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Ceramic thermal wind sensor based on advanced direct chip attaching package 被引量:1
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作者 周麟 秦明 +1 位作者 陈升奇 陈蓓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第7期107-111,共5页
An advanced direct chip attaching packaged two-dimensional ceramic thermal wind sensor is studied. The thermal wind sensor chip is fabricated by metal lift-off processes on the ceramic substrate. An advanced direct ch... An advanced direct chip attaching packaged two-dimensional ceramic thermal wind sensor is studied. The thermal wind sensor chip is fabricated by metal lift-off processes on the ceramic substrate. An advanced direct chip attaching (DCA) packaging is adopted and this new packaged method simplifies the processes of packaging further. Simulations of the advanced DCA packaged sensor based on computational fluid dynamics (CFD) model show the sensor can detect wind speed and direction effectively. The wind tunnel testing results show the advanced DCA packaged sensor can detect the wind direction from 0° to 360° and wind speed from 0 to 20 m/s with the error less than 0.5 m/s. The nonlinear fitting based least square method in Matlab is used to analyze the performance of the sensor. 展开更多
关键词 advanced direct chip attaching package CFD model ceramic chip thermal wind sensor
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K1-5型外壳共晶贴片热应力研究
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作者 李金龙 江凯 +1 位作者 朱虹姣 邱盛 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第5期930-937,共8页
针对采用10号钢为基材的K1-5型外壳的芯片裂纹问题,对其共晶应力进行了仿真,并尝试对工艺过程进行仿真优化。结果表明,无论采用何种缓慢或快速的散热方式,都不能从根本上改变10号钢与Si芯片因热膨胀系数的巨大差异而导致的热应力。通过... 针对采用10号钢为基材的K1-5型外壳的芯片裂纹问题,对其共晶应力进行了仿真,并尝试对工艺过程进行仿真优化。结果表明,无论采用何种缓慢或快速的散热方式,都不能从根本上改变10号钢与Si芯片因热膨胀系数的巨大差异而导致的热应力。通过比较三种不同的管壳材料可知,以可伐材料为基体的K1-5管壳的共晶热应力最低,为316 MPa,而以10号钢为基体的热应力最高,为19800 MPa,远远超出了硅芯片的极限断裂强度544 MPa。根据应力的基本理论,可伐与Si芯片的热膨胀系数的差异最小,无氧铜次之,而10号钢为最大,这也是以10号钢为基体的K1-5管壳在共晶时芯片开裂的根本原因。将管壳基材更换为可伐材料,仿真分析和实际试验结果均证明该管壳能够有效解决芯片开裂的问题。 展开更多
关键词 微电子封装 共晶贴片 热应力 芯片开裂
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SiC基IGBT高铅焊料芯片固晶层的热冲击失效机理 被引量:1
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作者 杨光 吴丰顺 +4 位作者 周龙早 杨凯 李可为 丁立国 李学敏 《电子工艺技术》 2023年第3期1-5,共5页
目前大功率SiC IGBT器件常用高熔点的高铅焊料作为固晶材料,为保证功率器件的长期使用,需研究温度冲击条件下高铅焊点的疲劳可靠性,并探究其失效机理。采用Pb92.5Sn5Ag2.5作为SiC芯片和基板的固晶材料,探究温度冲击对固晶结构中互连层... 目前大功率SiC IGBT器件常用高熔点的高铅焊料作为固晶材料,为保证功率器件的长期使用,需研究温度冲击条件下高铅焊点的疲劳可靠性,并探究其失效机理。采用Pb92.5Sn5Ag2.5作为SiC芯片和基板的固晶材料,探究温度冲击对固晶结构中互连层疲劳失效的影响。结果表明,温度冲击会促进焊料与SiC芯片背面的Ti/Ni Ag镀层反应生成的块状Ag3Sn从芯片/焊料层界面往焊料基体内部扩散,而焊料与Cu界面反应生成的扇贝状Cu3Sn后形成的富Pb层阻止了Cu和Sn的扩散反应,Cu3Sn没有继续生长。750次温度冲击后,焊料中的Ag与Sn发生反应生成Ag3Sn网络导致焊点偏析,性质由韧变脆,焊点剪切强度从29.45 MPa降低到22.51 MPa。温度冲击模拟结果表明,芯片/焊料界面边角处集中的塑性应变能和不规则块状Ag3Sn导致此处易开裂。 展开更多
关键词 SiC芯片固晶结构 高铅焊料 温度冲击 焊料组织演变
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基于高性能安全存储芯片的SATA通路验证 被引量:1
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作者 常琳琳 于哲 +1 位作者 周舜民 韩林 《计算机系统应用》 2023年第5期338-343,共6页
本文基于UVM验证方法学对自研高性能安全存储SoC芯片系统中SATA通路进行验证,文中对高性能安全存储SoC芯片架构及SATA通路系统工作原理进行说明,以SATA DMA数据传输方式为例介绍了SATA协议链路通信建立及数据传输过程.搭建UVM系统验证平... 本文基于UVM验证方法学对自研高性能安全存储SoC芯片系统中SATA通路进行验证,文中对高性能安全存储SoC芯片架构及SATA通路系统工作原理进行说明,以SATA DMA数据传输方式为例介绍了SATA协议链路通信建立及数据传输过程.搭建UVM系统验证平台,文中对SATA协议进行分析,设计规划系统层面测试用例,编写加载至系统中运行的C固件测试程序,实现对系统应用层面关注的PIO、DMA、NCQ等SATA命令方式数据传输通路的验证.结合具体波形分析,结果表明,SATA通路相关集成设计是合理、满足芯片对SATA数据通路应用需求的,实现了对高性能安全存储SoC芯片系统SATA通路的验证. 展开更多
关键词 UVM SOC SATA数据传输协议 SATA通路 C固件
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基于LTCC基板的X波段四通道T/R组件的设计 被引量:4
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作者 戈江娜 《电子科技》 2016年第6期92-95,99,共5页
介绍了一种X波段四通道T/R组件的设计思路和实现方法。针对组件工作频率高、工作频段宽、通道数多、功能复杂、裸芯片多、重量要求严格等难点,组件采用低温共烧陶瓷设计、MCM设计、新型硅铝盒体材料设计等先进技术,成功研制出了低噪声... 介绍了一种X波段四通道T/R组件的设计思路和实现方法。针对组件工作频率高、工作频段宽、通道数多、功能复杂、裸芯片多、重量要求严格等难点,组件采用低温共烧陶瓷设计、MCM设计、新型硅铝盒体材料设计等先进技术,成功研制出了低噪声、轻质量、功能齐全的小型化四通道T/R组件,该组件工作带宽在X波段达到2 GHz,发射功率达到+41 d Bm,发射效率达到32%,接收噪声系数达到2.5~2.8 d B,移相精度达到20(RMS),整体重量为96 g。组件已实现批量化生产。 展开更多
关键词 LTCC MCM 硅铝材料 芯片自动粘结 自动键合
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PDMS-玻璃微流控芯片上附着态HepG2细胞低温保存条件研究 被引量:2
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作者 周新丽 彭湉 王彪 《制冷学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期159-166,共8页
微流控芯片上细胞样本的低温保存能够显著缩短芯片上细胞实验周期、降低实验成本,有助于芯片上细胞实验的广泛应用。本文对PDMS-玻璃微流控芯片上附着态HepG2细胞的低温保存条件进行了研究,包括降温速率、低温保护剂、低温存储时间及存... 微流控芯片上细胞样本的低温保存能够显著缩短芯片上细胞实验周期、降低实验成本,有助于芯片上细胞实验的广泛应用。本文对PDMS-玻璃微流控芯片上附着态HepG2细胞的低温保存条件进行了研究,包括降温速率、低温保护剂、低温存储时间及存储温度,确定了芯片上附着态HepG2细胞的低温保存方案。结果表明:采用不同的冷却环境、冷却介质,芯片微通道内能够实现0.36~35.12℃/min的降温速率;芯片上附着态HepG2细胞低温保存存在最优降温速率0.5~1.5℃/min;-20℃或液氮表面上方40 cm处冷却环境与-80℃冷却环境组合冻存能够显著提高芯片上冻存7 d的HepG2细胞存活率;体积浓度为20%的DMSO与0.1 mol/L海藻糖联合能够显著提高芯片上冻存HepG2细胞活性。经过上述冻存条件优化后,芯片上附着态HepG2细胞冻存7 d活性超过90%。 展开更多
关键词 微流控芯片 低温保存 附着态HepG2细胞
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采用芯片直接安装技术封装的风速风向传感器
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作者 沈广平 张骅 +2 位作者 吴剑 秦明 黄庆安 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期218-222,共5页
提出一种采用芯片直接安装(Direct chip attach,DCA)技术封装的风速风向传感器的设计,制备和测试结果。该传感器采用圆形结构,利用热温差的方法测量二维风速和风向。其利用两步金属剥离工艺直接将在感风陶瓷基板上芯片制作出传感器芯片... 提出一种采用芯片直接安装(Direct chip attach,DCA)技术封装的风速风向传感器的设计,制备和测试结果。该传感器采用圆形结构,利用热温差的方法测量二维风速和风向。其利用两步金属剥离工艺直接将在感风陶瓷基板上芯片制作出传感器芯片,利用封装胶将优质芯片倒贴在打孔印制电路板上并进行引线键合,用绝热封装胶对芯片进行封包,形成最终的封装。对封装后的传感器芯片进行风洞测试,传感器可以完成360°风向检测,风速量程为6 m/s。 展开更多
关键词 芯片直接安装 风速传感器 风向传感器 微系统封装
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SD大鼠成骨细胞培养方法的改良
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作者 高蔚然 袁亚江 +1 位作者 房师强 梅晰凡 《解剖学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期162-164,194,共4页
目的:建立大鼠成骨细胞的分离、培养方法,并进行改良.方法:分别应用酶消化法、传统的植块法和采用胶原酶消化结合骨片贴附法进行成骨细胞原代培养,通过细胞形态学、Von Kossa钙结节染色和免疫印迹对细胞纯度进行鉴定,通过生长曲线对3... 目的:建立大鼠成骨细胞的分离、培养方法,并进行改良.方法:分别应用酶消化法、传统的植块法和采用胶原酶消化结合骨片贴附法进行成骨细胞原代培养,通过细胞形态学、Von Kossa钙结节染色和免疫印迹对细胞纯度进行鉴定,通过生长曲线对3种方法取得的原代细胞生长情况进行比较.结果:3种培养方式均可获得高纯度成骨细胞,应用胶原酶消化结合骨片贴附法可以长期获得具有稳定生物学特征的成骨细胞.结论:胶原酶消化结合骨片贴附法可以较长期获得高纯度成骨细胞. 展开更多
关键词 成骨细胞 原代培养 胶原酶消化法 骨片贴附法
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阳离子固化环氧固晶胶在LED小芯片封装中的应用 被引量:1
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作者 陈江聪 李秉轩 +1 位作者 李衡峰 张淑娟 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期62-68,共7页
采用差示扫描量热法(DSC)对环氧树脂ERL-4221阳离子聚合固晶胶的反应动力学进行研究,并利用Kissinger模型对非等温数据进行分析。在阳离子固化剂质量分数为1.0%的条件下,该环氧固化体系的表观活化能为81.76 kJ/mol,表明该反应体系在常... 采用差示扫描量热法(DSC)对环氧树脂ERL-4221阳离子聚合固晶胶的反应动力学进行研究,并利用Kissinger模型对非等温数据进行分析。在阳离子固化剂质量分数为1.0%的条件下,该环氧固化体系的表观活化能为81.76 kJ/mol,表明该反应体系在常温下反应速度较慢,具有明显的潜伏特性。利用T-β外推法及等温固化过程确定了体系固化烘烤工艺为105℃(30 min)+170℃(30 min)。同时,采用芯片剪切力测试及分层试验证实了工艺参数的有效性。研究结果可为该固晶胶固化工艺及应用提供理论支撑。 展开更多
关键词 LED封装 小芯片 阳离子固化 反应动力学 固晶胶
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一种基于单片机的自动牵引装置 被引量:1
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作者 刘映群 《仪表技术》 2007年第11期55-56,61,共3页
介绍一种应用在医用治疗仪器中的单片机自动牵引装置电路系统,该装置主要用于腰椎或颈椎骨质增生、间盘突出等疾患者作牵引治疗,也可以研究应用于骨科手术。
关键词 单片机 牵引力 牵引装置
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基于SOPC的嵌入式WTB网络控制节点机的研制 被引量:4
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作者 王建芳 夏清国 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第22期266-268,共3页
探讨一种基于可编程片上系统的嵌入式绞线式列车总线(WTB)网络控制节点机的研制方案。该方案采用FPGA作为核心器件,将Altera的NisoII软核处理器与WTB控制逻辑集成在单片FPGA内,取代了原来的工控节点机和控制部件相组成的方案。减小了产... 探讨一种基于可编程片上系统的嵌入式绞线式列车总线(WTB)网络控制节点机的研制方案。该方案采用FPGA作为核心器件,将Altera的NisoII软核处理器与WTB控制逻辑集成在单片FPGA内,取代了原来的工控节点机和控制部件相组成的方案。减小了产品的体积和重量,降低了硬件开发成本。该文给出了系统的总体设计方案,并分析了测试结果。 展开更多
关键词 可编程片上系统 NIOSII软核处理器 绞线式列车总线 介质附件单元 FPGA
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高功率芯片封装工艺设计的粘接层可靠性评价 被引量:2
12
作者 刘涵雪 刘放飞 +1 位作者 谢劲松 Fei Xie 《电子质量》 2016年第7期25-31,共7页
为解决高功率芯片低成本散热问题,芯片与基板间通过焊料焊接,同时带来不易维护造成芯片失效的潜在问题。该文以工程实际中广泛应用的高功率封装工艺设计为例,针对芯片粘接层上述问题制定了可靠性评价流程,为评价中的每个步骤规范了使用... 为解决高功率芯片低成本散热问题,芯片与基板间通过焊料焊接,同时带来不易维护造成芯片失效的潜在问题。该文以工程实际中广泛应用的高功率封装工艺设计为例,针对芯片粘接层上述问题制定了可靠性评价流程,为评价中的每个步骤规范了使用原则。选取典型的四类粘接材料为例,通过可靠性仿真试验,使用基于能量的Darveaux方法对粘接层裂纹扩展0%、16%、25%时的寿命进行预测。以30%的裂纹扩展长度、500循环周期数作为失效准则,综合考虑材料性能及疲劳寿命预测结果得到材料A,材料S,材料E是较为理想的芯片粘接层候选材料。为高功率芯片封装工艺设计案例提供了芯片粘接层可靠性评价结论。 展开更多
关键词 高功率芯片 封装工艺设计 芯片粘接层 可靠性评价
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SCSP中芯片黏结层在焊接时的可靠性
13
作者 何斌斌 国凤林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期59-62,共4页
提出了一个细观力学模型,该模型同时考虑了热膨胀和蒸汽膨胀对叠层芯片尺寸封装(SCSP)中芯片黏结层变形的影响。当初始温度确定时,由该模型可求得给定温度下芯片黏结层内部的蒸汽压力和孔隙率,从而判断芯片黏结层在焊接回流时的可靠性... 提出了一个细观力学模型,该模型同时考虑了热膨胀和蒸汽膨胀对叠层芯片尺寸封装(SCSP)中芯片黏结层变形的影响。当初始温度确定时,由该模型可求得给定温度下芯片黏结层内部的蒸汽压力和孔隙率,从而判断芯片黏结层在焊接回流时的可靠性。当温度从100℃升高到250℃时,芯片黏结层的饱和蒸汽压、等效弹性模量及孔隙率分别从0.10 MPa、925 MPa、0.030变到了3.98 MPa、10 MPa、0.037。分析表明:饱和蒸汽压和高温下弹性模量的降低,均易导致芯片黏结层材料失效。 展开更多
关键词 叠层芯片尺寸封装(SCSP) 芯片黏结层(DAF) 可靠性
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FOW在叠层CSP封装中的应用 被引量:1
14
作者 张天刚 毛凌锋 《电子与封装》 2009年第11期1-4,11,共5页
随着电子封装微型化、多功能化的发展,三维封装已成为封装技术的主要发展方向,叠层CSP封装具有封装密度高、互连性能好等特性,是实现三维封装的重要技术。针对超薄芯片传统叠层CSP封装过程中容易产生圆片翘曲、金线键合过程中容易出现O... 随着电子封装微型化、多功能化的发展,三维封装已成为封装技术的主要发展方向,叠层CSP封装具有封装密度高、互连性能好等特性,是实现三维封装的重要技术。针对超薄芯片传统叠层CSP封装过程中容易产生圆片翘曲、金线键合过程中容易出现OBOP不良、以及线弧(wire loop)的CPK值达不到工艺要求等问题,文中简要介绍了芯片减薄方法对圆片翘曲的影响,利用有限元(FEA)的方法进行芯片减薄后对悬空功能芯片金线键合(Wirebond)的影响进行分析,Film on Wire(FOW)的贴片(Die Attach)方法在解决悬空功能芯片金线键合中的应用,以及FOW贴片方式对叠层CSP封装流程的简化。采用FOW贴片技术可以达到30%的成本节约,具有很好的经济效益。 展开更多
关键词 有限元 芯片 金线键合 FOW 贴片 MCP CSP
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高频大功率晶体管的失效分析
15
作者 欧叶芳 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第3期24-26,共3页
介绍了对某型号高频大功率晶体管进行的失效分析。分析结果表明器件在寿命试验中发生击穿失效的主要原因是芯片的散热结构存在工艺和设计方面的问题,这也是影响高频大功率工作寿命的主要问题。
关键词 高频大功率晶体管 失效分析 芯片粘接 散热
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贴片设备的关键技术及现状 被引量:7
16
作者 程海林 《电子工业专用设备》 2020年第2期7-11,共5页
贴片机是芯片封装工艺的重要设备,按照应用类型可分为SMT贴片机和先进封装贴片机,其中后者主要应用于近年来快速发展的引线键合工艺和倒装工艺中。介绍了现有贴片机设备的贴装精度、生产率和市场应用情况,归纳了高精度贴片设备开发过程... 贴片机是芯片封装工艺的重要设备,按照应用类型可分为SMT贴片机和先进封装贴片机,其中后者主要应用于近年来快速发展的引线键合工艺和倒装工艺中。介绍了现有贴片机设备的贴装精度、生产率和市场应用情况,归纳了高精度贴片设备开发过程中的关键技术:视觉对位系统、整机结构设计和精密运动控制,并对比分析各技术的优缺点,为国内相关设备的研究和开发提供参考。 展开更多
关键词 贴片机 邦定机 对准 倒装
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IC芯片凸点的制作与可靠性考核
17
作者 况延香 《电子工艺技术》 1999年第6期217-220,共4页
用多种方法制作了Au 凸点、Cu/Au 凸点、Ni/Au 凸点、Cu/Pb - Sn 凸点及C4 凸点等。其中制作的微型Au 凸点直径为10 μm ,间距30 μm ,高度5 ~8 μm ,芯片上微凸点近1 000 个。还对各种不同... 用多种方法制作了Au 凸点、Cu/Au 凸点、Ni/Au 凸点、Cu/Pb - Sn 凸点及C4 凸点等。其中制作的微型Au 凸点直径为10 μm ,间距30 μm ,高度5 ~8 μm ,芯片上微凸点近1 000 个。还对各种不同的制作方法进行了研究,并对芯片凸点的可靠性进行了一定的考核,效果良好。文中给出一组试验芯片的Cu/Pb - Sn 凸点可靠性考核数据:经125 ℃,1 000 h 电老化,其接触电阻变化范围为0 .1 % ~0 .7 % ;经- 55 ℃~+ 125 ℃,1 000 次高低温冲击,其接触电阻也在0 ~0 .7 % 内。而且,经高低温冲击后,仍具有相当高的剪切力:16 个直径200μm 的凸点剪切力最低为17 .5N,最高42 .5 N,平均值为27 .8 N。 展开更多
关键词 芯片凸点 FCB C4技术 DCA IC
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High Electrical and Thermal Conductivity of Nano-Ag Paste for Power Electronic Applications 被引量:4
18
作者 Hong-Qiang Zhang Hai-Lin Bai +3 位作者 Qiang Jia Wei Guo Lei Liu Gui-Sheng Zou 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期1543-1555,共13页
The nano-Ag paste consisted of Ag nanoparticles and organic solvents.These organics would be removed by evaporation or decomposition during sintering.When the sintering temperature was 300℃,the resistivity of sintere... The nano-Ag paste consisted of Ag nanoparticles and organic solvents.These organics would be removed by evaporation or decomposition during sintering.When the sintering temperature was 300℃,the resistivity of sintered bulk was 8.35×10^-6Ωcm,and its thermal conductivity was 247 W m^-1 K^-1.The Si/SiC chips and direct bonding copper(DBC)substrates could be bonded by this nano-Ag paste at low temperature.The bonding interface,sintered microstructure and shear strength of Si/SiC chip attachment were investigated by scanning electron microscopy,transmission electron microscopy and shear tests.Results showed that the sintered Ag layer was porous structure and tightly adhered to the electroless nickel immersion gold surface of DBC substrate and formed the continuous Ag–Au interdiffusion layer.The shear strength of Si and SiC chip attachments was higher than 35 MPa when the sintering pressure was 10 MPa.The fracture occurred inside the sintered Ag layer,and the fracture surface had obvious plastic deformation. 展开更多
关键词 Nano-Ag paste Sintering process Interfacial microstructure chip attachment Shear strength
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