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Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)铁电陶瓷的制备及热膨胀性能研究
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作者 赵永秀 何春香 +2 位作者 高文杰 宋璐雯 杨龙海 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期7-11,共5页
由于Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)弛豫铁电陶瓷较高的烧结温度易导致Pb挥发,固相法制备难。首先,采用钨锰铁矿法合成纯相结构的ScTaO4和Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)粉体。其次,分别采用直接埋烧法、PbO过量法、两步烧结法对陶瓷的制备工艺... 由于Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)弛豫铁电陶瓷较高的烧结温度易导致Pb挥发,固相法制备难。首先,采用钨锰铁矿法合成纯相结构的ScTaO4和Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)粉体。其次,分别采用直接埋烧法、PbO过量法、两步烧结法对陶瓷的制备工艺进行探索。最后,对陶瓷的热膨胀性能进行分析。结果表明:直接埋烧法和PbO过量法产生了大量焦绿石相和钽氧化物,合成的主晶相较少。两步烧结法有效抑制了Pb的挥发,制备的陶瓷以立方钙钛矿相为主。随温度升高,热应变呈现升高趋势,在-150~150℃内,其值为正。热膨胀率与温度的关系图为V型,约为-30℃时热膨胀系数最低,其值为负。 展开更多
关键词 pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)陶瓷 相结构 两步烧结法 热膨胀性能
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STUDY ON COMPLEX IMPEDANCE SPECTROSCOPY OF CU-IMPLANTED SEMICONDUCTING(Ba_(o·72)Pb_(o·28))TiO_3 CERAMICS
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作者 吴建锋 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 1999年第3期40-47,共8页
The ac impedance of Nb-doped semicon-ducting (Bao.72Pbo.28)TiO3 ceramics implanted with copper ions(200keV,6X1015 and 1X1017 ions/cm2) in the temperature range 25-320C and the frequency range 10 Hz -13MHz was measured... The ac impedance of Nb-doped semicon-ducting (Bao.72Pbo.28)TiO3 ceramics implanted with copper ions(200keV,6X1015 and 1X1017 ions/cm2) in the temperature range 25-320C and the frequency range 10 Hz -13MHz was measured. According to the change of impedance spectroscopy and the equivalent circuit model of semiconducting(Ba, Pb)TiO3 ceramics, the dependence of resistance of bulk and grain-boundary on temperature was analyzed. The results show that relatively low dose must be used to increase the magnitude of the positive temperature coeffieient of resistance(PTCR)effects in the cermmics. In addition,the effects of Cu ion implantation on the PTCR behavior of the ceramics was studied by raststance-tempera-ture measurement. 展开更多
关键词 SEMICONDUCTING ( Ba pb ) tio3 ceramics ion implatation impedcance spectroscopy
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磁控溅射制备(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的实验研究 被引量:2
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作者 孙平 王茂祥 +1 位作者 孙彤 舒庆 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期326-328,共3页
钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅... 钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理 ,才能使之转变为具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜。其介电特性与测试频率有关 ,试样的饱和极化强度可达 19μC cm2 ,剩余极化强度可达 6 6 μC cm2 ,矫顽场强达 16kV cm ,热释电系数达10 - 4 C m2 ·K量级 ,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性。 展开更多
关键词 钛酸锶铅 磁控溅射 介电特性 铁电特性 铁电薄膜 制备
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(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究 被引量:1
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作者 王茂祥 孙彤 孙平 《应用科学学报》 CAS CSCD 2000年第4期365-367,共3页
通过改变材料组分并掺杂一定浓度的MnO2,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(PST)红外敏感铁电陶瓷材料.对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究.结果表明,材料的居里温度随组分化学计... 通过改变材料组分并掺杂一定浓度的MnO2,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(PST)红外敏感铁电陶瓷材料.对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究.结果表明,材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系,每增加 mol比1%的 Pb,将使居里温度提高约 5℃.而随着测试频率的增加,居里温度与温度系数基本不变,但介电常数却略有下降.通过对PST系样品热释电性能的测量,可知材料的热释电系数约在 10-3C/(m2· K)量级. 展开更多
关键词 (Ph1-xsrx)tio3系陶瓷 温谱特性 频谱特性 热释电性能 红外敏感
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掺杂(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷材料介电性能的研究 被引量:1
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作者 王茂祥 孙平 孙彤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期97-102,共6页
通过掺杂 ( Pb1-x Srx) Ti O3( PST)系铁电陶瓷的制备 ,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对 PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的 Pb/ Sr配比下 ,La2 O3掺杂较同样份量的 Mn O2掺杂所制得的样片的温度系数要高 ,介电损耗要小 ,... 通过掺杂 ( Pb1-x Srx) Ti O3( PST)系铁电陶瓷的制备 ,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对 PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的 Pb/ Sr配比下 ,La2 O3掺杂较同样份量的 Mn O2掺杂所制得的样片的温度系数要高 ,介电损耗要小 ,而适当高的烧结温度有利于其介电性能的改善。随着测试频率的增加 ,测得的材料介电常数略有下降 ,而居里温度与温度系数基本维持不变。 展开更多
关键词 掺杂特性 介电性能 PST系陶瓷 铁电陶瓷材料
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(Pb_(1-x)Srx)TiO_3铁电薄膜电滞回线的测试分析 被引量:1
6
作者 王茂祥 孙平 《真空与低温》 2006年第3期142-144,共3页
采用磁控溅射法制备了PST薄膜,讨论了其制备工艺并着重对其电滞回线进行了测试分析。从测试结果来看,其饱和极化强度PS典型值为19.0μC+cm2,剩余极化强度为6.6μC+cm2,矫顽场强为16kV+cm,热释电系数为10-4量级。表明所制备的PST薄膜具... 采用磁控溅射法制备了PST薄膜,讨论了其制备工艺并着重对其电滞回线进行了测试分析。从测试结果来看,其饱和极化强度PS典型值为19.0μC+cm2,剩余极化强度为6.6μC+cm2,矫顽场强为16kV+cm,热释电系数为10-4量级。表明所制备的PST薄膜具有较好的铁电性能。 展开更多
关键词 (pb1-x Srx)tio3薄膜 磁控溅射 电滞回线 铁电性
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Si衬底(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的制备与性能研究
7
作者 王茂祥 陈淑燕 孙平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期138-141,共4页
性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其... 性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其制备工艺可与 Si微电子技术兼容。测试结果表明 ,其微观结构致密 ,绝缘性较好 ,电阻率可高达 1 0 1 1 Ω· cm量级 ,介电常数与热释电系数分别可达 1 0 2 及 1 0 - 2 μC/cm2 K量级。 展开更多
关键词 硅衬底 铁电薄膜 (pb1—xSrx)tio3 磁控测射
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Physics-embedded machine learning search for Sm-doped PMN-PT piezoelectric ceramics with high performance
8
作者 辛睿 王亚祺 +6 位作者 房泽 郑凤基 高雯 付大石 史国庆 刘建一 张永成 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期81-88,共8页
Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)–PbTiO_(3)(PMN-PT)piezoelectric ceramics have excellent piezoelectric properties and are used in a wide range of applications.Adjusting the solid solution ratios of PMN/PT and different conce... Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)–PbTiO_(3)(PMN-PT)piezoelectric ceramics have excellent piezoelectric properties and are used in a wide range of applications.Adjusting the solid solution ratios of PMN/PT and different concentrations of elemental doping are the main methods to modulate their piezoelectric coefficients.The combination of these controllable conditions leads to an exponential increase of possible compositions in ceramics,which makes it not easy to extend the sample data by additional experimental or theoretical calculations.In this paper,a physics-embedded machine learning method is proposed to overcome the difficulties in obtaining piezoelectric coefficients and Curie temperatures of Sm-doped PMN-PT ceramics with different components.In contrast to all-data-driven model,physics-embedded machine learning is able to learn nonlinear variation rules based on small datasets through potential correlation between ferroelectric properties.Based on the model outputs,the positions of morphotropic phase boundary(MPB)with different Sm doping amounts are explored.We also find the components with the best piezoelectric property and comprehensive performance.Moreover,we set up a database according to the obtained results,through which we can quickly find the optimal components of Sm-doped PMN-PT ceramics according to our specific needs. 展开更多
关键词 pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)–pbtio_(3)(PMN-PT)ceramic physics-embedded machine learning piezoelectric coefficient Curie temperature
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(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析
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作者 王茂祥 孙平 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期32-34,38,共4页
采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有... 采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有所提高,介电常数ε略高(均在103量级),介电损耗D略有降低。随着工作频率的增加,样品介电常数有较明显的下降,介电损耗D略有增加。 展开更多
关键词 (pb1-xsrx)tio3铁电陶瓷 介电特性 测试分析
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(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的结构与光学特性研究
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作者 李群 唐新桂 +1 位作者 熊惠芳 张伟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期29-31,35,共4页
采用sol-gel法制备(Pb1-xSrx)TiO3(x=0.40,0.50,0.60,0.70,简称PST40,PST50,PST60与PST70)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积PST薄膜。研究了PST薄膜的结构和光学特性。结果显示,经750℃退火30min,所得PST薄膜为晶化良好的... 采用sol-gel法制备(Pb1-xSrx)TiO3(x=0.40,0.50,0.60,0.70,简称PST40,PST50,PST60与PST70)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积PST薄膜。研究了PST薄膜的结构和光学特性。结果显示,经750℃退火30min,所得PST薄膜为晶化良好的钙钛矿立方结构,薄膜平均晶粒尺寸为200~300nm。750℃退火的PST40、PST50、PST60和PST70薄膜样品的直接带隙能分别为3.74,3.79,3.80和3.85eV。随着Sr含量的增加,带隙能增加。 展开更多
关键词 (pb1-xsrx)tio3薄膜 SOL-GEL法 石英基片 结构 光学特性
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Pb_xSr_(1-x)TiO_3陶瓷及薄膜的制备和性能研究
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作者 裴亚芳 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 张继华 冷文健 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期710-712,716,共4页
研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)陶瓷微结构和介电性能的影响,当x〈0.45时晶体为立方相,x≥0.45时为四方相;随着Pb的摩尔分数增大,陶瓷气孔率下降,致密度增加,晶粒尺寸逐渐增大,居里峰近似线性地向高温方向... 研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)陶瓷微结构和介电性能的影响,当x〈0.45时晶体为立方相,x≥0.45时为四方相;随着Pb的摩尔分数增大,陶瓷气孔率下降,致密度增加,晶粒尺寸逐渐增大,居里峰近似线性地向高温方向移动,并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜,经550℃退火后为(111)择优取向的多晶薄膜,1kHz下的可调率为21.8%。 展开更多
关键词 pbxSr1-xtio3陶瓷 射频磁控溅射 pb0.3Sr0.7tio3(PST30)薄膜 微结构 介电性能
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Effects of Thermal Conditions in the Phase Formation of Undoped and Doped Pb(Zr<sub>1-x</sub>Ti<sub>x</sub>)O<sub>3</sub>Solid Solutions
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作者 Zelikha Necira Ahmed Boutarfaia +2 位作者 Malika Abba Hayet Menasra Nora Abdessalem 《Materials Sciences and Applications》 2013年第5期319-323,共5页
The purpose of this research is to study the effect of thermal conditions such as temperature ramp rate and isothermal times in the phase formation of Pb(Zr1-xTix)O3 solid solutions with composition near the morphotro... The purpose of this research is to study the effect of thermal conditions such as temperature ramp rate and isothermal times in the phase formation of Pb(Zr1-xTix)O3 solid solutions with composition near the morphotropic phase boundary (MPB) by using the conventional ceramic method. The perovskite phase formation and morphology of undoped Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (abbreviated PZT) and doped new material Pb0.98Gd0.02[(Zr0.52Ti0.48)0.98(Mg1/3Nb2/3)0.01(Ni1/3Sb2/3)0.01]O3 (abbreviated PZT-PGMNNS) specimens calcined between 700°C and 900°C have been examined by powder X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and Fourier Transform Infrared (FTIR) while the thermal evolution of the initial precursor was followed by TG-DTA. So the results of these studies have been discussed. 展开更多
关键词 pb(Zr1-xTix)O3 Morphotropic PHASE Boundary Conventional ceramic Method Perovskite PHASE
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BiFeO_(3)掺杂Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-Pb(Mg1/3Nb2/3)O_(3)-PbTiO_(3)陶瓷的制备与磁电性能研究
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作者 熊能 方梦珠 +1 位作者 潘裕柏 孙大志 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2021年第6期672-678,共7页
以固相合成法制备了铁酸铋(BiFeO_(3),简称BFO)掺杂的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3),简称PIN-PMN-PT)多铁性陶瓷材料,X射线衍射(XRD)测试结果表明:样品具有钙钛矿结构,电滞... 以固相合成法制备了铁酸铋(BiFeO_(3),简称BFO)掺杂的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3),简称PIN-PMN-PT)多铁性陶瓷材料,X射线衍射(XRD)测试结果表明:样品具有钙钛矿结构,电滞回线显示其铁电性良好,剩余极化值(Pr)可达18μC·cm^(-2).由于BiFeO_(3)掺杂后,样品电矩减小,氧空位增多,使其铁电畴翻转困难,样品的电性能略有下降,但是其磁性能随BiFeO_(3)掺入量的增加而逐渐增强,且样品居里温度(Tm)为200℃左右.该材料在电磁学领域有望成为具有应用前景的多铁性材料. 展开更多
关键词 多铁性 铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT) 陶瓷
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Enhancing the dielectric and piezoelectric properties of Pb_(0.99)Gd_(0.01)Zr_(0.53)Ti_(0.47)O_(3) ferroelectric ceramics by Sr-doping
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作者 Xingyu Wang Lingfeng Li Yu Chen 《Journal of Advanced Dielectrics》 2024年第4期71-79,共9页
Recently,high-performance lead zirconate titanate(Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3),PZT)ferroelectric ceramics have attracted intensive attention due to their wider operating temperature range,better temperature stability,as we... Recently,high-performance lead zirconate titanate(Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3),PZT)ferroelectric ceramics have attracted intensive attention due to their wider operating temperature range,better temperature stability,as well as larger piezoelectric properties and higher energy conversion efficiency.In this study,the perovskite-type ferroelectric ceramics with a chemical formula of Pb_(0.99-x)Gd_(0.01)Sr_(x)Zr_(0.53)Ti_(0.47)O_(3)(x=0 and 0.02,abbr.PGZT and PGSZT,respectively)were prepared by the traditional solid-state reaction route.The influences of Sr-doping on the phase structure,dielectric properties,ferroelectric properties and piezoelectric properties of the PGZT ceramics were comprehensively investigated.The field-dependent P–E hysteresis loops of PGSZT were measured in the frequency range of 0.05–10 Hz and temperature range of 20–100℃.The results show that Sr-doping not only enhances the dielectric permittivity and piezoelectric coefficient of PGZT,but also decreases its dielectric loss tangent,with the d_(33) value of 473 pC/N,ε_(r) value of 1586 and tanδvalue of 0.016 found in PGSZT.Also,PGSZT shows a high Curie temperature(T_(C))of 350℃.The underlying mechanisms of the property enhancement were identified as that the introduced Sr^(2+) replaces the volatile Pb^(2+) located at the A-site of the perovskite structure,thereby reducing the concentration of lead vacancies and promoting the grain growth of the ceramics,consequently enhancing the dielectric and piezoelectric properties of PGZT.On the other hand,the frequency change in the low-frequency range(<1 Hz)played a significant impact on the remanent polarization(P_(r))and internal biased electric field(E_(i))of PGSZT,but the frequency dependence of coercive field(E_(c))tends to diminish in the high-frequency range(≥1 Hz). 展开更多
关键词 pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3) Sr-doping dielectric properties piezoelectric properties ferroelectric ceramics
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Sr^(2+)置换改性Ca_(0.25)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.75)TiO_3陶瓷的微波介电性能研究 被引量:12
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作者 张华 李月明 +2 位作者 江良 李润润 刘虎 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期696-701,共6页
采用固相法制备了(Ca1-xSrx)0.25(Li1/2Sm1/2)0.75TiO3(CSLST-x)(x=0~1/10)系列微波介质陶瓷材料,研究不同含量的Sr2+含量对该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能影响。在x=1/22~1/10范围内,Sr2+的掺杂不会改变晶体的结构;在1175~... 采用固相法制备了(Ca1-xSrx)0.25(Li1/2Sm1/2)0.75TiO3(CSLST-x)(x=0~1/10)系列微波介质陶瓷材料,研究不同含量的Sr2+含量对该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能影响。在x=1/22~1/10范围内,Sr2+的掺杂不会改变晶体的结构;在1175~1200℃烧结时,相同烧结温度下随着Sr2+含量的增加,介电常数εr增大,无载品质因数与谐振频率乘积Qf值降低;置换离子Sr2+的添加使该体系的烧结温度降低了近200℃,并保持良好的微波介电性能。其中,x=1/16的CSLST陶瓷在1200℃烧结,保温5h时具有较好的微波介电性能:εr=97.2,Qf=2490GHz,τf=14.74ppm/℃。 展开更多
关键词 (Ca1-xsrx)0.25(Li1/2Sm1/2)0.75tio3 钙钛矿 微波介电性能
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氧化铅含量对富铅气氛烧结的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_(3)基陶瓷介电性能的影响 被引量:6
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作者 屈绍波 裴志斌 +1 位作者 冯大毅 田长生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期630-631,共2页
从不同含量的PbO初始粉体出发并在烧结时维持铅气氛的情况下,用二次合成法制备了0.75Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.15BaTiO3-0.10PbTiO3三元系固溶体陶瓷,研究了初始粉体中不同的氧化铅含量对在铅气氛条件下烧结的该体系陶瓷的介电性能的影响。... 从不同含量的PbO初始粉体出发并在烧结时维持铅气氛的情况下,用二次合成法制备了0.75Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.15BaTiO3-0.10PbTiO3三元系固溶体陶瓷,研究了初始粉体中不同的氧化铅含量对在铅气氛条件下烧结的该体系陶瓷的介电性能的影响。实验表明在富铅气氛的作用下,微量氧化铅欠缺的初始粉体所制备出的陶瓷具有较好的介电性能,尤其是当初始粉体中氧化铅欠缺5%时的陶瓷具有最大的峰值介电常数。 展开更多
关键词 pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_(3)基陶瓷 富铅气氛 氧化铅 介电性能
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(Ba,Pb)TiO_3半导体陶瓷湿敏特性的研究 被引量:1
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作者 田玉明 郝虎在 刘明海 《山西师范大学学报(自然科学版)》 2003年第2期26-31,共6页
制备了在相对湿度为 2 0 % RH~ 98% RH范围内电阻值变化 3个~ 4个数量级的(Ba,Pb) Ti O3 陶瓷湿敏电阻 ,应用固体物理的无序系统理论解释了 (Ba,Pb) Ti O3 陶瓷的晶粒半导化 ,从表面电导及表面势垒的观点出发 ,分析其吸湿特性 。
关键词 (Ba pb)tio3半导体陶瓷 湿敏特性 相对湿度 湿敏电阻 无序系统 表面电导 表面势垒
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(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(1-x)Ba_xTiO_3系铁电陶瓷制备工艺研究 被引量:5
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作者 孟林丽 肖定全 朱建国 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期483-486,共4页
采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶... 采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶体 ;在同样工艺条件下 。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 无铅压电陶瓷 制备工艺
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(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3介电常数与温度、频率的关系 被引量:2
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作者 赵明远 徐重阳 +1 位作者 王长安 唐艳 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期72-74,共3页
分析了影响 (Ba1-xSrx)TiO3 陶瓷材料介电特性的诸因素 ,从温度依赖、频率响应两个方面 ,对BST陶瓷材料的介电常数进行了研究 .在进行频率特性的测试中 ,选取x =0 .3 5的BST材料 ,即 (Ba0 .65Sr0 .3 5)TiO3 ,测得不同晶粒度下的介电常... 分析了影响 (Ba1-xSrx)TiO3 陶瓷材料介电特性的诸因素 ,从温度依赖、频率响应两个方面 ,对BST陶瓷材料的介电常数进行了研究 .在进行频率特性的测试中 ,选取x =0 .3 5的BST材料 ,即 (Ba0 .65Sr0 .3 5)TiO3 ,测得不同晶粒度下的介电常数随频率的变化曲线 .在进行温度特性的测试中 ,测量了不同晶粒度的BST材料介电常数与温度变化的关系 。 展开更多
关键词 (Ba1-xsrx)tio3 介电常数 相变展宽 晶粒度
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Influence of Composition on Properties of BNT-BT Lead-Free Piezoceramics 被引量:4
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作者 黄新友 高春华 +1 位作者 陈志刚 刘会平 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z2期321-324,共4页
Lead-free piezoelectric ceramics of (Bi1/2Na1/2)TiO3-BaTiO3(BNT-BT) were prepared by the conventional piezoelectric ceramic preparation technique (free air atmosphere sintering). The influence of BaTiO3 additive amoun... Lead-free piezoelectric ceramics of (Bi1/2Na1/2)TiO3-BaTiO3(BNT-BT) were prepared by the conventional piezoelectric ceramic preparation technique (free air atmosphere sintering). The influence of BaTiO3 additive amount and La2O3 additive amount on the properties of BNT-BT lead-free piezoceramics were investigated. The results show that the dielectric constant(ε) and piezoelectric strain constant(d33) of materials start increasing and then decreasing while BaTiO3 additive amount increasing, the e and d33 of materials have maximum value (ε= 1650, d33 = 120 PC·N -1 ) while x (BaTiO3) =0.06 mol. Theεand d33 of materials start increasing and then decreasing while La2O3 additive amount increasing, the e and d33 of materials have maximum value (ε= 1684, d33 = 153 PC·N-1) while w(La2O3) =0.3% . The influence of La2O3 additive amount on the microstructure of BNT-BT piezoelectric ceramics was analysed by SEM( scanning electron microscope). The influence mechanism of La2O3 additive amount on the properties of BNT-BT piezoelectric ceramics was discussed. The BNT-BT ceramics with optimum comprehensive properties were obtained. 展开更多
关键词 (Bi1/2Na1/2)tio3 lead-free piezoelectric ceramics piezoelectric ceramics lanthanum oxide barium titanate
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