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Zn_(1/3)Nb_(2/3)含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响 被引量:2
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作者 周静 赵然 +1 位作者 孙华君 陈文 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1-3,共3页
以xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料。结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,... 以xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料。结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,性能最好的组成位于MPB(四方相边界)附近靠近四方相含量较高的区域,组成Zn1/3Nb2/3含量的变化影响了MPB的位置。 展开更多
关键词 xPMnS-(1-x)Pzn陶瓷 准同型相区间 zn1/3Nb2/3 性能
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金属有机化学气相沉积生长Zn_(1-x)Mn_xSe薄膜的发光和磁光性质
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作者 鞠振刚 张吉英 +6 位作者 吕有明 申德振 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期805-809,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。 展开更多
关键词 zn1-xMnxSe 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光 磁光性质
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Cu含量对Zn_(1-x)Cu_xO薄膜光学性能的影响
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作者 王存勇 周智涛 +5 位作者 王峰 刘昌龙 龚万兵 吕建国 刘峰 黄凯 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2227-2230,2237,共5页
采用溶胶-凝胶法制备Cu x Zn1-x O薄膜,用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和光致发光谱,结果表明:薄膜均呈六角纤锌矿结构,随着Cu含量增加,薄膜平均晶粒尺寸先增大后减... 采用溶胶-凝胶法制备Cu x Zn1-x O薄膜,用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和光致发光谱,结果表明:薄膜均呈六角纤锌矿结构,随着Cu含量增加,薄膜平均晶粒尺寸先增大后减小,表面RMS粗糙度先减小后增大,紫外吸收边发生蓝移,薄膜在可见光波段范围内的平均透过率在80%左右。未掺杂ZnO薄膜中出现一个相对较弱紫光发射带和一个很强的绿光发射带,其它薄膜中出现一个紫光发射和一个蓝光发射带;紫光发射归因于导带以下的局域能级与价带之间的电子跃迁,绿光发射来自于氧空位缺陷能级与价带之间的电子跃迁。 展开更多
关键词 zn1-xCuxO薄膜 微结构 AFM 光致发光
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前驱体制备(1-x)CaTiO_3-xCa(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷的微波介电性能
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作者 沈杰 朱杰 +1 位作者 徐庆 陈文 《陶瓷学报》 CAS 2006年第3期255-258,共4页
以ZnNb2O6为前驱体,通过固相反应合成了(1-x)CaTiO_3-xCa(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3体系微波介质陶瓷。对固溶体进行了结构与性能测试,研究了体系结构与性能随组份变化规律。结果表明,由于Zn,Nb对Ti的B位取代增大了B-O八面体的倾斜角,从而... 以ZnNb2O6为前驱体,通过固相反应合成了(1-x)CaTiO_3-xCa(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3体系微波介质陶瓷。对固溶体进行了结构与性能测试,研究了体系结构与性能随组份变化规律。结果表明,由于Zn,Nb对Ti的B位取代增大了B-O八面体的倾斜角,从而导致随着Ca(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3含量从0.2增加至0.8,介电常数从109减小为49,Q×f值从8340GHz增至13200GHz,频率温度稳定系数由321ppm/℃降为-18ppm/℃。在x=0.7时获得ε_1≈56,Q×f≈11500GHz,τ_f≈-5ppm/℃的最佳性能。 展开更多
关键词 前驱体法 (1-x)CaTiO3-xCa(zn1/3Nb2/3)O3 复合钙钛矿结构 微波介电性能
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新型医用Mg_((98.7-x))-Zn_(1.0)-Ca_(0.3)-Mn_x合金在hank's模拟体液中的降解行为
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作者 王国斌 郭兵 丁雨田 《华中师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第1期87-92,共6页
采用真空感应熔炼,结合熔融浇铸法制备了可降解Mg(98.7-x)-Zn1.0-Ca0.3-Mnx四元合金材料.利用光学显微镜、X射线衍射仪,扫描电镜对合金进行分析和表征.并运用浸泡实验和电化学实验探讨了合金在hank's模拟体液中的降解行为.结果表明... 采用真空感应熔炼,结合熔融浇铸法制备了可降解Mg(98.7-x)-Zn1.0-Ca0.3-Mnx四元合金材料.利用光学显微镜、X射线衍射仪,扫描电镜对合金进行分析和表征.并运用浸泡实验和电化学实验探讨了合金在hank's模拟体液中的降解行为.结果表明:Mn含量为1.5%时,铸态镁合金的晶粒得到显著细化,晶粒尺寸减小到20~30μm;Mn元素可促进Ca原子在Mg基体中形成均匀分布的Mg_2Ca相,从而改善合金的抗腐蚀性能;合金的腐蚀速率随Mn含量的增加而显著降低,加入1.7%Mn时,其平均腐蚀速率和电化学腐蚀速率分别降低到0.135 mm/a和0.265 mm/yr,合金的抗腐蚀性能达到最佳值;合金的局部腐蚀严重,存在"河流状"和"骨架状"的腐蚀形貌;腐蚀产物主要由Mg(OH)_2、MgCO_3、Mg_3(PO_4)_2以及少许MgO与Mg颗粒组成. 展开更多
关键词 Mg(98.7-x)-zn1.0-Ca0.3-Mnx合金 hank's模拟体液 显微组织 降解行为
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(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn^2+的荧光以及长余辉发光性能 被引量:5
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作者 过诚 丛妍 +4 位作者 董斌 朱子茂 王子文 张瑱 李斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1161-1166,共6页
采用高温固相法制备了一系列(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn^(2+)(0≤x≤0.25)绿色荧光粉,并研究了Mg离子对(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn^(2+)的结构、荧光以及长余辉发光性能的影响。Mg离子取代Zn进入Zn_2GeO_4晶格,形成(Zn_(1-x),Mg_x)_2G... 采用高温固相法制备了一系列(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn^(2+)(0≤x≤0.25)绿色荧光粉,并研究了Mg离子对(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn^(2+)的结构、荧光以及长余辉发光性能的影响。Mg离子取代Zn进入Zn_2GeO_4晶格,形成(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4固溶体,并产生了晶格畸变。光谱分析结果表明,样品中位于533 nm的绿色荧光源于Mn^(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁。随着Mg离子浓度的增加,(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn^(2+)样品的激发光谱出现了蓝移现象,说明Mg离子进入到Zn_2GeO_4晶格中对其晶格结构产生了影响,导致(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4的带宽发生改变。发射光谱则表明Mg离子进入Zn_2GeO_4晶格引起Mn^(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁绿色荧光发光强度的增强。Zn_2GeO_4基质中的氧空位缺陷陷阱深度由于基质带宽的变化而变深,样品具有良好的长余辉发光效果。通过热释光谱分析研究了材料中缺陷陷阱的特征,进一步证实了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4中缺陷陷阱深度发生改变。根据光谱分析结果给出了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn^(2+)中荧光与余辉发光的产生机理。 展开更多
关键词 长余辉发光 (zn1-x Mgx)2GeO4∶Mn^2+ 热释光
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纤锌矿ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO非对称双量子阱中电子的带间跃迁光吸收
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作者 钱文华 班士良 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第5期467-475,共9页
考虑纤锌矿ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO非对称双量子阱中内建电场的作用,运用有限差分法自洽求解导带(价带)薛定谔方程和泊松方程,得到系统中电子(空穴)的能级和波函数,进一步采用黄金费米法则求得电子带间跃迁的线性和非线性光吸收系数及折射率... 考虑纤锌矿ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO非对称双量子阱中内建电场的作用,运用有限差分法自洽求解导带(价带)薛定谔方程和泊松方程,得到系统中电子(空穴)的能级和波函数,进一步采用黄金费米法则求得电子带间跃迁的线性和非线性光吸收系数及折射率变化.结果显示,由于ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO双量子阱中MV/cm量级的强内建电场,系统对尺寸和组分的调节作用较为敏感.当左阱宽度较小和中间垒达到一定宽度时,双阱的耦合作用增强;在给定阱垒宽度时,势垒的内建电场均随Mg组分的增加而增加,导致导带电子和价带空穴能级差变大且电子与空穴的空间分离,吸收峰及折射率变化峰值发生蓝移且相应峰值减小;随着中间垒宽度增加,相应峰值减小且发生红移;随着右阱宽度的增大,相应峰值先增后减且发生红移.此外,入射光强度可调节光吸收系数及折射率变化,随着光强的增加,光吸收系数及折射率变化峰值减小. 展开更多
关键词 znO/zn1-xMgxO双量子阱 电子带间跃迁光吸收 三元混晶效应 尺寸效应
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(1-x)Nd(Zn_(1/2)Ti_(1/2))O_3-xSrTiO_3微波介质陶瓷的结构与性能研究
8
作者 宋福生 谢志翔 +3 位作者 洪燕 李月明 沈宗洋 廖润华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期31-35,共5页
通过传统固相合成工艺制备了(1-x)Nd(Zn_(1/2)Ti_(1/2)O_3-xSrTiO_3(x=0.0,0.2,0.4,0.5,0.6,0.8)(NZST)微波介质陶瓷。研究了SrTiO_3的添加量x对NZST陶瓷的烧结性能、晶相组成、显微结构以及微波介电性能的影响。结果表明:NZST陶瓷的体... 通过传统固相合成工艺制备了(1-x)Nd(Zn_(1/2)Ti_(1/2)O_3-xSrTiO_3(x=0.0,0.2,0.4,0.5,0.6,0.8)(NZST)微波介质陶瓷。研究了SrTiO_3的添加量x对NZST陶瓷的烧结性能、晶相组成、显微结构以及微波介电性能的影响。结果表明:NZST陶瓷的体积密度随着x值增大而减小,并在1350℃可以烧结致密;XRD结果显示,在x取值的整个范围内,体系均形成两相复合系统;随着SrTiO_3的添加量x的增加,NZST陶瓷的微波介电性能呈现线性的变化规律。当x=0.5时,可获得谐振频率温度系数近零的微波介质陶瓷,其微波介电性能为:ε_r=52.5,Q×f=15834 GHz,τ_f=5.48×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 (1-x)Nd(zn(1/2)Ti(1/2)O3-xSrTiO3 两相复合系统 物相组成 微波介电性能
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白宝石衬底上生长的Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的结构和光学性能 被引量:14
9
作者 陈奶波 吴惠桢 邱东江 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期311-315,共5页
在白宝石 (sapphire)衬底上低温外延生长出了MgxZn1 -xO晶体薄膜 .x射线衍射 (XRD)及能量色散x射线 (EDX)分析表明 ,MgxZn1 -xO薄膜的晶体结构依赖于薄膜中Mg的组分x,随着Mg组分的增大 ,MgxZn1 -xO薄膜的结构从与ZnO晶体一致的六方结构... 在白宝石 (sapphire)衬底上低温外延生长出了MgxZn1 -xO晶体薄膜 .x射线衍射 (XRD)及能量色散x射线 (EDX)分析表明 ,MgxZn1 -xO薄膜的晶体结构依赖于薄膜中Mg的组分x,随着Mg组分的增大 ,MgxZn1 -xO薄膜的结构从与ZnO晶体一致的六方结构转变为与MgO晶体一致的立方结构 .对MgxZn1 -xO薄膜的紫外透射光谱及紫外光致荧光谱 (UVPL)的分析表明 ,随着Mg组分的增大 ,光学吸收边产生明显的蓝移 ,表明MgxZn1 -xO晶体薄膜的带隙增大 ,且带隙连续可调 .吸收光谱和XRD测量显示 ,带隙高达 5 6 5eV的MgxZn1 -xO晶体薄膜与MgO之间的晶格失配仅为0 16 % . 展开更多
关键词 晶体薄膜 能量色散 电子束蒸发反应 结构性能 光学性能 紫外透射光谱 紫外光致荧光谱 晶格失配
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制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜结构及光学性能的影响 被引量:7
10
作者 王伟娜 方庆清 +5 位作者 周军 王胜男 闫方亮 刘艳美 李雁 吕庆荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期3461-3467,共7页
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和... 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.实验结果表明,Mg含量x≤0.15时,Zn1-xMgxO保持六角纤锌矿结构,0.25≤x≤0.35时为立方结构,经过600℃退火之后,Zn0.75Mg0.25O转化为六角纤锌矿结构;后续退火有利于晶粒长大,一定的氧气氛也有利于减少晶体缺陷和薄膜的c轴应力,但是过量的氧气容易与Mg元素结合形成MgO,不利于ZnO六角纤锌矿结构的生长.对Zn0.925Mg0.075O薄膜进行荧光光谱分析,分析结果表明缺陷发光峰主要与锌空位、锌位氧(OZn)或氧间隙(Oi)等缺陷有关,退火可以使紫外发射峰蓝移. 展开更多
关键词 zn1-xMgxO薄膜 制备工艺 结构 光学性质
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Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究 被引量:5
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作者 吴文清 史同飞 +6 位作者 张国斌 符义兵 潘志云 孙治湖 闫文盛 徐彭寿 韦世强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期4328-4333,共6页
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌... 利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因. 展开更多
关键词 zn1-xCoxO稀磁半导体 X射线吸收精细结构谱 脉冲激光气相沉积法
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Zn_(1-x-y)Na_xCo_yO薄膜的脉冲激光沉积制备及表征 被引量:1
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作者 李世帅 冯秀鹏 +3 位作者 黄金昭 刘春彦 张仲 陶冶微 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期635-639,共5页
采用脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上成功制备出不同含量Na,Co共掺的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、荧光光谱仪以及四探针电阻率测试台对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征.重点讨论了不同掺杂浓度对薄膜光电性质... 采用脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上成功制备出不同含量Na,Co共掺的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、荧光光谱仪以及四探针电阻率测试台对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征.重点讨论了不同掺杂浓度对薄膜光电性质的影响.结果表明Na,Co共掺没有改变ZnO的六角纤锌矿结构且掺杂导致薄膜仅有的的紫外发光峰出现红移.当Na,Co掺杂浓度分别为10时,峰值最强且红移最明显,发光峰波长为397nm,薄膜的电阻率最低,达到了8.34×10-1Ω.cm.深入讨论了上述结果的产生原因. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 zn1-x-yNaxCoyO薄膜 光电性质 红移
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直流反应磁控溅射制备Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构和光学性能研究
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作者 姚斌 岳永高 +1 位作者 隋瑛锐 杨景海 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2014年第3期1-5,共5页
利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移... 利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移到33.38°,(002)方向的晶面间距从0.260 nm增加到0.268 nm,Zn1-xCdxO薄膜的光学带隙也从3.20 eV减小到2.70 eV,相应的近带边发光峰从393 nm红移到467 nm.另外,我们还从能带结构观点对Zn1-xCdxO薄膜的发光机理进行了研究. 展开更多
关键词 磁控溅射 zn1-x CdxO 薄膜 结构 光学性质
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Cd含量对Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构、光学和电学性能的影响
14
作者 隋瑛锐 宋燕平 +1 位作者 吴艳杰 杨景海 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2016年第3期50-54,共5页
利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备不同Cd含量的Zn_(1-x)Cd_xO(0≤x≤1)薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及Hall等详细地对薄膜的结构、光学及电学性能进行了研究.研究发现:当x=0~0.2时,Zn_(1-x)Cd_xO... 利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备不同Cd含量的Zn_(1-x)Cd_xO(0≤x≤1)薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及Hall等详细地对薄膜的结构、光学及电学性能进行了研究.研究发现:当x=0~0.2时,Zn_(1-x)Cd_xO薄膜为沿(002)方向择优生长的六角相结构;当x=0.5时,合金薄膜出现了六角相和立方相共存现象;当x≥0.8时,合金薄膜为沿(200)方向择优生长的立方相结构.结构为六角相时,合金薄膜的带隙从x=0时的3.25 e V减小到x=0.2时的2.75 e V;结构为立方相时,薄膜的带隙从x=0.8时的2.52 e V减小到x=1时的2.42 e V,带隙的变化很小.另外,霍尔测量结果表明,Cd含量对Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的电学性质影响很大. 展开更多
关键词 磁控溅射 zn1-xCdxO薄膜 结构 光电性能
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Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn_xCd_(1-x)S) doped silica glasses 被引量:1
15
作者 SHI Wensheng ZHANG Liangying YAO Xi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE CAS 1998年第1期78-81,共4页
Semiconductor(Zn\-\%x\%Cd 1-x S) doped silica glasses were prepared by Sol_Gel process and \%in situ\% growth technique. The structure of the materials was characterized by X_ray diffraction technique, the particle si... Semiconductor(Zn\-\%x\%Cd 1-x S) doped silica glasses were prepared by Sol_Gel process and \%in situ\% growth technique. The structure of the materials was characterized by X_ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X_ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength diraction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third_order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique. 展开更多
关键词 Sol_Gel solid solution semiconductor(zn\-\%x\%Cd 1-x S) nano_crystallite absorption edge.
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低频窄带压电陶瓷滤波器材料的研究 被引量:1
16
作者 蹇胜勇 杨莉 +1 位作者 刘光聪 刘相果 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期199-201,共3页
采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到... 采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到最佳:机械品质因数Qm=2 600,机电耦合系数k15=0.43,频率温度系数τf=29×10-6/℃;倒去振子两对角的棱角,可以有效地抑制低频厚度切变振动模式的杂波。 展开更多
关键词 铌锌-铌锡-锆钛酸铅压电陶瓷 厚度切变振动 低频窄带
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The magnetic properties of diluted CoFe_2O_4 nanomaterials
17
作者 R.Masrour M.Hamedoun A.Benyoussef 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第4期513-518,共6页
The magnetic properties of (Cox Fe1-x)A (Zn1-x Fe1+x)B O4 are studied using mean-field theory and the probability distribution law to obtain the saturation magnetization, the coercive field, the critical temperat... The magnetic properties of (Cox Fe1-x)A (Zn1-x Fe1+x)B O4 are studied using mean-field theory and the probability distribution law to obtain the saturation magnetization, the coercive field, the critical temperature, and the exchange interactions with different values of D (nm) and x. High-temperature series expansions (HTSEs) combined with the Pade approximant are used to calculate the critical temperature of (CoxFe1-x)A(Znl-xFe1+x)BO4, and the critical exponent associated with magnetic susceptibility is obtained. 展开更多
关键词 (CoxFe1-x)a(zn1-xFe1+x)BO4 probability law saturation magnetization coercive field high-temperature series expansions
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