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Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷的制备与表征
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作者 何梦慈 王元凯 娄本浊 《化工技术与开发》 CAS 2024年第5期1-5,72,共6页
本研究分别用微量Zn^(2+)与Sn^(4+)取代Mg_(2)+与Ti^(4+),通过固相反应法制备了Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷,并采用阿基米德法、XRD、SEM、EDS及网络分析仪等手段,分析了材料的基本物性和介电特性。基本物性分析结果表明,烧... 本研究分别用微量Zn^(2+)与Sn^(4+)取代Mg_(2)+与Ti^(4+),通过固相反应法制备了Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷,并采用阿基米德法、XRD、SEM、EDS及网络分析仪等手段,分析了材料的基本物性和介电特性。基本物性分析结果表明,烧结温度、Zn掺杂量x、Sn掺杂量y等因素对Mg_(2)TiO_(4)的晶体结构无明显影响,烧结致密性随烧结温度的升高呈先增大后减小的趋势,其中在1300℃下烧结所得的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_(4),烧结致密性最佳,达到98%。微波介电特性分析结果表明,Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)的介电常数εr与品质因数Q×f值,均随烧结温度的升高而呈先增大后减小的趋势,且其谐振频率温度系数τf具有较好的稳定性,其中在1300℃下烧结所得的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O4,εr≈15.55,Q×f≈319690GHz,此时τf≈-52.06×10^(-6)·℃^(-1)。与前人的研究结果比较后可知,本研究制备的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_(4)不仅将烧结温度大幅下降至1300℃,还能将品质因子提升至319690GHz,使其微波介电性能得到有效改善。 展开更多
关键词 微波介电陶瓷 Mg_(2)tio_(4) zn-sn共掺杂 固相反应法 微波介电特性
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(Bi_2O_3、ZnO)对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4介电性能的影响
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作者 刘相果 刘光聪 +1 位作者 曾祥明 蹇胜勇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第1期77-79,共3页
采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其... 采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷。陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大。当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳。 展开更多
关键词 (Zr0.8sn0. 2)tio4 添加剂 烧结性能 微观结构 介电性能
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Microstructure modification and precipitation strengthening for Mg−6Zn−1Mn−4Sn−0.5Ca through extrusion and aging treatment 被引量:2
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作者 Xia CHEN Ding-fei ZHANG +3 位作者 Yang ZHAO Jing-kai FENG Bin JIANG Fu-sheng PAN 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第10期2650-2657,共8页
The microstructure revolution and mechanical properties of as-extruded and peak-aged Mg−6Zn−1Mn−4Sn−0.5Ca(ZMT614−0.5Ca)alloy were studied by OM,SEM,TEM,hardness testing and tensile testing.The results showed that the ... The microstructure revolution and mechanical properties of as-extruded and peak-aged Mg−6Zn−1Mn−4Sn−0.5Ca(ZMT614−0.5Ca)alloy were studied by OM,SEM,TEM,hardness testing and tensile testing.The results showed that the as-cast ZMT614−0.5Ca alloy mainly consisted of α-Mg,Mg−Zn and CaMgSn phase.The hot extrusion process effectively refined the microstructure and led to a completely dynamic recrystallized microstructure.The average grain size of as-extruded alloy was^4.85μm.After solution treatment,remained CaMgSn with high melting point played a significant role in pinning effect and impeding the migration of grain boundary.After aging treatment,peak-aged ZMT614−0.5Ca alloy exhibited a good combination of strength and ductility,with yield strength,ultimate tensile strength and elongation being 338 MPa,383 MPa and 7.5%,respectively.The yield strength of the alloy increased significantly by around 36%compared with that in as-extruded condition,which should be attributed to the precipitation strengthening of β'phase. 展开更多
关键词 Mg−6zn−1Mn−4sn−0.5Ca EXTRUSION AGING MICROSTRUCTURE precipitation strengthening
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复合添加ZnO/V_2O_5对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷性能的影响
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作者 于轩 秦旺洋 +2 位作者 贾路方 钱莹 丁东 《电子与封装》 2015年第2期40-43,48,共5页
讨论了复合添加Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4的烧结有一定的促进作用,但Zn O/V2O5添加量的增大会造成晶格缺陷和残留气孔增多,从而导致材料的密度和Q... 讨论了复合添加Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4的烧结有一定的促进作用,但Zn O/V2O5添加量的增大会造成晶格缺陷和残留气孔增多,从而导致材料的密度和Q×f降低。在1 320℃保温4 h并添加了0.6 wt%Zn O/V2O5的试样具有相对较好的介电性能:εr=36.48,Q×f=16 800 GHz。 展开更多
关键词 (Zr0.8sn0.2)Ti O4 复合添加zn O/V2O5 烧结机制 介电性能
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Synthesis of Cu_2ZnSnS_4 thin film from mixed solution of Cu_2SnS_3 nanoparticles and Zn ions
5
作者 Zheng-fu TONG Jia YANG +6 位作者 Chang YAN Meng-meng HAO Fang-yang LIU Liang-xing JIANG Yan-qing LAI Jie LI Ye-xiang LIU 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第8期2102-2108,共7页
The Cu2ZnSnS4 thin film was prepared by a facile solution method without vacuum environment and toxic substance. The formation mechanism of the film was studied by transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffrac... The Cu2ZnSnS4 thin film was prepared by a facile solution method without vacuum environment and toxic substance. The formation mechanism of the film was studied by transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), and Raman scattering measurements. Through cyclic voltammetry and photo-electricity tests, the electrocatalytic activity of the prepared film as the counter electrode of dye-sensitizedsolar cell was also studied. The results show that the mixed precursor solution mainly consists of Cu2SnS3 nanoparticles and Zn ions.After 550 °C annealing process on the precursor film prepared from the mixed solution, Cu2ZnSnS4 thin film is obtained. Besides, itis found that the prepared Cu2ZnSnS4 thin film has the electrocatalytic activity toward the redox reaction of I3?/I? and the dye-sensitized solar cell with the prepared Cu2ZnSnS4 thin film as the counter electrode achieves the efficiency of 1.09%. 展开更多
关键词 Cu2znsnS4 thin film Cu2snS3 nanoparticle zn ion ELECTROCATALYTIC dye-sensitized solar cells
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不同浓度Sn^4+离子掺杂TiO_2的结构、性质和光催化活性 被引量:5
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作者 张鹏 赵路松 +1 位作者 姚江宏 曹亚安 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1305-1312,共8页
采用溶胶-凝胶法制备出纯TiO2和不同浓度Sn4+离子掺杂的TiO2光催化剂(TiO2-Snx%, x%代表 Sn4+离子掺杂的TiO2样品中Sn4+离子摩尔分数). 利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和表面光电压谱(SPS)确定了 TiO2-Snx%催化剂的晶相结构... 采用溶胶-凝胶法制备出纯TiO2和不同浓度Sn4+离子掺杂的TiO2光催化剂(TiO2-Snx%, x%代表 Sn4+离子掺杂的TiO2样品中Sn4+离子摩尔分数). 利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和表面光电压谱(SPS)确定了 TiO2-Snx%催化剂的晶相结构和能带结构, 结果表明: 当 Sn4+离子浓度较低时, Sn4+离子进入TiO2晶格, 取代并占据Ti4+离子的位置, 形成取代式掺杂结构(Ti1-xSnxO2), 其掺杂能级在导带下 0.38 eV 处; 当 Sn4+离子浓度较高时, 掺入的Sn4+离子在TiO2表面生成金红石SnO2, 形成 TiO2和SnO2复合结构(TiO2/SnO2), SnO2的导带位于TiO2导带下0.33 eV处. 利用瞬态光电压谱和荧光光谱研究了TiO2-Snx%催化剂光生载流子的分离和复合的动力学过程, 结果表明, Sn4+离子掺杂能级和表面SnO2能带存在促进光生载流子的分离, 有效地抑制了光生电子与空穴的复合; 然而, Sn4+离子掺杂能级能更有效地增加光生电子的分离寿命, 提高了光生载流子的分离效率, 从而揭示了TiO2-Snx%催化剂的光催化机理. 展开更多
关键词 sn4+离子掺杂tio2 sn4+离子浓度 瞬态光电压 表面光电压谱 光生电子的寿命
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Sn^4+掺杂TiO2中空纤维材料的制备及光催化性能 被引量:4
7
作者 郑焘 田泽 +2 位作者 孙佳星 苏碧桃 雷自强 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期79-83,共5页
以Ti(OCH2CH2CH2CH3)4为钛源,脱脂棉花纤维为模板,利用浸渍-热转化两步法制备了具有中空结构的Sn4+掺杂TiO2光催化纤维材料(Sn4+/TiO2),利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光谱(UV-vis)等技术对其晶体结构、形貌、尺... 以Ti(OCH2CH2CH2CH3)4为钛源,脱脂棉花纤维为模板,利用浸渍-热转化两步法制备了具有中空结构的Sn4+掺杂TiO2光催化纤维材料(Sn4+/TiO2),利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光谱(UV-vis)等技术对其晶体结构、形貌、尺寸、光吸收特性等进行了表征。以亚甲基蓝(MB)溶液的脱色降解为模型反应,考察了样品Sn4+/TiO2在太阳光下的光催化性能。结果表明:利用该法制得的Sn4+/TiO2材料具有中空纤维结构;煅烧温度影响材料Sn4+/TiO2的相结构、组成、尺寸、形貌以及催化性能;Sn4+的掺入能够显著改善TiO2在太阳光条件下的催化性能,600℃煅烧2 h所得的Sn4+掺杂量x=0.29%的TiO2中空纤维材料具有最佳的光催化活性,太阳光下2 h即可使MB溶液的脱色降解率达97.28%;重复使用5次仍可使MB溶液的脱色降解率保持在90%以上,且该催化剂材料易于离心分离去除。 展开更多
关键词 sn4+/tio2 中空纤维材料 棉花模板 两步法 光催化活性
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(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷预烧和烧结工艺研究 被引量:6
8
作者 王国庆 吴顺华 颜海洋 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第4期321-324,共4页
研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分... 研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分析表明,在1100°C预烧,1150°C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4。该系统具有优良的介电性能(1MHz):ε≈38,tanδ≤10-4,体电阻率ρv≥1013·cm,温度系数αc=0±30×10-6/°C。 展开更多
关键词 (Zr0.8sn0.2)tio4 预烧 烧结 介电性能
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添加剂对(Zr,Sn)TiO_4系统高频陶瓷介电性能的影响 被引量:6
9
作者 王国庆 吴顺华 赵玉双 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期7-12,共6页
用一般的电子陶瓷工艺在中温 (115 0℃ )烧结条件下制备了 (Zr ,Sn)TiO4 系统多层陶瓷电容器 (MLCC)用高频陶瓷材料。通过向系统中加入CuO ,ZnO ,BaCO3 ,SrCO3 和G(玻璃 )等添加剂 ,达到了降低烧成温度并提高介电性能的效果。研究了各... 用一般的电子陶瓷工艺在中温 (115 0℃ )烧结条件下制备了 (Zr ,Sn)TiO4 系统多层陶瓷电容器 (MLCC)用高频陶瓷材料。通过向系统中加入CuO ,ZnO ,BaCO3 ,SrCO3 和G(玻璃 )等添加剂 ,达到了降低烧成温度并提高介电性能的效果。研究了各添加剂对系统介电性能的影响。制得的陶瓷材料具有优异的介电性能 :在 1MHz下 ,ε≈ 38,Q =1/tanδ≥ 10 4 ,ρV≥ 10 11Ω·m ,αC=(0± 30 )× 10 -6·℃ -1。 展开更多
关键词 添加剂 Zrtio4 陶瓷材料 介电性能 中温烧结 sntio4
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复合添加剂对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4介质材料介电性能的影响 被引量:8
10
作者 吴坚强 李亚萍 +1 位作者 黄正初 陈志雪 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期19-22,22,共4页
讨论在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主晶相系统中,不同的添加剂对介电性能的影响,固定添加1%ZnO,用单因素法,探讨这种添加剂CuO、CuO-V2O5、G1玻璃和G2玻璃的量与(Zr0.8Sn0.2)TiO4材料介电性能的关系。找出一种既能有效改善主晶相又低成本的添加剂,... 讨论在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主晶相系统中,不同的添加剂对介电性能的影响,固定添加1%ZnO,用单因素法,探讨这种添加剂CuO、CuO-V2O5、G1玻璃和G2玻璃的量与(Zr0.8Sn0.2)TiO4材料介电性能的关系。找出一种既能有效改善主晶相又低成本的添加剂,用X射线衍射仪对其进行物相分析。研究结果表明,当G2玻璃的添加量等于2%时,得到了介质损耗tgδ最小、烧成温度为1320℃的材料,有望用作微波陶瓷。 展开更多
关键词 (Zr0.8sn0.2)tio4陶瓷 复合添加剂 烧成温度 介质损耗
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(Zr_(0.7)Sn_(0.3))TiO_4陶瓷介电性能与工艺参数关系的回归分析 被引量:3
11
作者 王国庆 吴顺华 +1 位作者 赵玉双 刘丹丹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期892-898,共7页
用回归分析方法得到了(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷的介电性能ε和δ与其工艺参数(CuO、ZnO)和玻璃的添加量(分别为x1、x2、x3 wt%)及预烧和烧结温度(分别为x4×103和x5×103℃)之间的定量关系:ε=10.9731-1.4559x1+9.9154x2+1.9776x3... 用回归分析方法得到了(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷的介电性能ε和δ与其工艺参数(CuO、ZnO)和玻璃的添加量(分别为x1、x2、x3 wt%)及预烧和烧结温度(分别为x4×103和x5×103℃)之间的定量关系:ε=10.9731-1.4559x1+9.9154x2+1.9776x3-3.3160x22-0.2286x23-200.1697x24-161.9102x25+375.1160x4x5;lg(tanδ)=-38.5876-0.6452x2+0.1235x3+31.2221x4+30.3861x5+0.1100x21+0.2077x22-0.0106x23-27.4317x4x5.能对给定工艺参数下的介电性能进行预测,并能确定满足特定介电性能的工艺参数,有助于加快电子陶瓷材料的研究. 展开更多
关键词 回归分析 (Zr0.7sn0.3)tio4 介电性能
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染料N719和Q-PbS复合敏化Zn_2TiO_4纳米晶薄膜电极的研究 被引量:3
12
作者 何祖明 夏咏梅 +1 位作者 唐斌 江兴方 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期7084-7087,共4页
为了有效的利用太阳能,提高纳米晶薄膜太阳能电池的效率,针对太阳的发射光谱和纳米薄膜的吸收光谱,设计出复合敏化的薄膜太阳能电池。采用溶胶-凝胶法在FTO玻璃上制备了Zn_2TiO_4纳米晶薄膜,用XRD和SEM分别对其物相及形貌进行了表征;以... 为了有效的利用太阳能,提高纳米晶薄膜太阳能电池的效率,针对太阳的发射光谱和纳米薄膜的吸收光谱,设计出复合敏化的薄膜太阳能电池。采用溶胶-凝胶法在FTO玻璃上制备了Zn_2TiO_4纳米晶薄膜,用XRD和SEM分别对其物相及形貌进行了表征;以染料N719和Q-PbS为敏化剂,制备了多种Zn_2TiO_4纳米晶薄膜电极,分别测试了他们的UV-Vis吸收光谱;优选出敏化效果好的电极为光阳极组装了太阳能电池,并进行了光电性能测试。研究结果表明,纳米晶薄膜为尖晶石结构的Zn_2TiO_4,呈球形多孔,平均晶粒约80nm;染料N719和Q-PbS敏化的电极,光响应范围均扩展到可见光区,出现了明显的红移,而且复合敏化的电极在可见光区具有较强的吸收;制备了多种染料敏化太阳能电池(DSSC),在模拟太阳光下,Zn_2TiO_4+Q-PbS(2min)+N719薄膜电极组成的DSSC的性能最优,其开路电压0.65V,电流密度3.3mA/cm^2,填充因子77%和转化效率达1.61%。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 zn2tio4薄膜电极 量子点 染料N719 染料敏化太阳能电池
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球磨工艺和复合掺杂对(Zr,Sn)TiO_4微波介质陶瓷的性能影响 被引量:1
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作者 曹良足 胡健 曹达明 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期28-31,共4页
为了提高(Zr,Sn)TiO4(简称ZST)陶瓷的微波介电性能,研究了球磨介质和复合掺杂1 wt%ZnO与0~0.8 wt%WO3对ZST陶瓷性能的影响。选择玛瑙球和氧化锆球作球磨介质,采用固相法制备粉料,用闭腔法测试陶瓷样品的Q·f值和频率温度系数()。研... 为了提高(Zr,Sn)TiO4(简称ZST)陶瓷的微波介电性能,研究了球磨介质和复合掺杂1 wt%ZnO与0~0.8 wt%WO3对ZST陶瓷性能的影响。选择玛瑙球和氧化锆球作球磨介质,采用固相法制备粉料,用闭腔法测试陶瓷样品的Q·f值和频率温度系数()。研究结果表明,陶瓷罐配玛瑙球时,玛瑙球磨损明显,降低ZST陶瓷的Q·f值;聚氨酯罐分别配玛瑙球和氧化锆球时,掺杂等量WO3的ZST陶瓷样品的Q·f值有差别,前者明显小于后者;ZST陶瓷的Q·f值随WO3添加量的增加而不断提高,从正值变化到负值。当掺杂0.8 wt%WO3,采用氧化锆球球磨时间6 h,1330℃×2 h烧结的陶瓷具有良好的微波介电性能:=38.3,Q·f=45300 GHz,=-2.2 ppm/℃。 展开更多
关键词 球磨介质 (Zr sn)tio4陶瓷 复合掺杂 微波介电性能
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Synthesis and electrochemical properties of Zn_2SnO_4 and Zn_2Sn_(0.8)Ti_(0.2)O_4/C
14
作者 袁万颂 田彦文 +1 位作者 刘丽娟 李建中 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第4期858-864,共7页
Compound Zn2Sn0.8Ti0.2O4 was synthesized by a hydrothermal method in which SnCl4-5H2O,TiCl4,ZnCl2 and N2H4-H2O were used as reactants.The composite Zn2Sn0.8Ti0.2O4/C was then prepared through a carbothermic reduction ... Compound Zn2Sn0.8Ti0.2O4 was synthesized by a hydrothermal method in which SnCl4-5H2O,TiCl4,ZnCl2 and N2H4-H2O were used as reactants.The composite Zn2Sn0.8Ti0.2O4/C was then prepared through a carbothermic reduction process using the as-prepared Zn2Sn0.8Ti0.2O4 and glucose as reactants.The structure,morphology and electrochemical properties of the as-prepared products were investigated by XRD,XPS,TEM and electrochemical measurements.In addition,electrochemical Li insertion/extraction in composite Zn2Sn0.8Ti0.2O4/C were examined by ex situ XRD and SEM.The first discharge capacity of Zn2SnO4 is about 1670.8 mA-h/g,with a capacity retain of 342.7 mA-h/g in the 40th cycle at a constant current density of 100 mA/g in the voltage range of 0.05-3.0 V.Comparing with the Zn2SnO4,some improved electrochemical properties are obtained for Zn2Sn0.8Ti0.2O4,Zn2SnO4/C and Zn2Sn0.8Ti0.2O4/C.The composite Zn2Sn0.8Ti0.2O4/C shows the best electrochemical properties,and its first discharge capacity is about 1530.0 mA-h/g,with a capacity retain of 479.1 mA-h/g the 100th cycle. 展开更多
关键词 zn2snO4 zn2sn0.8Ti0.2O4/C titanium substitution lithium ion batteries anode materials
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(Zr,Sn)TiO_4薄膜的制备及电性能研究进展
15
作者 陈飞 周洪庆 +3 位作者 朱海奎 韦鹏飞 陈栋 刘敏 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期986-990,共5页
从对薄膜材料不断增长的性能要求出发,介绍了(Zr,Sn)TiO4薄膜的晶体结构特征,主要阐述了其已有的制备工艺及电性能的研究进展。提出(Zr,Sn)TiO4薄膜的制备方法将得到拓展和改进,指出了其今后的研究方向。
关键词 (Zr sn)tio4薄膜 晶体结构 制备 性能
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MgO/SrO/La_2O_3多元添加对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4微波陶瓷结构性能影响 被引量:3
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作者 孙庆磊 周洪庆 +3 位作者 钱磊 王亚洲 朱海奎 岳振星 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期812-818,共7页
基于液相促进固相反应烧结机制,设计Mg O/Sr O/La_2O_3多元复合添加(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4(ZST)体系,探究复合添加剂对ZST陶瓷的物相组成、微观结构、烧结特性以及高频介电性能等参数的影响。实验结果表明:陶瓷的主晶相均为ZST相;适... 基于液相促进固相反应烧结机制,设计Mg O/Sr O/La_2O_3多元复合添加(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4(ZST)体系,探究复合添加剂对ZST陶瓷的物相组成、微观结构、烧结特性以及高频介电性能等参数的影响。实验结果表明:陶瓷的主晶相均为ZST相;适量添加Mg O/Sr O/La_2O_3可以有效地降低ZST陶瓷的烧结温度,获得较优的微波介电性能;但Mg O添加量的增多对材料的综合性能有小幅度的影响;Sr O的添加量过大会造成晶粒的不完全生长、瓷体不致密和气孔的增多,从而导致材料的密度、介电常数和Q×f值的下降;此外,添加剂对陶瓷的频率温度系数(τ_f)影响不大。在复合添加0.2wt%Mg O、0.6wt%Sr O、1.0wt%La_2O_3时,1300℃保温5 h的ZST陶瓷综合性能优异:ρ=5.14 g/cm^3,ε_r=40.11,Q×f=51000 GHz(f=5.61 GHz),τ_f=-2.85×10^(-6)℃^(-1)。 展开更多
关键词 (Zr0.8sn0.2)tio4 MgO/SrO多元添加 微观结构 烧结特性 介电性能
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(Zr,Sn)TiO_4系微波介质陶瓷的研究进展 被引量:9
17
作者 傅英松 刘建勇 +1 位作者 石勇 李伟光 《陶瓷学报》 CAS 2005年第2期133-137,共5页
本文从晶体结构、固溶体性质、组成改性、制备、性能等方面对(Zr,Sn)TiO4系微波陶瓷的发展现状进行了详细介绍,并指出了研究和应用前景。
关键词 微波介质陶瓷 (Zr sn)tio4
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(Zr_(0.7)Sn_(0.3))TiO_4陶瓷性能预报的支持向量回归模型 被引量:2
18
作者 翟文华 陆文聪 +2 位作者 刘旭 陈念贻 王国庆 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期648-653,共6页
将支持向量回归方法用于(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷的配方性能关系研究中,分别建立了(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷介电常数和损耗角正切的支持向量回归模型,并与逆传播人工神经网络、多元线性回归模型进行了比较.用留一法分别检验了支持向量回归、... 将支持向量回归方法用于(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷的配方性能关系研究中,分别建立了(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷介电常数和损耗角正切的支持向量回归模型,并与逆传播人工神经网络、多元线性回归模型进行了比较.用留一法分别检验了支持向量回归、逆传播人工神经网络和多元线性回归3种不同模型的预报能力,结果表明:上述3种模型对于(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷介电常数的留一法预报的平均相对误差分别为1.083%、1.632%、1.931%,对于损耗角正切的留一法预报的平均相对误差分别为0.999%、1.746%、1.414%.因此,支持向量回归模型的预报能力较好,可望在陶瓷配方设计中的多变量、非线性问题和小样本体系中发挥较好的作用,为新型介电陶瓷的性能预报和配方优化提供一条全新可靠的途径. 展开更多
关键词 (Zr0.7sn0.3)tio4 介电性能 支持向量机 支持向量回归 留一法
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ZnO-MgO-TiO_2-SnO_2系高频介电陶瓷的制备与介电性能 被引量:2
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作者 冯雪丽 刘向春 +2 位作者 周凯旋 杨洋 左琛光 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第23期23105-23109,共5页
在ZnO-TiO2-SnO2陶瓷基础上,掺杂MgO得到(1-x)ZnO-xMgO-0.88TiO2-0.12SnO2系新型介电陶瓷。对其相转变、微观组织结构和高频介电性能进行了研究,结果表明,在不加入任何烧结助剂情况下,试样可于1 080℃达到烧结,其相对密度为94.4%;当x=0... 在ZnO-TiO2-SnO2陶瓷基础上,掺杂MgO得到(1-x)ZnO-xMgO-0.88TiO2-0.12SnO2系新型介电陶瓷。对其相转变、微观组织结构和高频介电性能进行了研究,结果表明,在不加入任何烧结助剂情况下,试样可于1 080℃达到烧结,其相对密度为94.4%;当x=0.05时,陶瓷为纯相尖晶石结构(Zn0.95,Mg0.05)2(Ti0.88,Sn0.12)O4,其介电性能优良,1 MHz时ε=18.88,tanδ=5×10-4,τε=2.89×10-6/℃,可用作高频电容器材料的优秀候选材料。 展开更多
关键词 (zn Mg)2(Ti sn)O4 尖晶石结构 高频介电
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(Zr,Sn)TiO_4系微波介质陶瓷的掺杂改性研究现状 被引量:3
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作者 倪晶 吴松平 《陶瓷学报》 CAS 2008年第2期189-192,共4页
(Zr,Sn)TiO4系微波介质陶瓷因具有适中的介电常数εr,较高的品质因数Q和近零的谐振频率温度系数τf,被广泛的用于制造谐振器、滤波器等微波元器件。本文综述了不同添加剂对(Zr,Sn)TiO4的掺杂改性机理,并指出了其研究方向。
关键词 微波介质陶瓷 (Zr sn)tio4 掺杂改性
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