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后退火温度对溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜结构和性能的影响 被引量:6
1
作者 赖珍荃 李新曦 +3 位作者 俞进 王根水 郭少令 褚君浩 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2003年第1期26-28,44,共4页
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-... 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 展开更多
关键词 PZT铁电薄膜 薄膜结构 铁电性能 介电性能 后退火温度 射频磁控溅射 Pb(zr0.52ti0.48)O3薄膜
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水热环境下PZT纳米晶的结晶与生长习性 被引量:5
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作者 李涛 彭同江 杨世源 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第2期196-197,200,共3页
采用TiO2,ZrOCl2.8H2O,Pb(NO3)2为原料,KOH为矿化剂,在200℃,KOH浓度分别为1 mol/L,3 mol/L,5 mol/L,7 mol/L时,水热合成锆钛酸铅纳米晶体。结果表明,KOH浓度严重影响了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米晶的结晶、生长习性与晶体形貌。当KO... 采用TiO2,ZrOCl2.8H2O,Pb(NO3)2为原料,KOH为矿化剂,在200℃,KOH浓度分别为1 mol/L,3 mol/L,5 mol/L,7 mol/L时,水热合成锆钛酸铅纳米晶体。结果表明,KOH浓度严重影响了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米晶的结晶、生长习性与晶体形貌。当KOH浓度较低时,合成了PZT纳米晶片;当KOH浓度较高时,合成了PZT纳米四方晶柱。合成的纳米晶晶粒度为30 nm,纳米晶粒间通过层叠方式进行生长,成为较大的PZT多晶颗粒。 展开更多
关键词 水热法 Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3(PZT) 纳米晶
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不同PZT复合温石棉纤维/水泥基材料压电性能 被引量:1
3
作者 李璐 罗健林 +2 位作者 李秋义 孙胜伟 王旭 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期281-285,共5页
通过研究4种煅烧温度对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉体粒径分布及晶体结构、陶瓷片微观形貌及压电性能的影响确定PZT最优合成条件。结合超声分散技术制备PZT/温石棉纤维/水泥材料(PZTCC),并分别测试复合粉体晶体结构及经压制极化后PZTCC... 通过研究4种煅烧温度对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉体粒径分布及晶体结构、陶瓷片微观形貌及压电性能的影响确定PZT最优合成条件。结合超声分散技术制备PZT/温石棉纤维/水泥材料(PZTCC),并分别测试复合粉体晶体结构及经压制极化后PZTCC复合片的压电性能。800℃时PZT钙钛矿特征最明显,晶粒饱满;相应PZT陶瓷片、PZTCC复合片均具有较高压电性能,其压电常数d33分别达119.2pC/N、32.5pC/N。 展开更多
关键词 煅烧温度 Pb(zr0.52ti0.48)O3(PZT)微/纳米粉体 溶胶-凝胶法 温石棉纤维 PZT/水泥基复合材料 压电性能
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PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜红外椭圆偏振光谱研究 被引量:2
4
作者 胡志高 赵强 +4 位作者 黄志明 王根水 孟祥建 林铁 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期59-62,共4页
用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5~ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT... 用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5~ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 . 展开更多
关键词 Pbzr0.52ti0.48O3薄膜 红外椭圆偏振光谱 光学常数 静态电荷 铁电薄膜 锆钛酸铅
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水热反应温度对锆钛酸铅微晶性质的影响 被引量:1
5
作者 李涛 彭同江 杨世源 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第1期73-75,80,共4页
水热合成锆钛酸铅(PZT)微晶体,研究了锆钛酸铅微晶体的晶体结构、晶粒形态随水热反应温度的变化规律。研究结果表明,当水热反应温度从125℃变化到200℃时,均有效合成四方晶相的钙钛矿结构的PZT晶体;随着水热反应温度的升高,PZT晶体的四... 水热合成锆钛酸铅(PZT)微晶体,研究了锆钛酸铅微晶体的晶体结构、晶粒形态随水热反应温度的变化规律。研究结果表明,当水热反应温度从125℃变化到200℃时,均有效合成四方晶相的钙钛矿结构的PZT晶体;随着水热反应温度的升高,PZT晶体的四方度(晶格参数c/a比)减小,晶粒尺寸减小,颗粒尺寸增大,晶体颗粒由立方体状逐渐变为球状。 展开更多
关键词 水热合成 温度 Pb(zr0.52ti0.48)O3 晶体结构 机理
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PbO对Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3压电陶瓷性能的影响 被引量:2
6
作者 陈江丽 王斌科 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2008年第4期91-94,共4页
采用固相反应的方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)压电陶瓷,研究了过量PbO对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷性能的影响。通过XRD和SEM研究了PbO过量对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷的晶相结构及显微形貌的影响,研究结果表明PbO过量不会影响P... 采用固相反应的方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)压电陶瓷,研究了过量PbO对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷性能的影响。通过XRD和SEM研究了PbO过量对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷的晶相结构及显微形貌的影响,研究结果表明PbO过量不会影响Pb(Zr0.52Ti0.48)O3材料的相结构(均为钙钛矿结构),但是PbO过量太多,会出现过烧现象及气孔等,PbO过量为5%mol时结晶最好。测量了样品的密度、电阻率、压电系数以及介电性能,对这些测量结果的研究表明采用850℃预烧、1 250℃终烧的烧结工艺,PbO过量为5%mol的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷致密性好,密度最大,且具有良好的介电与压电性能,其压电系数最大为322 pC/N。 展开更多
关键词 压电陶瓷 固相反应 Pb(zr0.52ti0.48)O3 压电系数
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Mg-RE(Nd,Y)-0.48Zn-0.52Zr合金显微组织及强韧化机理 被引量:2
7
作者 董丽君 夏长清 +1 位作者 吴安如 高为国 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期901-904,共4页
采用光学显微镜、扫描电镜及X射线衍射等对Mg-RE(Nd,Y)-0.48Zn-0.52Zr合金组织及相组成进行了分析。对2种合金的挤压态试样进行了室温力学性能及高温力学性能试验,并与T5热处理后进行比较。Mg-Nd-0.48Zn-0.52Zr合金在300℃时的抗拉强度... 采用光学显微镜、扫描电镜及X射线衍射等对Mg-RE(Nd,Y)-0.48Zn-0.52Zr合金组织及相组成进行了分析。对2种合金的挤压态试样进行了室温力学性能及高温力学性能试验,并与T5热处理后进行比较。Mg-Nd-0.48Zn-0.52Zr合金在300℃时的抗拉强度为79.00MPa,Mg-Nd-Y-0.48Zn-0.52Zr合金在330℃时的抗拉强度为202.53MPa,试验结果表明,添加Y对提高合金高温抗拉强度有明显的作用。 展开更多
关键词 Mg-RE(Nd Y)-0.48Zn-0.52Zr合金 显微组织 高温力学性能
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以TiO_2粉体为钛源水热合成Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3晶粒机理 被引量:1
8
作者 李涛 彭同江 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1092-1095,共4页
用水热法合成了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)超细晶粒。通过对合成粉晶体的物相与晶体形貌的表征和对生成物中TiO2残余量的测定,初步分析了PZT粉晶粒形成的机理。在反应初期,随着温度的升高,TiO2粒子逐渐溶解。进入溶液的钛氧基团与溶液中... 用水热法合成了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)超细晶粒。通过对合成粉晶体的物相与晶体形貌的表征和对生成物中TiO2残余量的测定,初步分析了PZT粉晶粒形成的机理。在反应初期,随着温度的升高,TiO2粒子逐渐溶解。进入溶液的钛氧基团与溶液中的羟基相作用发生羟基化反应,形成钛的氢氧化物。钛与锆的氢氧化物相互作用,形成生长基元,它们与Pb2+离子一起在PZT晶核生长界面上叠合、脱水、结晶,从而使PZT晶粒长大。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Pb(zr0.52ti0.48)O3 水热法 二氧化钛 形成机理
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PbZr0.52 Ti0.48 O3的高压合成
9
作者 李霜 张琳 +7 位作者 付成伟 许大鹏 刘润茹 宋更新 薛燕峰 王德勇 郭星原 苏文辉 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期520-523,共4页
研究使用2种原料进行PbZr0.52 Ti0.48 O3的高压合成.实验结果表明,以PbO,ZrO2和TiO2(1:0.52:0.48)为原料,在1.5GPa和3.6GPa压力,880~1061℃条件下主要形成PbTiO3,ZrO2和Pb三相混合物,仅在880℃附近有少量锆钛酸铅(PZ... 研究使用2种原料进行PbZr0.52 Ti0.48 O3的高压合成.实验结果表明,以PbO,ZrO2和TiO2(1:0.52:0.48)为原料,在1.5GPa和3.6GPa压力,880~1061℃条件下主要形成PbTiO3,ZrO2和Pb三相混合物,仅在880℃附近有少量锆钛酸铅(PZT)相生成,以PbZr0.52 Ti0.48 O2为B位先驱体,与PbO混合后进行高压高温合成,在1.5GPa,710~812℃条件下形成PbZr0.52 Ti0.48 O3相,未发现PbTiO3相.对高压高温(1.5GPa,812℃)合成的PbZr0.52 Ti0.48 O3样品进行变温拉曼测量,在245℃时,未发生结构相变;在420℃时,拉曼谱只有177.5,257.7,517cm^-13个峰,其结构由铁电相转变为立方顺电相,因此高压合成的PbZr0.52 Ti0.48 O3居里温度在420℃以下. 展开更多
关键词 铁电材料 PbZr0.52 Ti0.48 O3 高压 固相反应 结构
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铁电/铁磁复合材料的介电、铁电性能研究
10
作者 陈江丽 徐卓 王斌科 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期112-114,118,共4页
采用传统的固相烧结工艺制备了铁电/铁磁复合材料,组分为(1-x)NiFe_2O_4+xPbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3(其中x=0.5,0.6,0.7,0.8)。利用XRD和背散射电子像分析了复合材料的相成分,结果表明,复合材料由铁电相和铁磁相组成,无杂相生成。通过测... 采用传统的固相烧结工艺制备了铁电/铁磁复合材料,组分为(1-x)NiFe_2O_4+xPbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3(其中x=0.5,0.6,0.7,0.8)。利用XRD和背散射电子像分析了复合材料的相成分,结果表明,复合材料由铁电相和铁磁相组成,无杂相生成。通过测量电阻率及压电性能得出复合材料的最佳烧结温度约为1 220℃。介电温谱研究表明,相变温度约为390℃,且不随频率变化,是铁电到顺电的相变。电滞回线呈束腰特征,剩余极化强度较小,随铁电体含量的增加剩余极化强度增大,铁电性加强。 展开更多
关键词 铁电/铁磁复合材料 Pbzr0.52ti0.48O3 NIFE2O4 介电 铁电
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PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3陶瓷材料的微结构和疲劳性能研究
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作者 戴玉蓉 包鹏 +1 位作者 沈惠敏 王业宁 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期94-95,共2页
先给出了PbZr_0.52Ti_0.48O_3(PZT)陶瓷材料在低温下变温XRD分析结果,证明了超晶格的出现与材料的微结构变化有关.测试了该样品在低温下的疲劳性能.与超晶格出现以前相比,其疲劳寿命有所提高,这对于PZT材料的应用有着重要的意义。
关键词 Pbzr0.52ti0.48O3陶瓷材料 微结构 疲劳性能 相变 超晶格 铁电材料 钛酸铅锆陶瓷
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溶胶-凝胶法制备纳米Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3 被引量:6
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作者 郭宏霞 刘雅言 +3 位作者 王岚 曾雄辉 郝先 李莹 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1166-1169,共4页
以醋酸铅 ,硝酸氧锆 ,钛酸四丁酯为原料用溶胶 -凝胶法制备了纳米 Pb( Zr0 .52 Ti0 .48) O3 ( PZT)。结果表明 ,随溶剂中乙二醇单甲醚与水的比例的增大 ,PZT粉体的晶化温度增高 ,晶粒的粒径尺寸也增大 ,当V( C3 H8O2 ) / V( H2 O) =4 .... 以醋酸铅 ,硝酸氧锆 ,钛酸四丁酯为原料用溶胶 -凝胶法制备了纳米 Pb( Zr0 .52 Ti0 .48) O3 ( PZT)。结果表明 ,随溶剂中乙二醇单甲醚与水的比例的增大 ,PZT粉体的晶化温度增高 ,晶粒的粒径尺寸也增大 ,当V( C3 H8O2 ) / V( H2 O) =4 .4 7时 ,不仅凝胶完成时间短 ,且可得到粒度分布集中、晶化温度低的 PZT粉体。用原子力显微镜测定 PZT的粒径为 6 0~ 70 nm,用 TG-DTA分析确定在 4 43℃即可发生晶化反应 ,在 5 0 0℃下结晶完善。通过对不同温度下热处理的粉体的红外光谱和 X射线衍射的分析 ,对溶胶 -凝胶法制备 PZT粉体形成钙钛矿结构的过程进行了研究。 展开更多
关键词 Pb(zr0.52ti0.48)O3 锆钛酸铅 溶胶-凝胶法 纳米晶 压电陶瓷
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二乙醇胺辅助溶胶-水热法低温合成四方形貌Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3粉体 被引量:2
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作者 余占军 胡艳华 +1 位作者 王玉卓 姚海云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1325-1329,共5页
以醋酸铅、异丙醇钛、正丙醇锆为主要实验原料,采用改进的溶胶-水热复合法,在较低温度下制备出了四方形貌的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3[简称PZT]纳米级粉体。探讨了二乙醇胺和水热反应温度对粉体结晶过程、粉体形貌、颗粒尺寸的影响。实验结果... 以醋酸铅、异丙醇钛、正丙醇锆为主要实验原料,采用改进的溶胶-水热复合法,在较低温度下制备出了四方形貌的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3[简称PZT]纳米级粉体。探讨了二乙醇胺和水热反应温度对粉体结晶过程、粉体形貌、颗粒尺寸的影响。实验结果表明,二乙醇胺能够显著降低水热合成温度,有助于粉体在低温条件下合成。随着水热反应温度由150℃逐渐升高至200℃,PZT粉体由非晶态逐渐转变成含有少量杂质的四方相,最后形成了纯的四方相结构。粉体颗粒尺寸逐渐变小。当水热反应温度为180℃时,具有单一四方相结构的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3粉体呈现四方形貌,且团聚不明显。 展开更多
关键词 溶胶-水热法 Pb(zr0.52ti0.48)O3 二乙醇胺 四方形貌
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烧结温度和升温速率对Pb(Sb1/3Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷性能的影响 被引量:6
14
作者 杨坚 严继康 +3 位作者 康昆勇 徐腾威 易健宏 甘国友 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期962-967,共6页
采用传统固相法制备了Pb(Sb_(1/3)Mn_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3(PMS-PZT)压电陶瓷。利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性... 采用传统固相法制备了Pb(Sb_(1/3)Mn_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3(PMS-PZT)压电陶瓷。利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性能的影响。结果表明:不同烧结温度下,所有样品均为单一的钙钛矿四方相,过渡液相不会对相的结构有影响,但是当烧结温度较低时,过渡液相在烧结后期以玻璃相在晶界附近富集,对陶瓷的压电和介电性能有很大影响。随着烧结温度和升温速率的升高,PMS-PZT晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高;d33测试和阻抗分析测试结果表明PMS-PZT样品在1100℃附近以7℃·min-1升温速率并在1250℃烧结时具有最好的压电和介电性能:d33=313 C/N,kp=0.59,Qm=1481,εr=1437,tanδ=0.53%。 展开更多
关键词 Pb(Sb1/3Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3 压电陶瓷 烧结温度 升温速率
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锰锌铁氧体/锆钛酸铅复合陶瓷微结构及磁电性能研究 被引量:2
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作者 秦晓凤 徐瑞成 +2 位作者 王振华 陈刚 高荣礼 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期20-28,共9页
采用共沉淀法和溶胶-凝胶法制备了Mn0.5 Zn0.5 Fe2O4/PbZr0.52 Ti0.48O3(MZFO/PZT)复合陶瓷,研究了MZFO/PZT质量比对复合陶瓷微结构及磁电性能的影响.通过XRD、SEM、EDS对复合陶瓷的相结构、表面微结构、成分进行表征,通过LCR数字电桥... 采用共沉淀法和溶胶-凝胶法制备了Mn0.5 Zn0.5 Fe2O4/PbZr0.52 Ti0.48O3(MZFO/PZT)复合陶瓷,研究了MZFO/PZT质量比对复合陶瓷微结构及磁电性能的影响.通过XRD、SEM、EDS对复合陶瓷的相结构、表面微结构、成分进行表征,通过LCR数字电桥、铁电分析仪、振动样品磁强计对复合陶瓷的介电性、铁电性、磁性进行研究.结果表明:复合陶瓷中存在少量杂相(Fe2O3).不同质量比的复合陶瓷其居里温度(TC)略有不同,TC介于327℃和361℃之间.复合陶瓷的磁化强度与质量比呈非单调的变化关系.由于具有较强的界面效应,质量比为1:1.5的复合陶瓷具有最大的饱和磁化强度和剩余磁化强度,分别为2.2071 A·m^2/kg和0.0304 A·m^2/kg.施加磁场后复合陶瓷的极化强度明显减小,表现出负的磁电耦合系数. 展开更多
关键词 质量比 Mn0.5Zn0.5Fe2O4/Pbzr0.52ti0.48O3 复合陶瓷 微结构 磁电性能
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力电多场鼓包法测定PZT铁电薄膜的横向压电系数
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作者 何元东 孙长振 +5 位作者 毛卫国 毛贻齐 张宏龙 陈彦飞 裴永茂 方岱宁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第15期139-144,共6页
为表征Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的横向压电性能,以纯力场鼓包测试模型和铁电薄膜材料压电方程为基础,推导了PZT铁电薄膜的力电耦合鼓包本构模型。采用溶胶-凝胶法制备了PZT铁电薄膜,并通过化学腐蚀法获得PZT薄膜鼓包样品。... 为表征Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的横向压电性能,以纯力场鼓包测试模型和铁电薄膜材料压电方程为基础,推导了PZT铁电薄膜的力电耦合鼓包本构模型。采用溶胶-凝胶法制备了PZT铁电薄膜,并通过化学腐蚀法获得PZT薄膜鼓包样品。在外加电压为0~14V的条件下进行鼓包测试。结果表明,在纯力场作用下,PZT薄膜的弹性模量和残余应力分别为91.9GPa和36.2MPa;随着电压从2V变化到14V,PZT薄膜的横向压电系数d31从-28.9pm/V变化到-45.8pm/V。本工作所发展的力电耦合鼓包测试技术及力电耦合鼓包本构模型为评价铁电薄膜材料的横向压电性能提供了一种有效的分析方法。 展开更多
关键词 横向压电系数 鼓包测试 力电耦合本构 锆钛酸铅薄膜
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Fabrication and Magnetic Properties of Composite Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4/Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3 Nanofibers by Electrospinning 被引量:1
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作者 沈湘黔 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2011年第3期384-387,共4页
One-dimensional and quasi-one-dimensional nanostructure materials are promising building blocks for electromagnetic devices and nanosystems.In this work,the composite Ni0.5Zn0.5Fe2O4(NZFO)/ Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT... One-dimensional and quasi-one-dimensional nanostructure materials are promising building blocks for electromagnetic devices and nanosystems.In this work,the composite Ni0.5Zn0.5Fe2O4(NZFO)/ Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT) nanofibers with average diameters about 65 nm are prepared by electrospinning from poly(vinyl pyrrolidone) (PVP) and metal salts.The precursor composite NZFO/PZT/PVP nanofibers and the subsequent calcined NZFO/PZT nanofibers are investigated by Fourier transform infrared spectroscopy (FT- IR) ,X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM).The magnetic properties for nanofibers are measured by vibrating sample magnetometer(VSM).The NZFO/PZT nanofibers obtained at calcination temperature of 900 °C for 2 h consist of the ferromagnetic spinel NZFO and ferroelectric perovskite PZT phases,which are constructed from about 37 nm NZFO and 17 nm PZT grains.The saturation magnetization of these NZFO/PZT nanofibers increases with increasing calcination temperature and contents of NZFO in the composite. 展开更多
关键词 nanofiber Ni0.5Zn0.5Fe2O4 Pb(zr0.52ti0.48)O3 composite electrospinning
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x射线衍射研究单晶Si衬底上低温生长的LaNiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/LaNiO3铁电电容器结构
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作者 陈效军 《巢湖师专学报》 1999年第3期45-46,共2页
通过脉冲激光沉积,于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆x射线分析了该多层膜结构中各层曲轴向外延关系。
关键词 X射线衍射 单晶Si LaNiO3/Pb(zr0.52ti0.48)O3/LaNiO3 铁电电容器 脉冲激光沉积
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PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3陶瓷的高压拉曼光谱研究 被引量:1
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作者 袁真 张少鹏 +1 位作者 靳常青 王晓慧 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期95-98,共4页
作为重要的铁电陶瓷材料之一,PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)陶瓷因其广泛的工业应用而成为研究的焦点。通过水溶的溶胶-凝胶法,合成了PbZr0.52Ti0.48O3陶瓷片。通过拉曼光谱测试技术结合高压实验,系统地研究了PZT(MPB-PZT:PbZr0.52Ti0.48O3)陶... 作为重要的铁电陶瓷材料之一,PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)陶瓷因其广泛的工业应用而成为研究的焦点。通过水溶的溶胶-凝胶法,合成了PbZr0.52Ti0.48O3陶瓷片。通过拉曼光谱测试技术结合高压实验,系统地研究了PZT(MPB-PZT:PbZr0.52Ti0.48O3)陶瓷在不同压力下的拉曼光谱。拉曼光谱实验结果分析表明,在0~25GPa的压力范围内,随着静水压力的增加,在压力为2.61GPa时,PZT陶瓷发生了从三方-四方混合相到四方-立方混合相的结构相变,随着压力继续增大到8.5GPa,PZT陶瓷完全相变为顺电立方相。同时,对PZT陶瓷片的介电常数进行了测试,确定PZT陶瓷片的居里温度为395℃。 展开更多
关键词 高压 拉曼光谱 Pbzr0.52ti0.48O3 相变
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Memory characteristics of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode
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作者 王华 于军 +4 位作者 董晓敏 周文利 王耘波 郑远开 赵建宏 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2001年第3期274-279,共6页
由 Au/PZT/BIT/p-Si 多层的配置组成的一根铁电体记忆二极管被搏动的激光免职(PLD ) 制作了技术。铁电体性质和记忆特征被调查。PZT/BIT/p-Si 电影系统的 P-E 曲线把不对称现象浸透在残余的极化的磁滞现象循环 withP t=15 C/cm2 andE c=... 由 Au/PZT/BIT/p-Si 多层的配置组成的一根铁电体记忆二极管被搏动的激光免职(PLD ) 制作了技术。铁电体性质和记忆特征被调查。PZT/BIT/p-Si 电影系统的 P-E 曲线把不对称现象浸透在残余的极化的磁滞现象循环 withP t=15 C/cm2 andE c=48 kV/cm,和腐烂仅仅在 109 个切换的周期以后是 10% ,同时强制的地的增加是 12% 。C-V 磁滞现象环和 I-V 曲线证明记忆效果源于 PZT/BIT 电影的铁电体极化,并且当前的密度是 6.7 ?????????????????????????? 業牣灯潲敢吗?? 展开更多
关键词 ferroeletric 电影 记忆二极管 Pb (zr0.52ti0.48 ) O3 BI4TI3O12
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