A PHOTOELECTROCHEMICAL INVESTIGATION OF LATTICE-MATCHED SQW GaAs/Al_xGa_(1_x)As ELECTRODE

Single quantum wells(SQWs)of GaAs/Al_xGa_(1-x)As have been investigated as photoelectrodes in photoelectrochemical cells.Structured photocurrent spectra for well widths of 50 and 100 SQWs were obtained in nonaqueous solution.The dependence of structured photocurrent spectra on electrode potential were exhibited.The quantum yield was higher in SQW with 100 well compared to 50 well.

用于低阈值大功率应变InGaAs－AlGaAs GRIN SCH SQW激光二极管的简单可靠的加工技术

提出了一种简单而非常可靠的脊波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＳＱＷ激光器的加工技术。与其他传统的加工技术相比较．该方法简单可行。用这种方法研制出的器件特性完全可以和常规方法研究的器件相媲美，有些甚至更好。加工技术的简单化保证了高的成品率。这些激光器的高性能可以通过应用光学镀膜进一步优化。

GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析

分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布，进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。

A lGaInP/GaInP SCH S-SQW激光器光束质量的矢量矩分析

本文应用非傍轴矢量矩理论 ,分析了 6 70 nm Al Ga In P/Ga In P分别限制应变单量子阱 (SCH S-SQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子 M2⊥ 。分析结果表明 ,在两种情况下 ,M2⊥ 均小于 1,而且前者具有更小的 M2⊥ 。

850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器

设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。

GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析

采用折射率台阶近似法将梯度折射率分别限制异质结单量子阱(GRINSCH—SQW)激光器波导结构中的缓变折射率层离散成折射率近似为常数的亚层,从而推导出此波导的近似本征方程,并用数值计算求解出波导对于基模的等效折射率。在此基础上,通过计算波导中垂直于激光器结平面方向上的光强近场分布,计算出与激光器的阈值电流有密切关系的光学常数——激光器有源层的光限制因子P以及各种波导结构参数对P的影响,同时计算了激光器的远场图形。计算结果可用于GRINSCH-SQW激光器波导结构参数的优化设计。

基于GC-MS法分析珊瑚七十味丸中挥发油和脂溶性成分

目的:采用气相色谱-质谱(GC-MS)法分析同一厂家10个批次珊瑚七十味丸中的挥发油和脂溶性成分,为后期有效成分研究奠定基础。方法:水蒸气蒸馏法提取珊瑚七十味丸粉末中的挥发油成分,溶剂萃取法提取珊瑚七十味丸粉末中的脂溶性成分,采用GC-MS法分离鉴定,利用NIST14谱库检索对各色谱峰结合有关图谱解析并加以确认,并采用峰面积归一法测定各个化合物的相对百分含量。结果:挥发油成分鉴定出60个化合物,共9类,为烯烃类、芳香烃类、黄酮类、酚类、醚类、羧酸类、酯类、烷烃类、醇类。其中以烯烃类最多,其次为芳香烃类和酯类。脂溶性成分鉴定出42个化合物,共8类,为烯烃类、烷烃类、醇类、芳香烃类、黄酮类、酚类、醚类、羧酸类、酯类。其中以酸类最多,其次为烯烃和醚类。结论:珊瑚七十味丸挥发油主要成分为丁香酚、棕榈酸和(Z)-蒿本内酯等,脂溶性成分为亚油酸、异丁香酚甲醚、肉豆蔻酸等,可能来自于珊瑚七十味丸中的当归、藏党参、藏红花等,有助于进一步明确珊瑚七十味丸的药效物质基础。

高功率无铝半导体激光器

介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到

缩泉丸对肾阳虚多尿大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2 mRNA表达的影响

目的:观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏AQP-2 mRNA和AVPR-V2 mRNA表达的影响。方法:用腺嘌呤250mg/kg灌服大鼠4w,造成肾阳虚多尿模型,分别给予缩泉丸或去氨加压素治疗4w,用实时荧光定量PCR法观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏水通道蛋白AQP-2 mRNA及加压素二型受体(AVPR-V2)mRNA表达的影响。结果:肾阳虚多尿模型组大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2mRNA表达比正常对照组明显降低(P<0.01),dDAVP组和缩泉丸高剂量组AQP-2 mRNA表达与AVPR-V2 mRNA表达比模型组明显升高(P<0.05);其余给药各组与模型组相比无显著差异(P>0.05)。结论:缩泉丸能提高肾阳虚多尿模型大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2 mRNA表达。

808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究

从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W·

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流的关系 .室温 2 0 m A的注入电流时 ,发光波长峰值为 530 nm,半高宽为 30 nm.注入电流小于 40 m A时 。

缩泉丸对自然衰老大鼠皮质醇、T_3、T_4及肾上腺系数的影响

目的观察缩泉丸对自然衰老大鼠一般状态、肾上腺系数及血清中皮质醇(Cort)、T3、T4含量的影响。方法采用ELISA方法测量空白对照组、模型对照组、金匮肾气丸组、缩泉丸高、中、低剂量组血中Cort、T3、T4的含量,并称量肾上腺重量计算其系数。每天观察并记录动物的状态,包括活动、外观形态、毛色光泽、精神状态等变化。结果缩泉丸可以明显改善自然衰老大鼠的一般情况;缩泉丸中、高剂量组动物血清中Cort含量明显升高(P<0.05);缩泉丸高剂量组血清中T3含量明显升高(P<0.05);缩泉丸高剂量组动物血清中T4含量明显升高(P<0.05);缩泉丸低、中、高剂量可以显著增加自然衰老大鼠肾上腺系数(P<0.05)。结论缩泉丸可以提高自然衰老大鼠血中Cort、T3、T4含量,也可以增加自然衰老大鼠肾上腺系数,可能是其发挥温肾缩尿的作用机理。

基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器

在改进的带有多槽石墨舟的液相外延 (LPE)设备上 ,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构 (SCH SQW ) ,制作了条宽为 10 0 μm、腔长为 1mm的激光器 ,其阈值电流为0 .70A ,最高连续输出功率达 4W ,斜率效率为 1.32W /A ,串联电阻为 0 .1Ω ,中心波长为 80 8.8nm。

髓清丸对HEL细胞系作用的血清药理学研究

目的 :研究中药复方髓清丸对白血病细胞的作用。方法 :采用血清药理学方法体外培养观察人红白血病细胞系 (HEL)的增殖、凋亡、细胞周期、细胞形态等细胞学指标。结果 :活细胞百分率各含药血清组均较对照组低 ,MTT法测定髓清丸中剂量组和高剂量组OD值明显低于对照组 (p<0 0 1) ,中剂量组和高剂量组细胞毒活性均大于 2 0 %,高剂量含药血清组G1期DNA含量明显低于对照组 (P <0 0 5 ) ,中剂量组凋亡细胞百分率较高 (P <0 0 5 )。结论 :髓清丸能抑制HEL细胞的增殖 ,并有一定的诱导HEL细胞分化、凋亡的作用。

MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED

采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入电流小于 4 0mA时 ,发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的In GaN单量子阱结构的绿光LED。

一种泵浦Nd∶YAG用环形阵列半导体激光器

研制了一种泵浦Nd∶YAG棒的环形阵列准连续半导体激光器,分析了影响器件光电参数的几个主要因素,对实验结果进行了讨论。该器件采用单量子阱光电分别限制异质结结构,激光器的峰值波长为808±3nm,工作电流100A时,输出功率大于1200W(占空比为1%),光谱半宽小于4nm。

髓清丸对黑色素瘤VEGF MMP-2基因表达的影响

在恶性肿瘤的生长和转移中 ,肿瘤血管的生成起着关键作用 ,研究显示髓清丸可以抑制恶性肿瘤的转移 ,并对肿瘤血管生成有影响 ,可以抑制VEGF、MMP -2蛋白的表达 ,但尚不知其是否对VEGF、MMP -2mRNA表达有影响。目的 :研究中药活血化瘀复方髓清丸是否对肿瘤血管生成相关VEGF、MMP-2基因表达有影响。方法 :采用BALB/C无胸腺裸小鼠右侧腑窝皮下接种造成黑色素瘤B16自发转移实验模型 ,用RT -PCR技术检测了裸鼠腋下B16黑色素瘤组织中VEGF、MMP -2mRNA表达的改变。结果 :髓清丸高、低剂量组的VEGF、MMP -2基因的表达均较对照组下降。结论 :髓清丸能抑制肿瘤细胞的VEGF、MMP -2基因的表达。实验发现 ,对照组的癌细胞VEGF、MMP -2基因的表达较强 ,髓清丸高、低剂量组VEGF、MMP -2基因的表达均下降 ,这表明髓清丸似能抑制肿瘤细胞的VEGF、MMP -2的表达。可以认为 ,髓清丸有可能通过下调VEGF、MMP -2基因的表达 ,进而抑制VEGF、MMP -2蛋白表达 ,抑制肿瘤血管的生成 。

高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。

大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究

介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。

808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性

采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性.实验表明,激射波长的漂移系数dλ/dT是特征温度T0的函数.T0越高,激射波长的温度依赖性越大.特征温度T0与透明电流Itr下的特征温度TItr相等时,激射波长的漂移系数dλ/dT达到最大值,该值由发热诱使带隙窄化dλg/dT决定.解决高特征温度T0与小的dλ/dT矛盾的一种可能是考虑温度不依赖的漏电流.