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Preparation and characteristics of indium tin oxide (ITO) thin films at low temperature by r.f. magnetron sputtering 被引量:4
1
作者 REN Bingyan LIU Xiaoping WANG Minhua XU Ying 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期137-140,共4页
Low resistivity and highly transparent ITO conducting films for solar cell applications were fabricated at low temperature by r.f. magnetron sputtering. ITO films were deposited on glass and silicon substrate. Electri... Low resistivity and highly transparent ITO conducting films for solar cell applications were fabricated at low temperature by r.f. magnetron sputtering. ITO films were deposited on glass and silicon substrate. Electrical, optical, structural and morphological properties of the ITO films were investigated in terms of the preparation conditions. The annealing treatment has improved the properties of the ITO films at different degree. The maximum transmittance of the obtained ITO films in the visible range is over 92%, and the low resistivity for the ITO films are about 3.85×10-4 Ω·cm at 80 ℃, 80 W after annealing. 展开更多
关键词 ITO r.f. magnetron sputtering low temperature ANNEALING
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Preparation and Characterization of CeO_2-TiO_2/SnO_2:Sb Films Deposited on Glass Substrates by R.F.Sputtering 被引量:6
2
作者 ZHAO Qingnan DONG Yuhong NI Jiamiao WANG Peng ZHAO Xiujian 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第4期443-447,共5页
CeO2-TiO2 films and CeO2-TiO/SnO2:Sb (6 mol%) double films were deposited on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering (R.F. Sputtering), using SnO2:Sb(6 mol%) target, and CeO2- TiO2 targets wit... CeO2-TiO2 films and CeO2-TiO/SnO2:Sb (6 mol%) double films were deposited on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering (R.F. Sputtering), using SnO2:Sb(6 mol%) target, and CeO2- TiO2 targets with different molar ratio of CeO2 to TiO2 (CeO2:TiO2-0:1.0; 0.1:0.9; 0.2:0.8; 0.3:0.7; 0.4:0.6; 0.5:0.5; 0.6:0.4; 0.7:0.3; 0.8:0.2; 0.9:0.1; 1.0:0). The films are characterized by UV-visible transmission and infrared reflection spectra, scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray diffraction (XRD), respectively. The obtained results show that the amorphous phases composed of CeO2-TiO2 play an important role in absorbing UV, there are Ce^3-, Ce^4- and Ti^4- on the surface of the films; the glass substrates coated with CeO2-TiO2 (Ce/Ti=0.5:0.5; 0.6:0.4)/SnO2:Sb(6 mol%) double films show high absorbing UV(〉99), high visible light transmission (75%) and good infrared reflection (〉70%). The sheet resistance of the films is 30-50 Ω/□. The glass substrates coated with the double functional films can be used as window glass of buildings, automobile and so on. 展开更多
关键词 coating glass CeO2-TiO/SnO2:Sb double thin films absorbing UV IR reflection r.f. sputterin
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磁控反应溅射SiN_x薄膜的研究 被引量:15
3
作者 朱勇 沈伟东 +1 位作者 叶辉 顾培夫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期154-157,共4页
用磁控反应溅射 (RF)的方法制备了SiNx 薄膜 分析了以硅为靶材 ,用N2 /Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响 ,得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的 ,而总气... 用磁控反应溅射 (RF)的方法制备了SiNx 薄膜 分析了以硅为靶材 ,用N2 /Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响 ,得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的 ,而总气压较大的时候 ,水汽影响增大 ,气流比率的影响反而不明显 最后提出了合适的工艺条件来制备符合要求的SiNx 展开更多
关键词 SiNx薄膜 磁控反应溅射 光学常数
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氨气和氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响 被引量:9
4
作者 杨盟 刁训刚 +1 位作者 刘海鹰 王天民 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1637-1641,共5页
利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜... 利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜光电特性的影响。结果发现在不同气氛下热处理均能明显提高ITO薄膜在可见光区的透过率,氨气气氛下更有利于薄膜导电特性的改善。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氨气和氮气气氛 热处理 ITO薄膜
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掺硅类金刚石薄膜的制备与表征 被引量:7
5
作者 赵飞 李红轩 +3 位作者 吉利 权伟龙 周惠娣 陈建敏 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期11-14,共4页
利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含... 利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含量。采用非接触式三维轮廓仪测量了薄膜的表面形貌、粗糙度和厚度。采用纳米压痕技术获得了各薄膜的纳米硬度。在UMT–2MT摩擦试验机采用划痕法评价了各薄膜的结合强度,并在CSM摩擦试验机上考察了各薄膜在空气及水环境下的摩擦学性能。结果表明,各薄膜的纳米硬度和结合强度有相似的变化规律,其最佳值均出现在CH4/Ar=5/6处;而当CH4/Ar=7/6时,薄膜在水环境下的摩擦学性能能得到显著提高,摩擦因数仅为0.012。 展开更多
关键词 r.f.PECVD 掺硅类金刚石薄膜 水环境 结合强度 摩擦因数
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分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 被引量:6
6
作者 矫淑杰 梁红伟 +5 位作者 吕有明 申德振 颜建锋 张振中 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期460-462,共3页
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0W的条件下 ,获得了重复性很好的p型ZnO ,且载流子浓度最大可达 1.2× 10 19cm-3 ,迁移率为 0 .0 5 35cm2 ·V-1·s-1,电阻率为 9.5Ω·cm。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 P型掺杂 一氧化氮 射频等离子体 分了束外延
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射频磁控溅射CN_x薄膜的结构与衬底温度关系的研究 被引量:4
7
作者 曹培江 姜志刚 +4 位作者 李俊杰 金曾孙 王欣 郑伟涛 李哲奎 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期275-278,共4页
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进... 使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 .Raman光谱结果表明 ,随衬底温度 ( ts)增加 ,D带向低频方向移动 ,G带向高频方向移动 ;它们的半高宽分别由 375和 1 5 0 cm- 1减小至 32 8和 1 4 2 cm- 1 ;ID/IG 由 3.76减小至 2 .88.FTIR谱中除无序 D带 ( 1 4 0 0 cm- 1 )和石墨 G带 ( 1 5 70 cm- 1 )外 ,还有~ 70 0 cm- 1 ,~ 2 2 1 0 cm- 1 ( C≡ N) ,2 330 cm- 1 ( C—O)及 3 2 5 5~ 335 1 cm- 1 ( N—H)等峰 .XPS测试结果表明 :随衬底温度增加 ,N与 C的物质的量比由 0 .4 9下降至 0 .38,sp2 ( C—N)组分与 sp3( C—N)组分强度比呈增大趋势 .低温 ( 35 0℃ )退火并未对CNx 膜的化学结合状态产生较大影响 ;高温 ( 90 0℃ ) 展开更多
关键词 射频磁控溅射 化学结合状态 结构 氮化碳薄膜 衬底温度 退火温度 FTIR XPS 拉曼光谱
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有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电特性对比研究 被引量:5
8
作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 张鹏 王爱芳 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期329-333,共5页
讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃... 讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6~5.16g/cm3。在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 铝掺杂 薄膜结构 光电性能 射频磁控溅射法
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射频磁控溅射法制备SnO_2∶Sb透明导电薄膜的光电性能研究 被引量:9
9
作者 陈甲林 赵青南 张君 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期406-411,共6页
采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜。利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试。讨论了氧气分压对样品光电性能... 采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜。利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试。讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值。当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70%,电阻率为2.5×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.2×1021cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2.V-1.s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 透明导电薄膜 光电性能 氧气分压
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紫外光截止镀膜玻璃的射频磁控溅射法制备及表征 被引量:3
10
作者 赵青南 倪佳苗 +3 位作者 张乃芝 赵修建 姜宏 王桂荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期142-145,共4页
制备了摩尔比为1:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中,工作气压保持在1.8Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)~220℃之间变化。用x射线衍射(XRD)、X... 制备了摩尔比为1:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中,工作气压保持在1.8Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)~220℃之间变化。用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率。结果表明,薄膜表面结构平滑、致密,呈微小晶粒结构,薄膜中Ti和Ce仅以Ti^4+和Ce^4+的形式存在;随着基片温度升高,薄膜中的细小晶粒略有长大;TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线。 展开更多
关键词 射频溅射 玻璃基TiOx-CeO2薄膜 紫外光截止镀膜玻璃 基片温度
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同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响 被引量:3
11
作者 王鹏 赵青南 +1 位作者 周祥 赵修建 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期589-593,共5页
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了... 室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率。并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化。结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率。 展开更多
关键词 同质缓冲层 ZNO:AL薄膜 射频磁控溅射法 方块电阻 玻璃基片
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光纤ZnO薄膜的制备及光催化性能研究 被引量:2
12
作者 王英连 刘玉华 +1 位作者 任思雨 孙汪典 《环境污染治理技术与设备》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期33-36,共4页
实验利用射频磁控溅射镀膜工艺,分别在光纤和石英玻璃上成功制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对薄膜进行了测试分析,并对其光催化降解苯酚的性能进行了对比测试。结果表明,该薄膜具有良好的C轴取向性,光... 实验利用射频磁控溅射镀膜工艺,分别在光纤和石英玻璃上成功制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对薄膜进行了测试分析,并对其光催化降解苯酚的性能进行了对比测试。结果表明,该薄膜具有良好的C轴取向性,光致发光峰分别位于362nm、421nm和486nm附近,且随着薄膜样品晶粒的减小而出现蓝移,光纤上ZnO薄膜的光催化能力是以石英玻璃为基底的ZnO薄膜的193倍,光催化效果显著。 展开更多
关键词 石英玻璃 制备 光催化性能 镀膜工艺 ZNO薄膜 苯酚 C轴取向 光致发光 蓝移 射频磁控溅射
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磁控溅射法在玻璃基片制备VO_2薄膜的结构与性能 被引量:7
13
作者 黄维刚 王燕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期797-799,共3页
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向。基片温度在400℃以... 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向。基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性,500℃时的薄膜相变特性最佳。薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加。 展开更多
关键词 VO2薄膜 射频磁控溅射法 相变特性
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射频溅射薄膜改善氮化铝陶瓷与金属连接性研究 被引量:4
14
作者 朱胜 霍辛斯基 徐滨士 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 1998年第4期5-9,共5页
本文介绍了一种改善氮化铝(AlN)陶瓷与金属连接性的新工艺方法。首先采用射频溅射在AlN陶瓷表面沉积铝、钛薄膜,然后用真空钎焊和扩散焊实现经表面改性的AlN陶瓷与Cu和FeNi42等金属的连接。由于射频溅射于射频溅射的Al、Ti薄膜改善了... 本文介绍了一种改善氮化铝(AlN)陶瓷与金属连接性的新工艺方法。首先采用射频溅射在AlN陶瓷表面沉积铝、钛薄膜,然后用真空钎焊和扩散焊实现经表面改性的AlN陶瓷与Cu和FeNi42等金属的连接。由于射频溅射于射频溅射的Al、Ti薄膜改善了AlN陶瓷与金属的润湿性,所以AlN/金属的结合强度明显提高。通过对结合界面的显微形貌结构分析以及接头应力计算,阐明了采用功能梯度材料(FGM)过渡层可以进一步改善AlN/金属的连接性。 展开更多
关键词 金属 扩散焊 真空钎焊 表面沉积 过渡层 射频溅射 结合强度 AIN陶瓷 氮化铝陶瓷 新工艺
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磁控射频溅射Cu掺杂SnO_2薄膜的气敏光学特性研究 被引量:5
15
作者 冯金垣 郝延华 《陶瓷学报》 CAS 2008年第3期217-220,共4页
采用磁控射频溅射的方法,在玻璃基片上制备SnO2及其掺杂薄膜。采用AFM和XRD分析薄膜的表面形貌与结构,对掺Cu的SnO2薄膜在常温丙酮气氛作用下,用UV分光光度计进行了气敏光学特性测试,研究结果表明:薄膜在常温下对丙酮气体具有明显的敏... 采用磁控射频溅射的方法,在玻璃基片上制备SnO2及其掺杂薄膜。采用AFM和XRD分析薄膜的表面形貌与结构,对掺Cu的SnO2薄膜在常温丙酮气氛作用下,用UV分光光度计进行了气敏光学特性测试,研究结果表明:薄膜在常温下对丙酮气体具有明显的敏感效应,其反射率在可见光范围的某些波段有20%的变化。 展开更多
关键词 磁控射频溅射 SNO2 丙酮气氛 反射率
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Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质 被引量:1
16
作者 马瑾 黄树来 +3 位作者 计峰 余旭浒 王玉恒 马洪磊 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期519-521,共3页
采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备... 采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。 展开更多
关键词 透明导电膜 Zn-Sn-O 射频磁控溅射
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SnO_2的含量对ITO透明导电薄膜结构和光电特性的影响 被引量:4
17
作者 杨田林 王爱芳 韩圣浩 《光电子技术》 CAS 2004年第2期89-92,共4页
阐述了射频磁控溅射方法制备的柔性衬底 ITO透明导电膜的结构和光电特性与靶材中 Sn O2 含量的关系。ITO靶材中 In2 O3 掺杂 Sn O2 最佳比例 (质量比 )为 7.5 % ,制备薄膜的霍耳迁移率为 89.3cm2 /( V· s) ,电阻率为 6.3× 1 0... 阐述了射频磁控溅射方法制备的柔性衬底 ITO透明导电膜的结构和光电特性与靶材中 Sn O2 含量的关系。ITO靶材中 In2 O3 掺杂 Sn O2 最佳比例 (质量比 )为 7.5 % ,制备薄膜的霍耳迁移率为 89.3cm2 /( V· s) ,电阻率为 6.3× 1 0 -4Ω· cm,在可见光范围内相对透过率为85 %左右 ,随着靶材中 Sn O2 含量增大 ,薄膜的光学带隙展宽。用不同掺杂比例的靶材制备的薄膜均为多晶纤锌矿结构 ,掺杂比例增大 ,样品的晶格常数变大 。 展开更多
关键词 ITO薄膜 掺杂比例 光电特性 射频溅射
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不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究 被引量:1
18
作者 郭福强 简基康 +3 位作者 郑毓峰 孙言飞 徐金宝 马灵灵 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第2期182-186,共5页
在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe... 在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性,且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究. 展开更多
关键词 CDTE 薄膜 r.f磁控溅射 晶体结构
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Au/(Si/SiO_2)/p-Si结构中电流输运机制的研究 被引量:3
19
作者 张开彪 马书懿 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期56-57,60,共3页
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析。结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电... 用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析。结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主。 展开更多
关键词 半导体技术 射频磁控溅射 I-V特性 电场协助隧穿
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溶胶-凝胶法与射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征对比 被引量:1
20
作者 任思雨 王英连 +1 位作者 孙汪典 刘玉华 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期50-52,56,共4页
分别对溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备ZnO进行了详细的介绍,并借助X射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱分析、紫外吸收等检测手段对这两种方法生长的薄膜进行了分析比较。分析显示:相同石英基底,相同退火温度下生长ZnO薄膜,磁控溅射法生长... 分别对溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备ZnO进行了详细的介绍,并借助X射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱分析、紫外吸收等检测手段对这两种方法生长的薄膜进行了分析比较。分析显示:相同石英基底,相同退火温度下生长ZnO薄膜,磁控溅射法生长的ZnO薄膜要比溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜有更优异的c轴取向特性,生长的薄膜结晶更加均匀、致密。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶 磁控溅射
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