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Evolution of {001}<110> orientation and related lattice rotation of Al alloy 6111 during rolling 被引量:1
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作者 陈扬 田妮 +2 位作者 赵刚 刘春明 左良 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2007年第3期523-530,共8页
The texture evolution and lattice rotation in Al alloy 6111 with an initial {001} <110> component during symmetrical and asymmetrical rolling were investigated by means of orientation distribution function(ODF).... The texture evolution and lattice rotation in Al alloy 6111 with an initial {001} <110> component during symmetrical and asymmetrical rolling were investigated by means of orientation distribution function(ODF). The results show that the as-rolled initial {001}<110 > entation evolves into not only the copper orientation but also all the other orientations along the β fiber, including the brass orientation, by lattice rotation around special directions. Compared with the symmetrical rolling, the {001}<110 > component in the surface layer on the slower roller side evolves more quickly into the orientations along the β fiber during asymmetrical rolling, while that in the surface layer on the faster roller side evolves more slowly. 展开更多
关键词 铝合金 对称碾压 不对称压制 定位方法
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SnO_(2)(110)/FAPbBrI_(2)(001)界面电子结构与光学性质的第一性原理研究
2
作者 李丽华 周龙杰 +2 位作者 刘硕 王航 黄金亮 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1239-1248,共10页
通过基于密度泛函理论的第一性原理对SnO_(2)(110)/FAPbBrI_(2)(001)界面的电子结构及光学性质进行了研究。FAPbBrI_(2)是带隙值为1.58 eV的直接带隙半导体材料,通过构建SnO_(2)(110)和FAPbBrI_(2)(001)的界面模型,发现其晶格失配率为4.... 通过基于密度泛函理论的第一性原理对SnO_(2)(110)/FAPbBrI_(2)(001)界面的电子结构及光学性质进行了研究。FAPbBrI_(2)是带隙值为1.58 eV的直接带隙半导体材料,通过构建SnO_(2)(110)和FAPbBrI_(2)(001)的界面模型,发现其晶格失配率为4.28%,界面结合能为-0.116 eV/A^(2),说明此界面结构可以稳定存在。通过态密度(DOS)分析SnO_(2)(110)/FAPbBrI_(2)(001)界面的电子结构,发现了主要由界面处O_(2)p、I 5p、Br 4p、Pb 6p轨道电子杂化形成的界面态。差分电荷密度及Bader电荷分析结果说明在界面处存在明显的电荷转移,这促进了界面处原子之间的成键,提高了界面稳定性。同时,有效的电荷分离也使SnO_(2)(110)/FAPbBrI_(2)(001)界面的光吸收系数相比于SnO_(2)(110)表面和FAPbBrI_(2)(001)表面有了明显提升。 展开更多
关键词 第一性原理 钙钛矿材料 SnO_(2)(110)/FAPbBrI_(2)(001)界面 电子结构 光学性质 界面态
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Magnetic properties and structure of (001)-oriented [CoPt/C]_n /Ag nanocomposite films on the glass substrates 被引量:3
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作者 JIN Tao XU Xiaohong WANG Fang LI Xiaoli JIANG Fengxian YANG Zhiguang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第3期265-269,共5页
The highly (1301) oriented triple system of [CoPt/C]n/Ag films was deposited on glass substrates by DC and RF magnetron sputtering. After annealing at 600℃ for 30 min, thin films become magnetically hard with coerc... The highly (1301) oriented triple system of [CoPt/C]n/Ag films was deposited on glass substrates by DC and RF magnetron sputtering. After annealing at 600℃ for 30 min, thin films become magnetically hard with coercivities in the range of 160-875 kA/m because of high anisotropy associated with the L10 ordered phase. C doping plays an important role in improving (001) texture and reducing the intergrain interactions. The oriented growth of CoPt films was influenced strongly by the number of repetitions (n) of CoPt/C. By controlling the C content and the number of repetitions (n) of CoPt/C, nearly perfect (001) orientation can be obtained in the [CoPt3nm/C3nm]5/Ag50 nm. 展开更多
关键词 [CoPt/C]n/Ag multilayer films 001 orientation C content number of repetition
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(001)-oriented FePt/Ag composite films for perpendicular recording 被引量:1
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作者 Wenfeng LIU Fang WANG Xiaohong XU 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期392-396,共5页
FePt/Ag thin films were deposited by magnetron sputtering onto 7059 glass substrates, then were annealed at 550 ℃ for 30 min. Nanostructured FePt/Ag films were successfully obtained with the magnetic easy axis of L10... FePt/Ag thin films were deposited by magnetron sputtering onto 7059 glass substrates, then were annealed at 550 ℃ for 30 min. Nanostructured FePt/Ag films were successfully obtained with the magnetic easy axis of L10 FePt perpendicular to the film plane. It was found that the development of (001) texture depended strongly on the thicknesses of FePt magnetic layer and Ag underlayer. The L10 ordered FePt(15 nm)/Ag(50 nm) with (001) orientation can be obtained. And the perpendicular coercivity of FePt(15 nm)/Ag(50 nm) film reached to 7.2× 10^5 A/m, whereas the longitudinal one was only 3.2×10^4 A/m. The non-magnetic Ag underlayer can not only induce (001) orientation and ordering of FePt grains, but also reduce the intergrain interactions. 展开更多
关键词 FePt/Ag thin films 001 orientation FePt magnetic layer Agunderlayer Intergrain interaction
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[110]取向DD3镍基单晶合金的组织结构及蠕变行为 被引量:3
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作者 于莉丽 田素贵 +1 位作者 于慧臣 钱本江 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S2期40-44,51,共6页
通过蠕变曲线的测定及微观组织观察,研究了[110]取向镍基单晶合金的组织结构与蠕变行为。结果表明,经完全热处理后,合金中立方γ′相沿〈100〉取向规则排列;蠕变期间合金中形成筏状γ′相的取向与应力轴方向成45°角,蠕变后期在近... 通过蠕变曲线的测定及微观组织观察,研究了[110]取向镍基单晶合金的组织结构与蠕变行为。结果表明,经完全热处理后,合金中立方γ′相沿〈100〉取向规则排列;蠕变期间合金中形成筏状γ′相的取向与应力轴方向成45°角,蠕变后期在近断口区域筏状γ′相发生扭折。在1040℃、137MPa条件下,合金在稳态蠕变期间具有较高的应变速率和较短的蠕变寿命,而蠕变期间的变形特征是位错在γ基体通道中滑移和剪切筏状γ′相;其中,γ′相形成筏状结构后,沿与应力轴成45°角的基体通道承受最大剪切应力,使蠕变位错易于在基体通道中滑移,是使合金具有较大应变速率的主要原因。 展开更多
关键词 单晶镍基合金 取向 组织演化 蠕变行为 变形特征
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纳米级半金属薄膜Fe_3O_4(001)的外延生长及晶向测定
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作者 王梅玲 王海 +2 位作者 高思田 宋小平 中川茂树 《化学分析计量》 CAS 2014年第5期19-23,共5页
半金属材料Fe3O4具有理论上100%的自旋极化率,其居里温度高达860 K,具有室温操作的可能。此外,Fe3O4与Mg O晶格具有较低的失配率(0.3%),将二者结合起来有利于磁阻的进一步提高,因此Fe3O4材料成为制备磁阻器件的候选材料。采用对靶磁控... 半金属材料Fe3O4具有理论上100%的自旋极化率,其居里温度高达860 K,具有室温操作的可能。此外,Fe3O4与Mg O晶格具有较低的失配率(0.3%),将二者结合起来有利于磁阻的进一步提高,因此Fe3O4材料成为制备磁阻器件的候选材料。采用对靶磁控溅射的方法,实现了低温制备纳米级别Fe3O4(001)薄膜。利用X射线衍射测量,采用小角掠射(掠射角为2o)、2θ/θ联动模式、步进扫描方式,成功获得其择优取向的图谱。通过XRD与TEM截面样品暗场选区电子衍射相结合的方法,可以定性区分各层薄膜的择优取向。 展开更多
关键词 半金属 (001)择优取向 外延生长 缓冲层
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TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究 被引量:5
7
作者 陈骄 董培涛 +1 位作者 邸荻 吴学忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期185-189,共5页
研究了TMAH溶液中(110)硅片在不同几何形状掩膜窗口下的各向异性湿法腐蚀行为,探讨了(110)硅在TMAH与不同添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)构成的腐蚀系统下的腐蚀特性。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)观测(110)硅的腐蚀坑腔结构,利用扫描探... 研究了TMAH溶液中(110)硅片在不同几何形状掩膜窗口下的各向异性湿法腐蚀行为,探讨了(110)硅在TMAH与不同添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)构成的腐蚀系统下的腐蚀特性。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)观测(110)硅的腐蚀坑腔结构,利用扫描探针显微镜(SPM)测量(110)硅腐蚀的表面粗糙度。结果表明:(110)硅片腐蚀的坑腔结构与掩膜窗口的大小和腐蚀时间有关;在充分腐蚀的情况下,(110)硅片腐蚀的坑腔结构是由四个与表面垂直的(111)面和另外两个与表面成35.26°夹角的(111)面围成的结构;过硫酸铵和异丙醇能显著改善腐蚀表面质量。 展开更多
关键词 湿法各向异性腐蚀 (110)硅 TMAH 过硫酸铵 异丙醇
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(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究 被引量:2
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作者 蔡洪涛 李幸福 +2 位作者 张新安 丁玲红 张伟风 《天中学刊》 2006年第2期25-27,共3页
采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退... 采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退火的薄膜电阻率最小,且电阻率随时间和厚度的增加而变大. 展开更多
关键词 LANIO3 CSD (110)取向 电阻率 XRD
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(110)取向BiFeO3薄膜界面诱导结构特性研究 被引量:3
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作者 冯燕朋 唐云龙 +1 位作者 朱银莲 马秀良 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期680-686,共7页
在正交(010)取向的GdScO3衬底上设计并生长了(110)取向BiFeO3薄膜和PbTiO3/BiFeO3双层膜,并利用像差校正扫描透射电子显微镜对其界面结构进行了细致的研究。发现在BiFeO3/GdScO3界面以上两个单胞范围内BiFeO3的极化消失,可能形成了正交... 在正交(010)取向的GdScO3衬底上设计并生长了(110)取向BiFeO3薄膜和PbTiO3/BiFeO3双层膜,并利用像差校正扫描透射电子显微镜对其界面结构进行了细致的研究。发现在BiFeO3/GdScO3界面以上两个单胞范围内BiFeO3的极化消失,可能形成了正交结构,第3~4个单胞范围的BiFeO3极化由于界面效应而受到一定的抑制;同时发现在PbTiO3/BiFeO3界面附近的PbTiO3面外晶格参数有所减小,这可能与其极化方向转向面内方向有关。 展开更多
关键词 铁电薄膜 BIFEO3 (110)取向 界面结构
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坚持“以人为本、服务至上”高校学生工作理念途径之创新——以江苏技术师范学院学生社区“110”为例
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作者 王志贤 《科技信息》 2008年第33期15-16,共2页
我国高校学生工作要适应新形势的要求,必须在坚持"以人为本、服务至上"高校学生工作理念的基础上进行不断地创新和探索。江苏技术师范学院学生社区"110"是这类探索的一个突出典型。本文介绍了学生社区"110&qu... 我国高校学生工作要适应新形势的要求,必须在坚持"以人为本、服务至上"高校学生工作理念的基础上进行不断地创新和探索。江苏技术师范学院学生社区"110"是这类探索的一个突出典型。本文介绍了学生社区"110"的具体情况,并研究了其可持续发展。 展开更多
关键词 以人为本 服务至上 高校学生工作理念 学生社区“110
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热处理工艺对〈110〉轴向取向Tb-Dy-Fe合金性能与显微组织的影响 被引量:1
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作者 唐海军 张茂才 +1 位作者 高学绪 周寿增 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期44-47,共4页
研究了热处理工艺对<110>轴向取向Tb0.3Dy0.7(Fe1-xMx)1.95(M=Mn,Al,Ti,B,x=0.03)合金磁致伸缩性能与显微组织的影响。实验结果表明,热处理后合金的磁致伸缩应变λ和dλ/dH都显著提高,显微组织由片状晶向多边形晶粒转化,而且富稀... 研究了热处理工艺对<110>轴向取向Tb0.3Dy0.7(Fe1-xMx)1.95(M=Mn,Al,Ti,B,x=0.03)合金磁致伸缩性能与显微组织的影响。实验结果表明,热处理后合金的磁致伸缩应变λ和dλ/dH都显著提高,显微组织由片状晶向多边形晶粒转化,而且富稀土相在样品表面和晶界析出,晶粒内部的富稀土相有球化趋势。合理控制热处理温度和时间可以显著提高该合金的磁致伸缩性能。 展开更多
关键词 金属材料 110〉轴向取向 Tb—Dy—Fe合金 热处理 磁致伸缩应变 显微组织 稀土
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m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文)
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作者 郑剑 张振中 +10 位作者 张吉英 刘益春 王双鹏 姜明明 陈星 李炳辉 赵东旭 刘雷 王立昆 单崇新 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期678-683,共6页
由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬... 由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明:Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、[001]MgZnO‖[1210]sapphire和[110]MgZnO‖[0001]sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。 展开更多
关键词 立方MgZnO (110)取向 日盲紫外探测器 MOCVD
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Highly c-axis Oriented YBCO Thin Films Deposited on Cold Rolling Ag Substrates and Textures of Cold-Rolling and Recrystallization in Ag
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作者 索红莉 周美玲 +4 位作者 翟乐恒 孙灼 徐信夫 韩伟 左铁镛 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1997年第3期61-67,共7页
By selecting flexible polycrystalline Ag as the metallic substrates, highly c axis (001) textured YBCO thin films were fabricated by using a modified magnetron sputtering equipment which can accomplish dynamic de... By selecting flexible polycrystalline Ag as the metallic substrates, highly c axis (001) textured YBCO thin films were fabricated by using a modified magnetron sputtering equipment which can accomplish dynamic deposition and in-situ anneal treatment. The textures of Ag substrates have important effects on forming YBCO films with high critical current densities. Research on the textures of cold rolling Ag at different deformation degrees and recrystallization textures of Ag at different temperatures shows that in plane alignment of YBCO films is difficult to be obtained directly on cold rolling Ag substrates, because of the texture change of Ag during deposition heating of substrates and the strong dependence of J c of YBCO films on grain boundary misorientation angle of substrates. The recrystallization textures with cube (001) and rotated cube (001) in Ag were obtained. Experiments offer a possible prospect for the further research of fabricating sharp biaxially texture in Ag and the following deposition of high J c YBCO films directly on it. 展开更多
关键词 oriented YBCO films Cold rolling textures RECRYSTALLIZATION Cube textures (001)
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[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型 被引量:5
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作者 王冠宇 马建立 +2 位作者 张鹤鸣 王晓艳 王斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期567-572,共6页
本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单... 本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型.本文的研究方法亦适用于建立(001)面任意应力方向上的应变Si本征载流子浓度模型,并为相关单轴应变Si器件的设计、建模以及仿真提供了一定的理论参考. 展开更多
关键词 /(001)单轴应变si 有效态密度 本征载流子浓度
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伊吾Eucrite陨石的岩石学、矿物学特征及其成因
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作者 高天静 冯彩霞 +2 位作者 宋光明 刘燊 李世杰 《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期2901-2908,共8页
Howardite-Eucrite-Diogenite(HED)族陨石是地球上目前发现数量最多的无球粒陨石类型,已发现的HED族陨石主要来自于南极和非洲西北部的沙漠,本研究的HED族陨石国际命名为Yiwu 001,发现于中国新疆维吾尔自治区伊吾县境内。系统的矿物学... Howardite-Eucrite-Diogenite(HED)族陨石是地球上目前发现数量最多的无球粒陨石类型,已发现的HED族陨石主要来自于南极和非洲西北部的沙漠,本研究的HED族陨石国际命名为Yiwu 001,发现于中国新疆维吾尔自治区伊吾县境内。系统的矿物学和岩石学研究显示,该陨石属于单矿物碎屑角砾岩Eucrite,主要矿物为易变辉石(38%)、普通辉石(8%)和斜长石(46%),副矿物主要为二氧化硅、陨硫铁、铬铁矿、钛铁矿。根据主要矿物的粒径,对该陨石开展了区域划分:粗粒、细粒和极细粒,辉石对应的粒径均值分别为550μm、100μm和60μm。粗粒和部分细粒区域具次辉绿结构,细粒和极细粒区域发育麻粒结构。陨石中细粒玄武岩包裹着以椭球体为主的粗粒和拉长的极细粒玄武岩,极细粒玄武岩呈定向构造。Yiwu 001陨石原岩可能为内含粗粒玄武岩捕虏体的玄武岩,定向构造指示可能发生过近静态的部分熔融。该陨石在晚期经历了复杂的热变质作用,为5型变质类型,主要表现在出溶辉石条带、麻粒结构和三联点结构。 展开更多
关键词 钙长辉长无球粒陨石 伊吾001陨石 沙漠陨石 定向构造 热变质
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Effect of Sc and Zr on the in-plane anisotropy of Al-Mg-Mn alloy sheets 被引量:6
16
作者 PENG Yongyi YIN Zhimin +1 位作者 YANG Jin DU Yuxuan 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第3期229-234,共6页
The Al-Mg-Mn alloy sheets with and without trace Sc and Zr were investigated by means of tensile test,X-ray diffraction,optical microscope,and transmission electron microscope.The indexes of in-plane anisotropy(IIPA)o... The Al-Mg-Mn alloy sheets with and without trace Sc and Zr were investigated by means of tensile test,X-ray diffraction,optical microscope,and transmission electron microscope.The indexes of in-plane anisotropy(IIPA)of their tensile mechanical properties were calculated and their inverse pole figures were obtained by Harris method.The two alloy sheets have the same law of in-plane anisotropy and remarkable in-plane anisotropy of mechanical properties,and the IIPA of the alloy sheet with Sc and Zr is bigger than that of the alloy sheet without Sc and Zr.The relationships of the in-plane anisotropy and the anisotropy of the crystallographic texture were analyzed based on the model of monocrystal.It is the common action of the anisotropy of crystallography and microstructures that causes the in-plane anisotropy of their mechanical properties,but the major cause is the{110}〈112〉crystallographic texture.The trace Sc and Zr can promote the formation and stabilization of the{110}〈112〉texture,inhibit the formation of the{100}〈001〉texture,and increase the in-plane anisotropy of the alloy sheet containing trace Sc and Zr. 展开更多
关键词 in-plane anisotropy A1-Mg-Mn SC ZR inverse pole figure {110}〈112〉texture {100}〈001〉texture
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Microstructures and magnetic properties of [SiO_2/FePt]_5/Ag thin films 被引量:2
17
作者 范九萍 许小红 +2 位作者 江凤仙 田宝强 武海顺 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2008年第1期11-14,共4页
[SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied... [SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied to study the magnetic properties and microstructures of the films. The results show that without Ag underlayer [SiO2/FePt]5 films deposited onto the glass are FCC disordered; with the addition of Ag underlayer [SiO]FePt]5/Ag films are changed into L10 and (111) mixed texture. The variation of the SiO2 nonmagnetic layer thickness in [SiO2/FePt]5/Ag films indicates that SiO2-doping plays an important role in improving the order parameter and the perpendicular magnetic anisotropy, and reducing the grain size and intergrain interactions. By controlling SiO2 thickness the highly perpendicular magnetic anisotropy can be obtained in the [SiO2 (0.6 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films and highly (001)-oriented films can be obtained in the [SiO2 (2 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films. 展开更多
关键词 [SiO2/FePt]5 multilayer films SiO2-doping Ag underlayer 001 orientation
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A 150%enhancement of PMOSFET mobility using hybrid orientation 被引量:1
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作者 唐昭焕 谭开洲 +8 位作者 崔伟 张静 钟怡 徐世六 郝跃 张鹤鸣 胡辉勇 张正璠 胡刚毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第6期20-23,共4页
A high-performance PMOSFET based on silicon material of hybrid orientation is obtained.Hybrid orientation wafers,integrated by(100) and(110) crystal orientation,are fabricated using silicon-silicon bonding, chemic... A high-performance PMOSFET based on silicon material of hybrid orientation is obtained.Hybrid orientation wafers,integrated by(100) and(110) crystal orientation,are fabricated using silicon-silicon bonding, chemical mechanical polishing,etching silicon and non-selective expitaxy.A PMOSFET with W/L = 50μm/8μm is also processed,and the measured results show that the drain-source current and peak mobility of the PMOSFET are enhanced by up to 50.7%and 150%at V_(gs) =-15 V and V_(ds) =-0.5 V,respectively.The mobility values are higher than that reported in the literature. 展开更多
关键词 hybrid orientation non-selective expitaxy carrier mobility (110 crystal orientation PMOSFET chemical mechanical polishing
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Study of hybrid orientation structure wafer
19
作者 谭开洲 张静 +4 位作者 徐世六 张正璠 杨永晖 陈俊 梁涛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期21-23,共3页
Two types of 5μm thick hybrid orientation structure wafers,which were integrated by(110)or(100) orientation silicon wafers as the substrate,have been investigated for 15-40 V voltage ICs and MEMS sensor applicati... Two types of 5μm thick hybrid orientation structure wafers,which were integrated by(110)or(100) orientation silicon wafers as the substrate,have been investigated for 15-40 V voltage ICs and MEMS sensor applications.They have been obtained mainly by SOI wafer bonding and a non-selective epitaxy technique,and have been presented in China for the first time.The thickness of BOX SiO2 buried in wafer is 220 nm.It has been found that the quality of hybrid orientation structure with(100)wafer substrate is better than that with(110)wafer substrate by"Sirtl defect etching of HOSW". 展开更多
关键词 HOT SOI (110)crystal orientation 15-40 V ICs MEMS sensor
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交叉深沟槽硅外延的生长研究
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作者 倪立华 范晓 +2 位作者 王函 张召 李佳龙 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第6期515-520,共6页
随着先进半导体器件需求的不断提升,深沟槽硅外延已逐渐代替传统离子注入工艺成为器件开发的新方向,由于受晶向的影响,硅外延生长质量存在极大差异。通过<100>和<110>两种晶向硅片在交叉深沟槽中的外延生长,采用SEM和TEM分... 随着先进半导体器件需求的不断提升,深沟槽硅外延已逐渐代替传统离子注入工艺成为器件开发的新方向,由于受晶向的影响,硅外延生长质量存在极大差异。通过<100>和<110>两种晶向硅片在交叉深沟槽中的外延生长,采用SEM和TEM分析了硅外延生长形貌和质量,运用TCAD模拟验证该结构下的外延生长机理,同时采用暗场扫描(DFI)和表面刻蚀方法检测硅片表面缺陷。结果表明硅晶向对交叉深沟槽外延的生长质量有重要影响,<100>硅片在交叉区域外延形成的{110}面和{111}面多,容易产生位错缺陷,而<110>硅片相比<100>硅片转向了45°,外延中形成的{110}面和{111}面减少了一半,从而外延质量改善明显。 展开更多
关键词 <110>晶向 交叉深沟槽 硅外延 晶格位错
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