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差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片 被引量：1
1
作者 李雪春 胡礼中 +1 位作者 赛纳 闫志明 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期270-272,共3页
采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层；然后降低温度，在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有... 采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层；然后降低温度，在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题，并克服了其他方法的缺点． 展开更多
关键词 半导体激光器 差温生长法 激光晶片
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