(XNR)_4立方簇合物结构与稳定性的DFT研究

用密度泛函理论 (DFT) ,在B3LYP CEP 12 1G水平上 ,首次对 (XNR) 4[X =C ,Si,Ge ,Sn ,Pb ;R =H ,CH3 ,C(CH3 ) 3 ,Si(CH3 ) 3 ,C6H5]立方簇合物的几何构型、电子结构、振动光谱和化学键性质进行了研究 ,并对其分子碎片(XNR) 2 进行了相同方法的优化计算 .结果表明 ,(CNR) 4对应的 5种结构均不能稳定存在 .(XNH) 4对应的 5种结构稳定性较低 .对于同一取代基R ,簇合物的稳定性大小顺序为 :(PbNR) 4>(SnNR) 4>(GeNR) 4>(SiNR) 4>(CNR)

(XN)_4R_4簇合物的结构与化学键

用密度泛函理论,在B3LYP/6-311G水平上,对(XN)4R4(X=C,Si,Ge;R=H,CH3,NH2,OH)及合成的先驱化合物(XN)2R2进行几何构型、电子结构、振动频率和化学反应焓变等进行了研究.结果表明,(RCN)4比(CNR)4更稳定.所有簇合物的零点能EZP值,R=H时最小,R=CH3时最大,R配位原子依次为C、N和O时,EZP值逐渐减小.