Sinx/x视频测试信号的分析与研究

给出了Sinx/x视频测试信号的理论模型,并推导出了它的频域函数,总结了它在频域特征;通过推导2个Sinx/x信号的叠加后的频域函数,得出了它的叠加特性,并进行了LabVIEW仿真,证实了理论的正确性。通过阐述它在测量幅频特性和群时延特性方面的优势,反映了它在视频测量中的重要作用,并概括了使用VM700T视频测量仪测量频率响应和群时延的具体方法。Sinx/x信号的叠加特性又为视频测量仪的频率响应参数和群时延参数的校准提供了思路。

关于“当x→0时,sinx→0”结论的教材编写问题的探讨

针对同济大学应用数学系主编的《高等数学》教材中存在着关于"对结论‘当x→0时,sinx→0’未加证明的情况下而应用"的问题,提出三种解决的方法:第一种方法是在讲授无穷小概念之前、极限定义应用时,证明limx→0sinx=0;第二种方法是在讲授无穷小比较之前、第一类重要极限证明之后,证明limx→0sinx=0;第三种方法是把"无穷小比较"这一节放到本章最后,即在讲完函数连续性后学习。实践证明第二种是简单而实用的好方法。

关于积分integral from n=1 to ∞((sinx/x)dx=π/2)的若干证明方法

文章对积分integral from 0 to ∞ ((sinx/x)dx)=π/2的五种证明方法作了分析整理:(Ⅰ)实函数法(Ⅰ)——变量代换法;(2)实函数法(Ⅱ)——含参变量积分法;(3)实函数法(Ⅲ)——Fourier展开法;(4)复函数法——围道积分法;(5)数理方程法——付氏积分法。并对integral from 0 to ∞((sinx/x)dx)=π/2的简单应用作了说明。

SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响(英文)

系统研究了纳米量级的多孔SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。此外,GaN薄膜的光学、电学性质分别用Raman散射能谱、低温光致发光能谱和霍尔测量的方法进行了表征。实验发现:SiNx插入层的生长位置对GaN薄膜的应变大小基本没有影响;但插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。