Ca-Tb_4O_7-Fe体系中生成TbFe_2的动力学研究

高纯TbFe2 可以作为生产 (TbDy)Fe2 的一种中间合金原料。开发低成本、无污染、直接从氧化铽还原制备高纯TbFe2 的方法具有非常重要的实际意义。本文在已有关于Ca Tb4O7 Fe体系 ,还原扩散法制备TbFe2 合金在热力学上可能的基础上 ,进一步研究了其动力学可行性。XRD物相鉴定证明生成物是TbFe2 ;应用收缩核模型得知 :扩散是反应的控制步骤 ,表观活化能Ea=39kJ·mol- 1 。

Tb_4O_7纯度对Tb_3Al_5O_(12)发光性质的影响

采用溶胶 凝胶法用不同纯度的Tb4O7在非还原气氛下合成了Tb3Al5O12,并研究了最佳合成条件、电子能谱以及发光性质。结果表明:Tb3Al5O12最佳合成时间应不超过3h,最佳合成温度不超过900℃,提高Tb4O7的纯度,Tb3Al5O12中Tb3+的发光明显增强。

高纯Tb_4O_7中痕量杂质元素的火花源质谱测定

本文采用同位素稀释和相对灵敏度因子法相结合，定量分析了高纯Ｔｂ＿４Ｏ＿７中的２０多种微量元素的含量。测定检测限０．０ｘ～０．００ｘμｇ／ｇ，大多数元素的相对标准偏差在３０％以内。采用同位素稀释法分析了Ｃｕ、Ｂａ、Ｄｙ三元素，其相对标准偏差均在１０％以内。

微型柱分离-ICP-MS法测定高纯氧化铽中14个稀土杂质元素

研究了微型柱分离 电感耦合等离子质谱法(ICP MS)测定高纯Tb4O7中痕量Lu的方法,采用Cyanex272负载树脂微型分离柱,选定了分离大量Tb4O7基体的实验条件,分离周期为40min。建立了微型柱分离Tb后测定Lu以及内标补偿法直接测定其它稀土杂质的高纯Tb4O7中14个稀土杂质元素的ICP MS分析方法。方法检出限为0.003～0.10μg g,加标回收率为86.6%～114%,相对标准偏差为1.1%～18%。方法可满足快速测定99.999%Tb4O7中14个稀土杂质元素的要求。

萃取色谱分离 - 电感耦合等离子体质谱法测定高纯氧化铽中痕量稀土杂质的研究

考察了源于基体Ｔｂ的多原子离子质谱干扰及基体Ｔｂ对稀土杂质测定信号的影响，研究了Ｐ５０７ＨＣｌ萃取色谱体系分离高纯Ｔｂ４Ｏ７基体与痕量稀土杂质的条件，采用Ｒｅ内标补偿直接测定与分离基体后测定相结合的方式，建立了分析高纯Ｔｂ４Ｏ７中痕量稀土杂质的电感耦合等离子体质谱（ＩＣＰＭＳ）法，检出限为５～２１ｎｇ／Ｌ，加标回收率为９０％～１０９％，３次测量的相对标准偏差为１．３％～６．５％，分离周期近９ｈ。方法可用于纯度（质量分数，ｗ）为９９．９９％～９９．９９９９％的Ｔｂ４Ｏ７中痕量稀土杂质的分析。

晶界扩散磁体性能及热场环境下磁畴演变规律的研究

采用Tb4O7作为扩散源对N50磁体进行晶界扩散处理,平行于取向的面扩散后磁体的H_(cj)增加了8.83 kOe,达到22.74 kOe,垂直于取向的面扩散后磁体的H_(cj)增加了8.86 kOe,达到22.77 kOe。通过对磁体的不同位置的H_(cj)进行分析,在距表层500~750μm处获得最大H_(cj)为26.77kOe。对磁体的Tb,Nd和O元素的分布进行分析,发现在表层有较高的O富集,进一步分析发现磁体中的O含量对磁体的微观结构,磁体性能和热稳定性产生了影响,得出控制磁体的O含量是取得晶界扩散良好效果的关键因素。

特高综合磁性能晶界扩散磁体的研究

采用Tb_(4)O_(7), TbHx和Nd_(2)O_(3)+Tb_(4)O_(7)三种扩散源,通过晶界扩散技术制备出特高综合磁性能的钕铁硼磁体,对不同扩散源的扩散效果及扩散机制进行研究。采用TbHx进行晶界扩散,获得综合磁性能(BH)max+Hcj=84.26,矫顽力温度系数为-0.361%·℃^(-1)的最佳钕铁硼磁体,SEM微观结构分析表明TbHx扩散源制备磁体在靠近磁体的表层晶粒形态与中心晶粒一致,晶粒表面平整。