延龄草总皂苷对2-VO模型大鼠认知功能及神经血管单元的作用

目的观察延龄草总皂苷(TST)对大鼠的血管性认知障碍及其神经血管单元(NVU)和神经环路完整性的作用。方法将48只雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、TST组及多奈哌齐组,每组12只。除假手术组外,其他3组大鼠均采用双侧颈总动脉结扎(2-VO)法建立脑缺血后认知障碍模型。造模后,TST组给予TST100mg/kg灌胃,多奈哌齐组给予盐酸多奈哌齐0.45mg/kg灌胃,对照组及模型组给予同体积的生理盐水,1次/d,连续28d。采用水迷宫实验检测各组大鼠的认知功能;HE、尼氏染色观察大鼠脑组织病理改变;免疫组织化学染色观察大鼠海马突触核蛋白(SYN)的表达情况;高尔基染色观察海马神经元树突棘的变化;Westernblotting检测各组大鼠海马组织白细胞介素(IL)-1β、IL-10、血管内皮生长因子A(VEGFA)、突触后致密蛋白95(PSD95)和生长关联蛋白43(GAP43)表达水平。结果水迷宫实验结果显示,与假手术组比较,模型组大鼠的逃避潜伏期延长(P<0.05),穿越平台次数和在目标象限的停留时间比均减少(P<0.05);与模型组比较,TST组和多奈哌齐组逃避潜伏期缩短(P<0.01),穿越平台次数和在目标象限的停留时间比增多(P<0.05)。与假手术组比较,模型组海马CA1区神经元、尼氏小体、树突棘数量和SYN表达量减少(P<0.05);与模型组比较,TST组和多奈哌齐组神经元、尼氏小体、树突棘数量和SYN表达量增多(P<0.05)。Westernblotting结果显示,与假手术组比较,模型组大鼠海马组织IL-1β、VEGFA表达水平升高(P<0.05),PSD95、GAP43表达水平降低(P<0.01);与模型组比较,TST组和多奈哌齐组IL-1β表达水平均降低(P<0.05),VEGFA、IL-10、GAP43表达水平均升高(P<0.05)。结论TST可能通过促进突触可塑性和NVU重塑减轻2-VO模型大鼠的认知障碍,有望用于卒中的治疗。

ZnO/Vo-(111)Cu_(2)O/NiF光催化材料协同PMS氧化高效去除盐酸环丙沙星

针对盐酸环丙沙星(CIP-HCl)的难降解性,本实验成功合成了以泡沫镍为基底的光催化异质结ZnO/Vo-(111)Cu_(2)O/NiF,该复合材料具有良好的光响应强度,电化学阻抗较小;通过光照产生的能量激活PMS,使其生成具有强氧化性的活性物质SO_(4)^(·-);利用光催化协同PMS氧化共同参与盐酸环丙沙星的高效降解,在20 min内降解效率高达97.5%。

大鼠血管性痴呆2-VO造模法优化方案的研究评价

大鼠血管性痴呆2-VO造模法是国内外学者研究血管性痴呆(vascular dementia,VD)最常选用的造模方法,该方法具有重复性好、便于操作、评价指标严格的优点,但同时2-VO造模法也存在与临床发病机理仍有差距等不足之处。大鼠血管性痴呆2-VO造模法优化方案常见2-VO+操作方式改良法、2-VO+硝普钠造模法、2-VO+其他致病因素造模法等。对于构建成模的大鼠血管性痴呆模型评价方法主要集中在行为学、组织形态学、影像学、血液生化及相关指标等方面。本研究对上述各种大鼠血管性痴呆2-VO模型法优化方案的构建方法、优势、不足进行了总结,同时对VD模型的评价方法进行了概述,以期为今后的实验研究提供参考。

热处理碳纸电极上VO^(2+)/(VO_2)^+氧化还原动力学

在不同温度下热氧化处理碳纸,用循环伏安、极化曲线和交流阻抗方法研究碳纸电极上VO2+/VO2+氧化还原动力学.循环伏安和极化曲线结果表明,随着热处理温度的升高,VO2+/VO2+氧化还原反应的速率常数及交换电流增大.建立了VO2+/VO2+氧化还原反应的交流阻抗等效电路模型.拟合结果表明,热处理增大了碳纸电极表面的双电层电容,减小了VO2+/VO2+氧化还原反应的电荷转移电阻.用循环伏安和交流阻抗两种方法求得的VO2+和VO2+的扩散系数基本相同,表明所构建的交流阻抗等效电路模型与电极反应过程相符合.

晶体(NH_4)_2C_4H_4O_6∶VO^(2+)的EPR参量及局域结构的研究

采用叠加模型和双旋-轨耦合参量模型,建立了结构参数与EPR参量之间的定量关系;较好地解释了[VO(H2O)5]2+络离子的局域结构和EPR参量;研究结果发现,(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中络离子[VO(H2O)5]2+的键长为R//≈0.130nm,R⊥≈0.195nm;在(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中,局域结构沿C4轴方向呈压缩的八面体结构;所得EPR参量的理论计算与实验测量数据符合很好。

双帽Keggin型杂多阴离子[PM_(12)O_(40)(VO)_2]^(n-)(M=Mo,n=5;M=V,n=9)的离散变分方法研究

使用密度泛函理论的离散变分方法 (DFT DVM )研究了双帽Keggin型杂多阴离子 [PM12 O40 (VO ) 2 ] n-(M =Mo ,n =5 ;M =V ,n =9) ,即 [PMo12 O40 (VO) 2 ] 5-(a)和 [PV12 O40 (VO) 2 ] 9-(b)的电子结构 ,讨论了双帽的形成对Keggin型杂多阴离子的电子结构和催化性质的影响 ,并与其Keggin型杂多阴离子 (PM12 O40 ) n -(M =Mo ,n =3 ;M =V ,n =15 )的计算结果进行了对比分析 ,计算结果表明 ,双帽的形成对Keggin型杂多阴离子的电子结构产生了很大的影响 。

晶体PZCST:VO^(2+)的EPR谱及光吸收谱的理论研究

采用双旋-轨耦合参量模型和3d1电子组态在四角对称下的能级公式,计算了KZn-ClSO4·3H2O(PZCST):VO2+的EPR谱和光吸收谱,所得EPR谱和光吸收谱的理论结果与实验发现符合得很好.研究发现,该晶体沿C4轴局域对称结构呈压缩的四角畸变,其大小为0.47nm;大的κ值表明VO2+的未配对电子的自旋极化对超精细结构常数有着较大的贡献.

ZPPH晶体中掺杂VO^(2+)的吸收光谱与EPR参量的理论研究

本文基于晶体场理论,建立了10×10阶的3d1离子的全组态能级矩阵,由全对角化法(CDM)计算了ZPPH(ZnKPO4.6H2O)∶VO2+晶体的吸收光谱与顺磁g因子;同时,运用3d1离子在C4v对称下的能级公式和电子顺磁共振(EPR)参量高阶微扰(PTM)公式,计算了ZPPH∶VO2+晶体的光学吸收谱和EPR参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥,所得理论结果与实验符合。两种理论方法对比研究表明:对3d1(V4+)电子组态,微扰法所得结果是全对角化法所得结果的一种很好近似。对所得结果的合理性进行了讨论。

单晶LiHSO_4:VO^(2+)的EPR谱及吸收光谱的理论研究

考虑到配体离子的自旋-轨道耦合作用对光谱和电子顺磁共振谱的贡献不可忽略,采用3d^1离子在四角对称下基于双自旋-轨道耦合模型的高阶微扰公式和晶场理论公式,理论计算了LiHSO_4:VO^(2+)晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g(?)、g_⊥和超精细结构常数A(?)A_⊥。计算结果与实验发现能很好地符合。由于晶体中过渡金属离子中心的EPR参量与其缺陷结构紧密相关,理论计算还获得了V^(4+)杂质中心缺陷结构的信息。对理论结果的合理性进行了讨论。

VO^(2+)－谷氨酸－1，10－邻菲咯啉配合物的结构

测定了ＶＯＳＯ＿４与谷氨酸及ＶＯＳＯ＿４与谷氨酸、１，１０－邻菲咯啉在乙二醇／水（１：１）溶液中的低温ＥＳＲ波谱。利用Ｊｏｈｎｓｏｎ加和规则并结合ＩＲ，推测了在不同ｐＨ下生成的配合物的可能结构。利用电子光谱数据计算了配合物的晶体场参数，讨论了成配规律。

VO_2薄膜的主要制备工艺参数研究

通过正交试验设计对制备ＶＯ２薄膜过程中的部分影响因素（膜厚，最终热处理温度和热处理保温时间）进行了分析研究。ＶＯ２薄膜由无机溶胶－凝胶法制备Ｖ２Ｏ５凝胶膜经真空热处理而成。试验结果表明，ＶＯ２薄膜的最终电学性能明显受到膜厚、热处理温度和保温时间的影响。其中以热处理温度的影响作用最为显著。当真空度为３Ｐａ、升温速率为２℃／ｍｉｎ时，在试验参数范围内（真空热处理温度３４０～５００℃，保温时间４０～２４０ｍｉｎ，膜厚０．２５～０．４５μｍ），经分析得到使ＶＯ２薄膜具有最大电阻突变特性的优化工艺为：加热温度５００℃，保温时间１４０ｍｉｎ，膜厚０．２５μｍ。文中对试验结果进行了讨论。

价态和结构对VO_2薄膜热致相变光电性能的影响

本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度 ,利用真空还原V2 O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2 薄膜 ;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2 薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响 ,得到最佳真空还原参数 ;制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达 3个数量级 ,90 0nm波长光透过率在相变前后改变了 4 0 %左右 ,光学特性相变响应参数较大 ,热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究 ,结果表明较低温度退火有利于V5+ 离子的还原 ,而升高退火温度可改善结晶状态 ,退火时间对VO2 中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2 薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。

1.7MeV电子束在VO_2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化

利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ～ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在VO2 薄膜中出现变价效应 ,产生新的X射线衍射峰 ,带来薄膜化学成分的变化。电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2

少年男子武术套路运动员递增负荷运动中血氨、血乳酸、VE/VO_2变化特征的研究

测定了少年男子武术套路运动员组 ( 12人 )和普通对照组 ( 5人 )在连续递增负荷的蹬车运动中血氨、血乳酸、VE VO2 指标的变化曲线。结果显示 ,两组人员在运动过程中血氨、血乳酸、VE VO2 指标随运动强度的增加有规律上升 ,运动初期上升速度缓慢 ,当运动负荷增加到 10 0W以上 ,三种指标上升速度加剧。结果提示 ,少年男子武术套路运动员比对照组有较好的心肺机能 ,血氨、血乳酸、VE VO2 指标与运动强度有高度相关性 ,三种指标联合使用可以更精确地评定运动强度、机体的机能状态及训练程度 。

由工业V_2O_5制取VO_2薄膜

以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5～ 2 .0个数量级 ,相变温度约为 35℃ ;VO2 薄膜的主要成分是二氧化钒 ,同时含有少量其它的钒化合物。

(VO)_2P_2O_7催化剂上正丁烷选择氧化反应路径的原位瞬态DRIFTS研究

在钒磷复合氧化物(VO)2P2O7催化剂上,运用脉冲反应和反应物组成序贯切换的瞬态反应技术,对正丁烷和C4烯烃(1丁烯、1,3丁二烯)选择氧化制顺酐过程进行了瞬态原位DRIFTS研究,考察了正丁烷选择氧化反应体系的反应网络和基元过程序列结构。获得了含羰基的非环状饱和与不饱和物种都可能是正丁烷选择氧化制顺酐过程的中间物的证据,在1丁烯和1,3丁二烯的原位瞬态DRIFTS研究中检测到了呋喃。推断中间物呋喃在生成顺酐前可能经历了开环形成含羰基的非环状不饱和物种的过程。基于实验结果及与文献的比较,提出了正丁烷在VPO催化剂上选择氧化可能的反应路径。

VO_2纳米粉末的无机溶胶-凝胶法合成及表征

采用V2 O5粉末为原料 ,应用无机溶胶 凝胶法制备VO2 纳米粉末 ,通过对制备过程及相关产物的DSC ,TGA ,XRD和TEM的测试分析 ,揭示出本方法中V2 O5向VO2 的物相转变过程 ,发现V2 O5凝胶粉末在真空条件下于35 0℃开始分解 ,达 110 0℃时还原成VO2 ,其颗粒粒径介于 5 0～ 70nm。

真空还原制备的VO_2热致相变薄膜Raman光谱和红外光谱研究

报道了利用真空还原制备的VO2 薄膜的红外透射光谱和Raman光谱 ,并进行 370～ 90 0nm波段的光透射测试以及90 0nm波长的热滞回线特性测试 ,表明所制备VO2 薄膜具有优良的热致相变光学特性 ,结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变 ,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2

利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数

利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得薄膜的结构和价态有显著影响 ,从而对VO2 的电阻温度系数产生较大调整。

VO￣（2＋）—谷氨酸—π受体三元混配配合物的结构与波谱研究

测定了ＶＯＳＯ＿４－谷氨酸（Ｇｌｕ）－邻菲啉（ｐｈｅｎ）及ＶＯＳＯ＿４－谷氨酸－联吡啶（ｂｉｐｙ）三元混配配合物在不同酸度下（ｐＨ＝１～１４）的乙二醇／水（１：１）溶液中的低温（１７３Ｋ）ＥＳＲ谱．发现随ｐＨ的变化形成各种结构和组成的配合物，利用Ｊｏｈｎｓｏｎ的加合规则、结合配合物的ＩＲ光谱推测了各种配合物的可能结构；利用电子光谱数据计算了配合物的晶体场多数；讨论了谷氨酸、π受体配合物的成配规律。