。在介绍镧、钙双掺的钛酸铅薄膜的性能基础上,比较了不同组分的PCT、PLT、PLCT铁电材料的制备方法、结晶性、铁电性、介电性及热释电性能与组分的关系。并对PLCT系列热释电薄膜材料的应用前景作了探讨。