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一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片 被引量:6
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作者 郭文婷 王文礼 +1 位作者 王肖莹 隋文泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期76-80,共5页
描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路。通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以... 描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路。通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以达到射频开关的功率容量为35 dBm,芯片的实测指标为所有通路的插入损耗不大于1.2 dB,通路之间的隔离度不小于40 dB,谐波抑制比大于66 dBc。 展开更多
关键词 单刀九掷射频开关 低插入损耗 高隔离度 高线性度 高功率 升压电路
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一种紧凑型结构的PIN二极管单刀九掷开关 被引量:2
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作者 龚龙艳 王雪松 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第5期69-72,共4页
提出了一种紧凑型的PIN二极管微波开关电路设计。在并联型PIN二极管单刀双掷开关电路设计的基础上,提出了单刀九掷开关电路结构。工作频带宽度为800 MHz。该开关电路可承受连续功率为45 d Bm,电路实测结果为所有通路的插入损耗绝对值不... 提出了一种紧凑型的PIN二极管微波开关电路设计。在并联型PIN二极管单刀双掷开关电路设计的基础上,提出了单刀九掷开关电路结构。工作频带宽度为800 MHz。该开关电路可承受连续功率为45 d Bm,电路实测结果为所有通路的插入损耗绝对值不大于1.6 d B,关断时的隔离度绝对值不小于53 d B,通路输入输出驻波比小于1.55,开关时间为450 ns。 展开更多
关键词 PIN二极管 单刀九掷开关 插入损耗 隔离度 功率 开关时间
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GaAs pHEMT multi-band/multi-mode SP9T switch for quad-band GSM and UMTS handsets applications 被引量:1
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作者 Xiao-ying WANG Wen-ting GUO Yang-yang PENG Wen-quan SUI 《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》 SCIE EI 2011年第4期317-322,共6页
A multi-band/multi-mode single-pole nine-throw (SP9T) switch for GSM/UMTS (global system for mobile communications/universal mobile telecommunication system) systems is demonstrated.The switch consists of a GaAs 0.5μ... A multi-band/multi-mode single-pole nine-throw (SP9T) switch for GSM/UMTS (global system for mobile communications/universal mobile telecommunication system) systems is demonstrated.The switch consists of a GaAs 0.5μm pseudomorphic high-electron mobility transistor (pHEMT) radio frequency (RF) switches module and Si complementary metal-oxide-semiconductor (COMS) digital module with an encoder and a DC boost circuit.High isolation and high linearity are achieved by a series-shunt switch structure and the DC boost circuit,respectively.The switch shows a measured insertion loss of 0.4 dB at 0.8 GHz for GSM transmit arms,0.7 dB at 0.9 GHz and 0.9 dB at 1.8 GHz for GSM receive arms,and 0.6 dB at 1.8 GHz for UMTS arms.The switch introduces 2nd and 3rd harmonic suppression levels less than 64 dBc at 37 dBm input power.Isolations between transmit and receive terminals are more than 48 dB when one transmit arm is activated.The size of the RF switches module is 1.5 mm×1.1 mm,and the size of the digital module is 1.3 mm×0.63 mm with gold bonding wires connecting these two modules. 展开更多
关键词 GSM UMTS Single-pole nine-throw (sp9t) PHEMT Encoder DC boost
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