MnO2对(Zr0.8Sn0.2)Ti1+δO4+2δ微波介质陶瓷的结构与介电性能的影响

研究掺杂0-0.2wt.%Mn O2的(Zr0.8Sn0.2)Ti1+δO4+2δ(δ=-0.2-0.2)微波介质陶瓷(ZST)的结构和介电性能。固相法制备陶瓷粉料,采用XRD和SEM手段分析陶瓷的晶相和显微结构,并用平行板谐振器法测试样品的微波介电性能。结果表明,未掺杂Mn O2的(Zr0.8Sn0.2)Ti1+δO4+2δ(δ≠0)存在第二相,且(Zr0.8Sn0.2)Ti1.2O4.8陶瓷的微波介电性能最差;掺杂0.2wt.%Mn O2极大地改善了(Zr0.8Sn0.2)Ti1.2O4.8陶瓷的介电性能,Q×f从25.40 THz升高至43.63 THz,频率温度系数从39.0 ppm/℃降至16.8 ppm/℃。

复合添加ZnO/V_2O_5对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷性能的影响

讨论了复合添加Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4的烧结有一定的促进作用,但Zn O/V2O5添加量的增大会造成晶格缺陷和残留气孔增多,从而导致材料的密度和Q×f降低。在1 320℃保温4 h并添加了0.6 wt%Zn O/V2O5的试样具有相对较好的介电性能:εr=36.48,Q×f=16 800 GHz。

BBC掺杂BSNN-BSZT陶瓷低温烧结性能的研究

采用传统的两步固相反应法制备了一种低温烧结的CuBBiO_4-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Ni_(1/3)Nb_(2/3))-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Zr_(0.5)Ti_(0.5))(BBC-BSNN-BSZT)压电陶瓷,并研究了CuBBiO_4(BBC)掺杂量对陶瓷微观形貌、相结构、介电、压电性能和烧结温度的影响。研究结果表明,制备的陶瓷样品为单一的钙钛矿相,未发现其他杂相;掺杂的BBC低熔点化合物在烧结中提供适量液相,促进烧结,样品可在925℃烧结致密。该压电陶瓷材料的居里温度由158℃提升到230℃;当掺杂w(BBC)=0.75%(质量分数)时,陶瓷达到最佳压电性能:压电常数d_(33)=613pC/N,机电耦合系数k_p=0.7,介电常数ε_r=3 926,介电损耗tanδ=0.005 2,品质因数Q_m=70。居里温度T_C=227℃。