SPS法制备的赝二元合金(Ga_2Te_3)_x-(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(1-x)(x=0～0.2)电学性能

采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能。结果表明,在318K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的2倍,而Seebeck系数没有明显下降。从所测得的α和σ值可知,赝二元(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的功率因子最大,为2.1×10-3(W·K-2·m-1),是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.5倍。

P型(Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2(Te_(1-y)Se_y)_3(y=0.02～0.03)的热电性能

通过真空合成和热压烧结制备了p型(Bi0.5Sb0.5)2(Te1-ySey)3+2%Te(质量分数)(y=0.02~0.03),针对不同y值的样品利用XRD、SEM对其进行成分分析、物相结构和形态的分析,通过四探针法测量其电导率,对样品两端加温差(ΔT=1~4℃)测量其塞贝克系数。结果表明,当y=0.022时,材料具有最好的热电性能:σ=83.78Ω-1·mm-1,α=228μV·K-1,P=3.9808mW·m-1·K-2。