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Measurements of Pulsed 532 nm Laser Breakdown Spectroscopy of Synthesized Magnetite Nanoferrofluid
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作者 Mohammad E. Khosroshahi Maryam Tajabadi 《World Journal of Nano Science and Engineering》 2018年第3期39-55,共17页
We describe the results of 532 nm pulse laser-induced breakdown spectroscopy (LIBS) of two samples of magnetite nanoparticles (SPIONs) nanoferrofluid synthesized at room (S1) and elevated temperatures (S2) and at thre... We describe the results of 532 nm pulse laser-induced breakdown spectroscopy (LIBS) of two samples of magnetite nanoparticles (SPIONs) nanoferrofluid synthesized at room (S1) and elevated temperatures (S2) and at three different laser energy levels and pulse frequency. The size of magnetite nanoparticles, size distribution, magnetic crystalline phase and magnetization were analyzed and measured using transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction spectroscopy (XRD) and vibrating sample magnetometry (VSM). The SPIONs showed a distribution between 4 - 22 nm with a peak about 12 nm and saturation magnetization of about 65 emu/g. The Saha-Boltzmann analysis of spectra for medium energy level (1050 mJ) yields plasma temperatures of (3881 ± 200) K and (26,047 ± 200) K for Fe I and OV as the lowest and highest temperatures respectively. A range of corresponding electron density (Ne-) of (0.47 - 6.80) × 1020, (0.58 - 8.30) × 1020 and (0.69 - 9.96) × 1020 cm-3?were determined at 860, 1050 and 1260 mJ respectively using the estimated CCD pictures. The results confirmed a higher elements ratio for S1 than S2 and the signal intensity indicated a non-linear behaviour as a function of pulse frequency with the maximum ratio value at 3 Hz. At higher frequency of 6 Hz no such turning point was observed. The highest and lowest temperatures corresponded to Fe I and OV respectively. The LIBS technique can be utilized to study, characterize and determine the elements ratio required in most applications involving the synthesizing process. 展开更多
关键词 LASER-INDUCED breakdown Spectroscopy second HARMONIC Generation SPION Nanoferrofluid Elements Ratio
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超快速高压雪崩三极管器件研制 被引量:7
2
作者 刘忠山 杨勇 +2 位作者 马红梅 刘英坤 崔占东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第6期379-382,共4页
采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压... 采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。 展开更多
关键词 雪崩三极管 二次击穿 负阻 MARX电路 超宽带
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电磁脉冲作用下二极管二次击穿电热特性 被引量:5
3
作者 任兴荣 柴常春 +1 位作者 马振洋 杨银堂 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期36-42,共7页
对p-n-n+二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真,研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及端电压和端电流随电磁脉冲作用时间的变化,探索了二次击穿触发温度、触发电流和触发能量随延迟时间的变... 对p-n-n+二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真,研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及端电压和端电流随电磁脉冲作用时间的变化,探索了二次击穿触发温度、触发电流和触发能量随延迟时间的变化规律.研究结果表明,电磁脉冲作用下二极管的二次击穿属于热二次击穿,电流集中并非二次击穿发生的必要条件,触发温度和触发电流随延迟时间的减小而增大,但触发能量则随延迟时间的减小而减小,仿真得到的电磁脉冲损伤能量阈值与实验数据吻合较好. 展开更多
关键词 电磁脉冲 二极管 二次击穿 触发温度 损伤阈值
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nMOSFET X射线辐射影响研究 被引量:3
4
作者 罗宏伟 杨银堂 +1 位作者 恩云飞 朱樟明 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期246-248,245,共4页
介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有... 介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流It2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。 展开更多
关键词 栅接地nMOS ESD 辐射总剂量 开启电压 二次击穿电流 X射线辐射
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典型ESD防护器件失效机理研究 被引量:3
5
作者 王振兴 武占成 +1 位作者 张希军 刘进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期962-967,共6页
瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器... 瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器件存在缺陷的SiO2层会发生自愈性击穿。当器件的pn结发生击穿时,器件将失效。如果两个pn结都被击穿,器件的I-V曲线表现为电阻特性。当TVS器件出现损伤后,器件仍具有箝位作用,且其表现的箝位电压更低,但由于器件的漏电流发生较大的增长,将影响被保护电路的正常工作。 展开更多
关键词 瞬态电压抑制管(TVS) 失效模式 漏电流 二次击穿
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不同栅压下NMOS器件的静电防护性能 被引量:2
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作者 朱科翰 董树荣 +1 位作者 韩雁 杜晓阳 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期141-144,共4页
针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借... 针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借助半导体器件仿真软件ISE-TCAD对器件进行瞬态仿真,得出在不同栅压下的电场强度分布.分析表明,栅压使得电流更趋于表面流动而降低NMOS静电防护器件的二次击穿电流.在设计回跳型栅极耦合NMOS静电防护器件时,辅助触发电路的RC时间常数应该控制在50ns左右. 展开更多
关键词 静电防护 二次击穿电流 传输线脉冲
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GTR的失效分析与快速保护 被引量:2
7
作者 郑学仁 刘百勇 +1 位作者 贺晓龙 吴朝晖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期15-18,共4页
剖析了SQD50AB100型GTR功率模块的失效情况,分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的GTR过流保护电路。该电路使用效果显著,且自成单元,可灵活应用于各种场合。
关键词 功率晶体管 二次击穿 过流保护
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ESD应力下深亚微米GGNMOS二次击穿物理级建模仿真 被引量:3
8
作者 刘瑶 高英俊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期804-808,共5页
基于静电放电(ESD)应力下深亚微米栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)二次击穿的物理特性,将建立的热击穿温度模型、热源模型与温度相关参数模型相结合,提出了一种新的电热模型,并进行了优化。基于这些模型,可仿真出器件的二次击穿电流值It2... 基于静电放电(ESD)应力下深亚微米栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)二次击穿的物理特性,将建立的热击穿温度模型、热源模型与温度相关参数模型相结合,提出了一种新的电热模型,并进行了优化。基于这些模型,可仿真出器件的二次击穿电流值It2(GGNMOS的失效阈值),进而模拟出GGNMOS全工作区域的VD-ID曲线。对两种不同的GGNMOS样品进行模拟仿真,将得到的结果与TLP(传输线脉冲)实验测试的结果相比较,证实了模型的可行性。利用该物理级模型,可快速评估GGNMOS的工艺、版图参数以及脉冲应力宽度对ESD鲁棒性的影响。 展开更多
关键词 GGNMOS 静电放电 电热效应建模 二次击穿电流
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纳米改性变压器油的破坏特性 被引量:41
9
作者 周远翔 王云杉 +5 位作者 田冀焕 沙彦超 姜鑫鑫 高胜友 孙清华 聂琼 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1155-1159,共5页
变压器等输变电主设备的油纸介质已越来越不能满足特高电压等级对大容量、小型化、高可靠性绝缘系统的严格要求。为了解决输电电压等级提高带来的高性能变压器油及油纸绝缘问题,基于纳米改性技术,开展具有优异电气性能的新型纳米油纸复... 变压器等输变电主设备的油纸介质已越来越不能满足特高电压等级对大容量、小型化、高可靠性绝缘系统的严格要求。为了解决输电电压等级提高带来的高性能变压器油及油纸绝缘问题,基于纳米改性技术,开展具有优异电气性能的新型纳米油纸复合绝缘系统的研究。采用变压器油纳米添加改性技术,研究了纳米改性变压器油的制备方法,得到了纳米改性提高变压器油破坏特性的最佳配比,并对纳米改性变压器油在交流、直流、雷电冲击下的破坏特性和局部放电起始电压进行了对比研究。研究发现纳米改性可以提高在较大间隙下变压器油的击穿电压,并且能显著提高其局放起始电压,改善其雷电冲击下50%放电伏秒特性曲线。基于纳米粒子介质球在电场中的极化理论,研究了粒子表面极化电荷密度分布和产生的势阱,并指出纳米粒子界面对载流子的捕获和流注的阻挡作用是较大电极间隙下纳米改性变压器油绝缘性能提高的原因。研究结果说明了纳米改性对于变压器油纸绝缘系统的性能提高提供了新的可能途径。 展开更多
关键词 纳米改性 油纸复合绝缘 变压器油 破坏特性 伏秒特性 极化
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系统级测试下静电防护器件的失效机理分析 被引量:2
10
作者 刘进 陈永光 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第5期698-702,724,共6页
为满足系统级电磁兼容测试标准IEC61000-4-2,许多航空电子设备中都有静电放电(ESD)防护器件,其功能的失效直接影响到被保护电路和整机的安全性。在分析该类器件的失效机理时考虑到典型性,选择双极性ESD防护器件0603ESDA-TR作为受试对象... 为满足系统级电磁兼容测试标准IEC61000-4-2,许多航空电子设备中都有静电放电(ESD)防护器件,其功能的失效直接影响到被保护电路和整机的安全性。在分析该类器件的失效机理时考虑到典型性,选择双极性ESD防护器件0603ESDA-TR作为受试对象,研究了系统级ESD注入对器件性能的影响,并对器件内部温度分布进行了仿真分析。研究表明ESD脉冲注入时雪崩电流在整个pn结面分布不均匀,仅集中在边缘几个点上,局部过热点的温度甚至达到硅熔融温度,将破坏原有的晶格结构,导致器件二次击穿而发生硬损伤。当ESD电压达到25kV后,器件的性能参数开始退化,但反向漏电流几乎不变;连续100次脉冲后器件完全失效。分析后得出的结论是:ESD防护器件遭受系统级静电放电冲击时具有累积效应,其失效是由性能退化引起的,并且传统的漏电流检测无法探测到ESD引起的损伤。 展开更多
关键词 系统级测试 ESD防护器件 性能退化 瞬变电压抑制器 二次击穿
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功率晶体管二次击穿无损测试研究 被引量:1
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作者 农亮勤 韦绍波 《广西民族学院学报(自然科学版)》 CAS 1999年第1期15-19,共5页
根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程,设计出可行的二次击穿无损测试系统。
关键词 晶体管 二次击穿 无损测试 分流保护 功率晶体管
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ESD保护结构设计 被引量:3
12
作者 郑若成 刘澄淇 《电子与封装》 2009年第9期28-30,48,共4页
静电损伤失效可能是热击穿(电流)造成的结或金属布线熔融失效,也可能是强电场(电压)诱发的介质失效,文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD(Electro-Static-Discharge)保护结构的保护机理和失效机理以及工艺和版图上的应对措... 静电损伤失效可能是热击穿(电流)造成的结或金属布线熔融失效,也可能是强电场(电压)诱发的介质失效,文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD(Electro-Static-Discharge)保护结构的保护机理和失效机理以及工艺和版图上的应对措施。保护结构工作时的电流泄放能力决定了其保护能力,这种能力可以通过使泄放电流均匀、优化PN结特性等方面加强。电流泄放的均匀性可以在工艺版图上进行优化,结两侧浓度决定了结的耐受能力和结上的偏压,进而影响器件功耗。另外还提及了保护结构的负面影响以及工艺上的优化方案。 展开更多
关键词 结温 二次击穿电流 均匀放电 工艺 版图
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硅二极管I-V特性及二次击穿计算
13
作者 余稳 蔡新华 《常德师范学院学报(自然科学版)》 2000年第3期31-33,共3页
利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反... 利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。 展开更多
关键词 硅二极管 I-V特性 二次击穿 时域有限差分
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飞秒脉冲激光产生及捕获微气泡的实验研究 被引量:3
14
作者 薛林雁 杨昆 +3 位作者 曹彪 闫惟娜 刘雨航 刘爽 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第4期359-365,共7页
采用高速光学摄像及高频超声成像技术对飞秒脉冲激光在介质水中发生光学诱导击穿的过程进行实验研究.结果表明,光学诱导击穿产生后,在高能激光自聚焦的焦点处产生一系列微气泡,最后只有一个微气泡可以被激光束稳定地捕获,并且这个微气... 采用高速光学摄像及高频超声成像技术对飞秒脉冲激光在介质水中发生光学诱导击穿的过程进行实验研究.结果表明,光学诱导击穿产生后,在高能激光自聚焦的焦点处产生一系列微气泡,最后只有一个微气泡可以被激光束稳定地捕获,并且这个微气泡可以在超声作用下进行非接触式三维操控.进一步分析了沿激光束产生和捕获的微气泡的时空特性以及激光束捕获微气泡的力学特性.实验结果为应用微气泡进行分子水平的靶向性治疗提供了全新的技术手段. 展开更多
关键词 飞秒脉冲激光 光学诱导击穿 微气泡 高速光学摄像 高频超声成像
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D574集成稳压器二次击穿的研究
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作者 韩关云 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第2期87-91,共5页
本文分析了D574集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理,详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。
关键词 集成稳压器 二次击穿 稳压器
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晶体管二次击穿特性研究 被引量:6
16
作者 尹光 周涛 石广源 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第1期30-34,共5页
主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义.
关键词 大功率晶体管 二次击穿 电流集边效应 挖槽
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MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模 被引量:1
17
作者 崔强 韩雁 +2 位作者 董树荣 刘俊杰 斯瑞珺 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期361-364,共4页
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MO... 采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。 展开更多
关键词 MOS 二次击穿 电路级 宏模块 建模
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老炼后真空灭弧室触头表面击穿位置分布研究 被引量:2
18
作者 刘畅 李仁峰 +3 位作者 李小钊 翟小社 张伟 姚晓飞 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期81-86,共6页
文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭弧室触头表面击穿位置分布的影响。采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪(CCD),研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置... 文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭弧室触头表面击穿位置分布的影响。采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪(CCD),研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置的影响。研究结果显示,在纳秒级脉冲电压作用下,真空灭弧室触头间隙击穿后,其击穿位置在触头表面的分布服从高斯概率密度分布;击穿位置在触头表面分布趋向于中心位置;击穿位置随脉冲电压频率的增大而更趋均匀,随脉冲电压幅值的增大而更趋集中,随触头开距的增大而更趋于集中。此外,触头表面不平衡度对脉冲电压击穿位置具有显著影响,随触头表面不平衡度的提升,击穿位置呈加剧集中,且集中点μ趋向于触头边缘间隙h较小的一侧。 展开更多
关键词 真空灭弧室 触头表面 纳秒级连续脉冲 击穿位置
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SCR的I-V曲线中二次崩溃对ESD性能的影响 被引量:1
19
作者 汤培望 《现代电子技术》 2010年第18期1-3,共3页
介绍几种常见的静电放电(ESD)器件,阐述SCR在几种ESD器件中的优点,提出持续改进的SCR器件,比较改进SCR器件的原因和改进之后的效果。对比它和改进前器件的ESD测试数据,集中描述了I-V的二次崩溃曲线出现的原因及其对ESD性能的影响。结果... 介绍几种常见的静电放电(ESD)器件,阐述SCR在几种ESD器件中的优点,提出持续改进的SCR器件,比较改进SCR器件的原因和改进之后的效果。对比它和改进前器件的ESD测试数据,集中描述了I-V的二次崩溃曲线出现的原因及其对ESD性能的影响。结果表明,SCR的二次崩溃曲线对器件的ESD性能有着非常好的效果,它可以在面积相当的情况下,大大改进器件的ESD性能。 展开更多
关键词 静电放电 SCR I-V曲线 二次崩溃
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晶体管的二次击穿及检测 被引量:3
20
作者 王晶霞 王品英 沈源生 《电子与封装》 2011年第11期9-13,共5页
晶体管的二次击穿线是构成其安全工作区(SOA)的重要曲线,作者对该问题进行了多年的探讨和实验。文章详尽地论述了二次击穿的机理是由于电流或电压应力所引起的破坏性结果。简要叙述了芯片材料、制造与组装工艺对二次击穿的影响,指出了... 晶体管的二次击穿线是构成其安全工作区(SOA)的重要曲线,作者对该问题进行了多年的探讨和实验。文章详尽地论述了二次击穿的机理是由于电流或电压应力所引起的破坏性结果。简要叙述了芯片材料、制造与组装工艺对二次击穿的影响,指出了器件的电性能、应用电路以及环境温度与二次击穿的关系,从而为晶体管避免二次击穿提供了方向。最后介绍了一种检测二次击穿的简易方法,并根据所测得的数据描绘了功率晶体管(2SD880、3DD13003)的二次击穿特性曲线。文中还示出了二次击穿造成芯片损伤以及器件发生二次击穿时的曲线照片。 展开更多
关键词 二次击穿 热斑 可调恒流源
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