基于新型“1+X+N”人才培养模式的一流本科课程建设探索

为了适应时代的发展需求,响应国务院提出的在应用型本科高校启动“学历证书+若干职业技能等级证书”制度(即“1+X”证书制度)的试点工作,民办本科院校积极探索“1+X+N”人才培养新模式。在人才培养新模式下,省级一流本科课程光纤通信技术课程组从明确课程定位、推动教学改革、加大资源建设、优化教学内容与实施过程、推进课程思政、改善课程成绩评定等方面开展工作,努力提升学生在光纤通信方面的综合应用能力,培养出满足新时代通信发展需求的高质量人才。

质子入射Al_(x)Ga_(1-x)N材料的位移损伤模拟

氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量Al_(x)Ga_(1-x)N材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于Al_(x)Ga_(1-x)N材料位移损伤研究较少.本文通过两体碰撞近似理论模拟了10 keV-300 MeV质子在不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料中的位移损伤机理.结果表明质子在Al_(x)Ga_(1-x)N材料中产生的非电离能损随质子能量增大而下降,当质子能量低于40 MeV时,非电离能损随着Al含量的增大而变大,当质子能量升高时该趋势相反;分析由质子导致的初级撞出原子以及非电离能量沉积,发现不同Al_(x)Ga_(1-x)N材料初级撞出原子能谱虽然相似,然而Al元素含量越高,由弹性碰撞产生的自身初级撞出原子比例越高;对于质子在不同深度造成的非电离能量沉积,弹性碰撞导致的能量沉积在径迹末端最大,而非弹性碰撞导致的能量沉积在径迹前端均匀分布,径迹末端减小,并且低能质子主要是通过弹性碰撞造成非电离能量沉积,而高能质子恰好相反.本研究揭示了不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料质子位移损伤机理,为GaN器件在空间辐射环境下的应用提供参考依据.

“1+N+X”区级政府财政预算绩效管理制度体系的构建及运行保障

近年来,我国很多区级政府存在着财政预算绩效管理制度体系不完善、绩效管理水平较差、绩效评价结果应用不足等系列问题。文章在分析这些问题及国内外财政绩效管理研究成果的基础上,通过制度创新构建“1+N+X”区级政府财政预算绩效管理制度体系,并从管理创新、技术创新两个方面强化对制度运行的保障,以促进财政预算绩效管理的规范化,提升财政资金的使用效益。

200 kW煤纯化-燃烧和宽负荷NO_(x)排放特性

为了适应当今我国的能源结构和降低煤炭发电等利用过程中产生的污染物排放问题,提出了煤炭纯化-燃烧的新型煤炭反应方式,将整个煤炭的燃烧途径分为纯化和柔和燃烧2个步骤,其中纯化包括中温活化过程(对煤进行性能活化)和高温还原过程(在高温下进行煤中杂质的去除),从而实现煤的纯化和在后续反应中的N元素的定向转化和NO_(x)排放的降低。并在搭建好的200 kW纯化-燃烧试验台上,对宽负荷下系统的纯化-燃烧特性和N元素的转化机理进行了研究。结果表明,系统能够在53%~89%的负荷内实现稳定运行,纯化单元和柔和燃烧单元温度分布均匀,系统的温度随负荷的升高而增加,纯化单元的高温区位于高温还原单元底部,最高可达1378℃,而柔和燃烧单元的高温区则出现在距顶端3700 mm处。在纯化单元出口的煤气中,CO、H_(2)和CH_(4)的体积分数在89%负荷时最高可达23.28%、4.97%、1.52%,随着负荷的增加,燃料中C、H、N元素的转化率均有上升,且高温还原单元出口的元素转化率明显大于中温活化单元出口,达到了88.63%、96.83%和93.91%。大部分的N元素均生成了N_(2),53%负荷下仅有1.27%的N转化生成了NO,NO_(x)排放最低可以达到47.38 mg/m^(3),此时燃烧效率可达99.01%。对氮的迁移路径转化的研究表明,系统在柔和燃烧单元沿程并没有检测到HCN的存在;而NH3则广泛存在于三级三次风喷口前;NO_(x)首先以N_(2)O和NO_(2)的形式分布在柔和燃烧单元沿程,在四级三次风喷入后转化为NO。

多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结的制备及紫外探测性能研究

本文首先采用紫外光辅助电化学刻蚀(UV-EC)方法制备出了孔隙密度为1.51×10^(10)cm^(-2)、平均孔径为38 nm的多孔n-GaN薄膜;随后在其上通过水浴法沉积了一系列Zn_(x)Cu_(1-x)S复合薄膜,x为0.0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0,形成的多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结带隙在2.34~3.51 eV调控;最后基于这些异质结构建出p-n结型紫外探测器。I-V曲线结果表明这些探测器均具有良好的整流特性,特别是n-GaN/p-Zn_(0.4)Cu_(0.6)S探测器性能最优。在暗态下,I_(+3 V)/I_(-3 V)约为1.78×10^(5);在偏压为-3 V、光功率密度为432μW/cm^(2)(365 nm)的条件下,光暗电流比超过10^(3),上升/下降时间为0.09/39.8 ms,响应度(R)为0.352 A/W,外量子效率(EQE)为119.6%,探测率(D^(*))为3.21×10^(12)Jones。I-t曲线结果表明,多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结紫外探测器在连续开-关光循环过程中拥有稳定的光电流响应。该研究为制备异质结紫外探测器提供了一定的理论指导和实验数据。

V含量对AlCrTiNbV_(x)N薄膜结构和摩擦学性能影响

为了探究V含量对AlCrTiNbV_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响,使用磁控溅射仪在304不锈钢基体上制备AlCrTiNbV_(x)N薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析薄膜结构,使用纳米压痕仪、材料表面综合测试仪等表征薄膜力学性能和摩擦学性能。结果表明,AlCrTiNbV_(x)N薄膜均呈面心立方结构,在(200)晶面呈择优取向,衍射角向右偏移。AlCrTiNbV_(1.0)N薄膜在(200)晶面的偏移角度最大,晶面间距最小。随着V含量的增加,AlCrTiNbV_(x)N薄膜的硬度和弹性模量先增大后减小,AlCrTiNbV_(x)N的摩擦系数和磨痕宽度先减小后增大。AlCrTiNbV_(1.0)N薄膜具有最大的薄膜硬度和弹性模量,最小的摩擦系数和磨痕宽度,摩擦学性能最好。主要磨损机理为磨粒磨损、粘着磨损和氧化磨损。

磁控溅射CrN_x薄膜的制备与力学性能

采用反应磁控溅射法在不同的氮分压下制备了一系列CrNx 薄膜 ,并利用EDS和XRD表征了薄膜的成分和相组成 ,采用力学探针测量了薄膜的硬度和弹性模量。研究了氮分压对薄膜成分、相组成和力学性能的影响。结果表明 ,随氮分压的升高 ,薄膜的沉积速率明显降低 ;薄膜中的氮含量增加 ,相应地 ,相组成从Cr +Cr2 N过渡到单相Cr2 N ,再逐步经Cr2 N +CrN过渡到单相CrN ,并在Cr :N原子比为 1∶2和 1∶1时 ,薄膜的硬度出现极值 (HV2 7.1GPa和HV2 6.8GPa) ,而薄膜的弹性模量则在Cr2 N时呈现 3 5 0GPa的最高值。

多模辐射场的广义非线性高阶差压缩——N次方X压缩的一般理论

本文在发展现有理论的基础上，提出了多模（２ｑ模）辐射场的广义非线性高阶差压缩（即Ｎ次方Ｘ压缩）的定义，给出Ｎ次方Ｘ压缩效应的压缩度的计算公式，并对ＮＸ最小测不准态和ＮＸ压缩最小测不准态等进行了详细讨论指出，ＭａｒｋＨｉｌｅｒｙ在文献６中所提出的有关双模辐射场的“差压缩”的定义，仅仅是本文所提出的多模辐射场的广义非线性高阶差压缩（即Ｎ次方Ｘ压缩）的一般性定义在ｑ＝１。

Triton X-100～n-C_6H_(13)OH/c-C_6H_(12)/H_2O体系W/O微乳液的稳定条件

对 Triton X-100～n-C_6H_(13)OH/c-C_6H_(12)/H_2O 体系微乳液的相组成和性质进行研究.结果表明,当 Triton X-100与 n-C_6H_(13)OH 的质量比为3:2时,具有范围较宽的 W/O 微乳液相区域,且该微乳液相区域对 pH 值变化不敏感,温度变化时仍有较大的稳定区域.

第Ⅰ类两态叠加多模叠加态光场的N次方X压缩

利用多模辐射场广义非线性等幂次高次差压缩的一般理论 ,对第Ⅰ类两态叠加多模叠加态光场的等幂次N次方X压缩特性进行了详细研究 ,发现了其存在等幂次N次方X压缩效应的条件 ,还发现第Ⅰ、第Ⅱ两类两态叠加多模叠加态光场之间存在相似压缩和压缩简并现象 。

MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征

本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。

肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气

通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 - x N/ Ga

含焦油生物质气再燃还原燃煤锅炉NO_x的试验研究

搭建了10kW上吸式生物质气化炉和20kW煤粉沉降炉组成的生物质气化再燃试验系统,分析了不同再燃条件下含焦油生物质气再燃还原燃煤锅炉NOx的特性.结果表明:气化过程中产生的焦油在再燃过程中会裂解生成高热值的烃类气体,这些烃类气体还原NOx的效果明显;当过量空气系数较小、再燃温度较高时,NOx的还原效率较高,试验中最高还原效率超过80%;采用生物质气化再燃的方式既可以解决焦油难处理的问题,又可以提高生物质能量的转化效率,同时可高效降低燃煤锅炉NOx的排放量.

Ti(C_(1-x)N_x)系固溶体粉末的制备研究

研究了在碳热还原反应产业化制备Ti(C1 -xNx)系固溶体粉末过程中 ,原料配比、反应温度和N2 流量等工艺参数对Ti(C1 -xNx)组成和性能的影响 .结果表明 ,通过控制原料成分C/Ti的准确配比 ,可产业化制备出成分优良的不同单相Ti(C1 -xNx)固溶体 .在Ti(C1 -xNx)粉末中x值随反应温度的升高或N2 流量的减小而变小 .Ti(C1 -xNx)系固溶体的点阵常数与C或N含量有很好的对应关系 .通过调整粉末中元素的固溶度可控制粉末的晶体结构 。

调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2

高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质

采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断('pop-in')行为,并且发现'pop-in'行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的'pop-in'行为随Al组分增加而减少.

富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性

通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .

TiC_(1-x)N_x固溶体的价电子结构及其性能研究

根据固体与分子经验电子理论 ,对TiC1-xNx 固溶体的价电子结构进行分析 ,结果表明 :固溶体中最强键上的共价电子数nA 随x的增加而减少 ,硬度随x的增加而降低的实质是nA 的减少。并从电子结构层次上证实在TiN中以C原子取代部分N原子可以提高其稳定性。

各向异性Sm_2Fe_(17)N_x磁粉的结构与磁性能

研究了Sm2 Fe17Nx 磁粉的制备、结构与磁性能 ,发现Sm Fe合金的铸态组织主要由Sm2 Fe17、α Fe和SmFe2 三种物相组成 ,而经过 10 0 0℃均匀化退火 4 8h处理后富Sm的SmFe2 相基本消失 ,α Fe相的晶粒变小 ,数量减少。随着氮化时间延长到 10h ,Sm2 Fe17相始终未改变其Th2 Zn17型结构 ,而氮原子浓度增加 ,所有的X射线衍射峰均向小角度方向移动 ;但在氮化时间超过 10h后 ,物相要发生变化 ,导致磁性能降低。在 5 0 0℃下流动的氮气氛中对Sm2 Fe17合金氮化 2、4、6、10h未加磁场取向的磁粉中 ,以氮化 6h的磁性能值最高 :σr =35 4 4Am2 /kg(emu/g) ,Hc =5 8kA/m(72 9 0 3Oe)。磁性能值偏低的原因与测量磁场较低 。

N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。