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固态微波电子学的新进展 被引量:4
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作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-14,47,共15页
固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达... 固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹。目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局。综述了具有代表性的11类固态器件(RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET)近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位。最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术。 展开更多
关键词 固态微波电子学 RF CMOS SiGe BIMOS RF LDMOS RF MEMS GAAS PHEMT GAAS MHEMT INP HEMT INP HBT GaN/SiC HEMT GFET 金刚石FET 射频微系统 3D异构集成
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4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应 被引量:9
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作者 刘忠永 蔡理 +3 位作者 刘小强 刘保军 崔焕卿 杨晓阔 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第2期80-85,共6页
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了... 对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅(SIC) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)) SEB阈 值电压 二维器件仿真
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Electric-field-controlled superconductor–ferromagnetic insulator transition 被引量:4
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作者 Likuan Ma Bin Lei +11 位作者 Naizhou Wang Kaishuai Yang Dayong Liu Fanbao Meng Chao Shang Zeliang Sun Jianhua Cui Changsheng Zhu Tao Wu Zhe Sun Liangjian Zou Xianhui Chen 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第10期653-658,共6页
Superconductivity beyond electron-phonon mechanism is always twisted with magnetism. Based on a new field-effect transistor with solid ion conductor as the gate dielectric(SIC-FET), we successfully achieve an electric... Superconductivity beyond electron-phonon mechanism is always twisted with magnetism. Based on a new field-effect transistor with solid ion conductor as the gate dielectric(SIC-FET), we successfully achieve an electric-field-controlled phase transition between superconductor and ferromagnetic insulator in(Li,Fe)OHFeSe. A dome-shaped superconducting phase with optimal T_c of 43K is continuously tuned into a ferromagnetic insulating phase, which exhibits an electric-field-controlled quantum critical behavior. The origin of the ferromagnetism is ascribed to the order of the interstitial Fe ions expelled from the(Li,Fe)OH layers by gating-controlled Li injection. These surprising findings offer a unique platform to study the relationship between superconductivity and ferromagnetism in Fe-based superconductors. This work also demonstrates the superior performance of the SIC-FET in regulating physical properties of layered unconventional superconductors. 展开更多
关键词 FeSe-based SUPERCONDUCTORS FERROMAGNETIC insulator Phase transition Solid ion conductor FIELD-EFFECT transistors (sic-fet)
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