一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用

随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .

走向实用化的FeRAM

FeRAM(Ferro-electric RandomAccess Memory,铁电随机存取存储器)是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器.不仅如此,与以往的非易失性存储器相比,它还能够在比较低的电压条件下实现1000倍以上的高速信息改写.

ROHM旗下LAPISS emiconductor开发出搭载超高速串行总线的铁电存储器“FeRAM MR44V064B/MR45V064B”

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司（蓝碧石半导体）面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64 kbit铁电存储器注1（以下称＂FeRAM＂）＂MR44V064B/MR45V064B＂。

工作于宽电源范围下的FeRAM

“MR45V100A／MR44V100A”1Mb铁电存储器（FeRAM）面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表／计量设备／医疗设备／金融终端等应用。

富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料

富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFe03或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的五倍。

富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料

富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech），富士通实验室（Fujitsu Laboratories Ltd）和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memery FeRAM）的新型材料这种铋铁,氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的5倍。

富士通联合开发出FeRAM新材料

东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用材料的五倍。

富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料

富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料置换了部分BiFeO3（BFO）成分，与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。

蓄电量提升5倍的下一代半导体内存—FeRAM

东京工业大学与富士通共同开发出下一代半导体内存FeRAM用的新材料。FeRAM为在强介电体的结晶施加电压，使内部的原子位置变化以记录资料的内存，即使切断电源，原子的位置也不会变化，读写资料时间比目前主流的Flash Memory快且耗电量少。

制备FeRAM的新材料

东京理工学院和富士通公司联合开发成功一种制备新一代非易失铁电随机存取存储器（FeRAM）用的新材料。该材料是经调整组分的铁氧体铋化合物（BiFeO3，BFO），它的数据存储密度比现在FeRAM产品中的所用材料增加5倍。

向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料

富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料为置换了部分BiFeO3（BFO）成分而成。新材料与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。

On the relationship between imprint and reliability in Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2) based ferroelectric random access memory

The detrimental effect of imprint,which can cause misreading problem,has hindered the application of ferroelectric HfO_(2).In this work,we present results of a comprehensive reliability evaluation of Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)-based ferroelectric random access memory.The influence of imprint on the retention and endurance is demonstrated.Furthermore,a solution in circuity is pro-posed to effectively solve the misreading problem caused by imprint.