GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析

分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布，进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。

基于GC-MS法分析珊瑚七十味丸中挥发油和脂溶性成分

目的:采用气相色谱-质谱(GC-MS)法分析同一厂家10个批次珊瑚七十味丸中的挥发油和脂溶性成分,为后期有效成分研究奠定基础。方法:水蒸气蒸馏法提取珊瑚七十味丸粉末中的挥发油成分,溶剂萃取法提取珊瑚七十味丸粉末中的脂溶性成分,采用GC-MS法分离鉴定,利用NIST14谱库检索对各色谱峰结合有关图谱解析并加以确认,并采用峰面积归一法测定各个化合物的相对百分含量。结果:挥发油成分鉴定出60个化合物,共9类,为烯烃类、芳香烃类、黄酮类、酚类、醚类、羧酸类、酯类、烷烃类、醇类。其中以烯烃类最多,其次为芳香烃类和酯类。脂溶性成分鉴定出42个化合物,共8类,为烯烃类、烷烃类、醇类、芳香烃类、黄酮类、酚类、醚类、羧酸类、酯类。其中以酸类最多,其次为烯烃和醚类。结论:珊瑚七十味丸挥发油主要成分为丁香酚、棕榈酸和(Z)-蒿本内酯等,脂溶性成分为亚油酸、异丁香酚甲醚、肉豆蔻酸等,可能来自于珊瑚七十味丸中的当归、藏党参、藏红花等,有助于进一步明确珊瑚七十味丸的药效物质基础。

缩泉丸对肾阳虚多尿大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2 mRNA表达的影响

目的:观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏AQP-2 mRNA和AVPR-V2 mRNA表达的影响。方法:用腺嘌呤250mg/kg灌服大鼠4w,造成肾阳虚多尿模型,分别给予缩泉丸或去氨加压素治疗4w,用实时荧光定量PCR法观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏水通道蛋白AQP-2 mRNA及加压素二型受体(AVPR-V2)mRNA表达的影响。结果:肾阳虚多尿模型组大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2mRNA表达比正常对照组明显降低(P<0.01),dDAVP组和缩泉丸高剂量组AQP-2 mRNA表达与AVPR-V2 mRNA表达比模型组明显升高(P<0.05);其余给药各组与模型组相比无显著差异(P>0.05)。结论:缩泉丸能提高肾阳虚多尿模型大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2 mRNA表达。

808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究

从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W·

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流的关系 .室温 2 0 m A的注入电流时 ,发光波长峰值为 530 nm,半高宽为 30 nm.注入电流小于 40 m A时 。

缩泉丸对自然衰老大鼠皮质醇、T_3、T_4及肾上腺系数的影响

目的观察缩泉丸对自然衰老大鼠一般状态、肾上腺系数及血清中皮质醇(Cort)、T3、T4含量的影响。方法采用ELISA方法测量空白对照组、模型对照组、金匮肾气丸组、缩泉丸高、中、低剂量组血中Cort、T3、T4的含量,并称量肾上腺重量计算其系数。每天观察并记录动物的状态,包括活动、外观形态、毛色光泽、精神状态等变化。结果缩泉丸可以明显改善自然衰老大鼠的一般情况;缩泉丸中、高剂量组动物血清中Cort含量明显升高(P<0.05);缩泉丸高剂量组血清中T3含量明显升高(P<0.05);缩泉丸高剂量组动物血清中T4含量明显升高(P<0.05);缩泉丸低、中、高剂量可以显著增加自然衰老大鼠肾上腺系数(P<0.05)。结论缩泉丸可以提高自然衰老大鼠血中Cort、T3、T4含量,也可以增加自然衰老大鼠肾上腺系数,可能是其发挥温肾缩尿的作用机理。

基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器

在改进的带有多槽石墨舟的液相外延 (LPE)设备上 ,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构 (SCH SQW ) ,制作了条宽为 10 0 μm、腔长为 1mm的激光器 ,其阈值电流为0 .70A ,最高连续输出功率达 4W ,斜率效率为 1.32W /A ,串联电阻为 0 .1Ω ,中心波长为 80 8.8nm。

髓清丸对HEL细胞系作用的血清药理学研究

目的 :研究中药复方髓清丸对白血病细胞的作用。方法 :采用血清药理学方法体外培养观察人红白血病细胞系 (HEL)的增殖、凋亡、细胞周期、细胞形态等细胞学指标。结果 :活细胞百分率各含药血清组均较对照组低 ,MTT法测定髓清丸中剂量组和高剂量组OD值明显低于对照组 (p<0 0 1) ,中剂量组和高剂量组细胞毒活性均大于 2 0 %,高剂量含药血清组G1期DNA含量明显低于对照组 (P <0 0 5 ) ,中剂量组凋亡细胞百分率较高 (P <0 0 5 )。结论 :髓清丸能抑制HEL细胞的增殖 ,并有一定的诱导HEL细胞分化、凋亡的作用。

MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED

采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入电流小于 4 0mA时 ,发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的In GaN单量子阱结构的绿光LED。

一种泵浦Nd∶YAG用环形阵列半导体激光器

研制了一种泵浦Nd∶YAG棒的环形阵列准连续半导体激光器,分析了影响器件光电参数的几个主要因素,对实验结果进行了讨论。该器件采用单量子阱光电分别限制异质结结构,激光器的峰值波长为808±3nm,工作电流100A时,输出功率大于1200W(占空比为1%),光谱半宽小于4nm。

髓清丸对黑色素瘤VEGF MMP-2基因表达的影响

在恶性肿瘤的生长和转移中 ,肿瘤血管的生成起着关键作用 ,研究显示髓清丸可以抑制恶性肿瘤的转移 ,并对肿瘤血管生成有影响 ,可以抑制VEGF、MMP -2蛋白的表达 ,但尚不知其是否对VEGF、MMP -2mRNA表达有影响。目的 :研究中药活血化瘀复方髓清丸是否对肿瘤血管生成相关VEGF、MMP-2基因表达有影响。方法 :采用BALB/C无胸腺裸小鼠右侧腑窝皮下接种造成黑色素瘤B16自发转移实验模型 ,用RT -PCR技术检测了裸鼠腋下B16黑色素瘤组织中VEGF、MMP -2mRNA表达的改变。结果 :髓清丸高、低剂量组的VEGF、MMP -2基因的表达均较对照组下降。结论 :髓清丸能抑制肿瘤细胞的VEGF、MMP -2基因的表达。实验发现 ,对照组的癌细胞VEGF、MMP -2基因的表达较强 ,髓清丸高、低剂量组VEGF、MMP -2基因的表达均下降 ,这表明髓清丸似能抑制肿瘤细胞的VEGF、MMP -2的表达。可以认为 ,髓清丸有可能通过下调VEGF、MMP -2基因的表达 ,进而抑制VEGF、MMP -2蛋白表达 ,抑制肿瘤血管的生成 。

高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。

大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究

介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。

808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性

采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性.实验表明,激射波长的漂移系数dλ/dT是特征温度T0的函数.T0越高,激射波长的温度依赖性越大.特征温度T0与透明电流Itr下的特征温度TItr相等时,激射波长的漂移系数dλ/dT达到最大值,该值由发热诱使带隙窄化dλg/dT决定.解决高特征温度T0与小的dλ/dT矛盾的一种可能是考虑温度不依赖的漏电流.

InGaAsP单量子阱激光器热特性研究

从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.

高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。

808nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器

设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW RJH)激光器,其发射波长为808nm,腔长为900μm,条宽为100μm。其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层。对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阈值电流偏大、导通电压偏高的直流特性。经4200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。

808nm大功率准连续LD阵列

采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析。实验结果表明,器件峰值波长为807.6nm,光谱半宽为3nm,工作电流为98.7A时,输出功率达到1000W(10个Bar,占空比为2%)。

超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。

超高亮度InGaN单量子阱结构绿色LED

发光强度为12cd的超高亮度绿色InGaN单量子阱（SQW）结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流20mA下分别为3mw、6．3％、520nm和30nm。这种绿色InGaN单量子阱发光二极管的P－AlGaN／InGaN／n－GaN是用MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上。