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吊顶窑用α-SiC结合SiC拱顶砖的服役行为研究
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作者 董建存 万龙刚 +5 位作者 郑翰 相宇博 张新华 马昭阳 王建波 吴吉光 《耐火材料》 CAS 北大核心 2023年第3期231-235,共5页
为解决燃气吊顶窑拱顶用耐火材料的污染和膨胀问题,以碳化硅颗粒和细粉为主要原料,水溶性树脂为结合剂,依次按三者质量比为65∶35∶4.5配料,机压成型为240 mm×170 mm×140 mm的坯体,在2400℃真空条件下保温3 h制备了α-SiC结合... 为解决燃气吊顶窑拱顶用耐火材料的污染和膨胀问题,以碳化硅颗粒和细粉为主要原料,水溶性树脂为结合剂,依次按三者质量比为65∶35∶4.5配料,机压成型为240 mm×170 mm×140 mm的坯体,在2400℃真空条件下保温3 h制备了α-SiC结合SiC砖。将该砖用于国内某氧化铝陶瓷棍棒公司的燃气吊顶窑拱顶,累计使用46窑次(合计276 h)后,该砖断裂严重。为此,对用后砖进行取样,借助热力学分析,检测了其距热面不同距离处的性能,分析物相组成和显微结构,并与原砖进行对比。结果表明:1)用后α-SiC结合SiC砖比原砖的显气孔率降低,体积密度增大,因为用后砖中生成了12%~14.2%(w)的方石英,由α-SiC结合转变为方石英结合,气孔孔径变小。2)用后砖与原砖比,常温抗折强度和荷重软化开始温度变化不大,推测材料断裂不是自身力学性能失效所致,而是因温度升降而频繁受到剪切力引起。 展开更多
关键词 吊顶窑 拱顶 碳化硅砖 α-sic 氧化 服役行为
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α-SiC的粒度对铜基摩擦材料摩擦磨损性能的影响 被引量:16
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作者 孟康龙 姚萍屏 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2010年第3期294-299,共6页
选取粒度为1μm和10μm的立方型6Hα-SiC陶瓷颗粒,制备含碳化硅陶瓷颗粒的铜基粉末冶金摩擦材料。通过扫描电镜(SEM)观察分析该材料的摩擦表面和亚表面的显微组织形貌,研究α-SiC粒度对铜基摩擦材料摩擦磨损性能的影响。结果表明:α-Si... 选取粒度为1μm和10μm的立方型6Hα-SiC陶瓷颗粒,制备含碳化硅陶瓷颗粒的铜基粉末冶金摩擦材料。通过扫描电镜(SEM)观察分析该材料的摩擦表面和亚表面的显微组织形貌,研究α-SiC粒度对铜基摩擦材料摩擦磨损性能的影响。结果表明:α-SiC陶瓷颗粒的加入可显著降低铜基摩擦材料的磨损,并能有效抑制材料缺陷源处微裂纹的萌生和扩展。SiC陶瓷颗粒的粒度对铜基摩擦材料机械混合层的形貌和抵抗摩擦过程中剪切变形的能力有显著影响,10μmα-SiC陶瓷颗粒能有效强化基体,显微硬度较不含α-SiC的材料提高1倍以上,表现出较优异的摩擦磨损性能,摩擦因数和摩擦因数稳定性最高,分别为0.31和0.58,磨损量最小。 展开更多
关键词 粉末冶金 摩擦材料 α-sic 亚表面
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制备重结晶碳化硅用α-SiC微粉的表面改性 被引量:1
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作者 孟昭 杜珊 张向涛 《耐火材料》 CAS 北大核心 2011年第6期430-432,共3页
将聚醚改性聚二甲基硅烷(PMPDMS)与α-SiC微粉按一定比例充分混合,于120℃烘干12 h后碾碎,放入刚玉坩埚内,在N2保护下以一定的加热制度进行热处理,然后分析其相组成、比表面积、烧结块密度及其显微结构的变化;同时以B4C微粉取代α-SiC... 将聚醚改性聚二甲基硅烷(PMPDMS)与α-SiC微粉按一定比例充分混合,于120℃烘干12 h后碾碎,放入刚玉坩埚内,在N2保护下以一定的加热制度进行热处理,然后分析其相组成、比表面积、烧结块密度及其显微结构的变化;同时以B4C微粉取代α-SiC微粉做同样处理后进行XRD和SEM分析,以确定包覆在B4C微粉表面的PMPDMS在热处理过程中是否生成了β-SiC。结果表明:1)包覆在B4C微粉表面的PMPDMS在试验确定的热处理条件下可以生成β-SiC;2)表面改性后α-SiC微粉相组成发生一定改变,比表面积增大,用其制成的烧结块的密度增大,显微结构更加致密,表明其烧结活性增强。 展开更多
关键词 重结晶碳化硅 α-sic 表面改性 聚醚改性聚二甲基硅烷(PMPDMS)
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α-SiC粉体化学镀铜及其对铁基复合材料性能的影响 被引量:5
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作者 种详远 甄明晖 +3 位作者 仇溢 宗亚平 曹新建 张跃波 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期244-249,共6页
目的优化α-SiC颗粒化学镀铜工艺,改善α-SiC/Fe之间的界面浸润性和匹配性,提高α-SiC/Fe复合材料的力学性能。研究α-SiC粒径大小和镀液工艺对镀铜的影响以及镀铜对α-SiC/Fe复合材料力学性能的影响。方法在对α-SiC颗粒粗化、敏化和... 目的优化α-SiC颗粒化学镀铜工艺,改善α-SiC/Fe之间的界面浸润性和匹配性,提高α-SiC/Fe复合材料的力学性能。研究α-SiC粒径大小和镀液工艺对镀铜的影响以及镀铜对α-SiC/Fe复合材料力学性能的影响。方法在对α-SiC颗粒粗化、敏化和活化后,采用化学镀覆的方式对5、10、15、20μm四种不同粒径的α-SiC进行表面镀铜。采用SEM和XRD对镀层的表面形貌和物相进行表征,采用SEM对α-SiC/Fe复合材料的显微组织进行观察。结果 4种粒径的α-SiC表面都成功地镀上了铜,且α-SiC颗粒粒径越小,表面积越大,镀速越高。确定了化学镀液的最佳工艺:温度65℃,溶液pH值9~11,SnCl_2加入量9 g/L,Pd Cl2加入量1.5 g/L。镀层形貌为凹凸不平的铜粒子集合体,物相为α-SiC、Cu和少量的Cu_2O。5、10、15、20μm的α-SiC颗粒镀铜提高了α-SiC/Fe复合材料的致密度、抗拉强度和延伸率,镀铜后致密度分别提高了0.62%、0.73%、0.95%、1.06%,抗拉强度分别提高了5.58%、10.97%、11.63%、13.02%,延伸率分别提高了6.35%、12.35%、10.19%、10.37%。结论α-SiC的粒径和镀液工艺显著地影响着镀速和镀层形貌。镀铜能够有效地改善α-SiC/Fe复合材料的界面缺陷,提高其力学性能。 展开更多
关键词 α-sic颗粒 化学镀铜 镀速 镀层 铁基复合材料 力学性能
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HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究 被引量:1
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作者 颜官超 丁斯晔 +3 位作者 朱晓东 周海洋 温晓辉 丁芳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期326-329,共4页
本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃... 本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。 展开更多
关键词 α-sic 纳米 HMDSO
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高纯度α-SiC粉料的合成 被引量:1
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作者 张皓 王英民 +1 位作者 陈建丽 孟大磊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第10期779-782,807,共5页
为获得高纯半绝缘(HPSI)SiC生长用粉料,采用自蔓延高温合成(SHS)法获得了高纯度α-SiC粉料。在合成小粒径β-SiC粉料基础上,对粉料进行物理破碎,通过二次合成,经高温相转变和再结晶过程得到大粒径α-SiC粉料。利用X射线衍射(XRD)、辉光... 为获得高纯半绝缘(HPSI)SiC生长用粉料,采用自蔓延高温合成(SHS)法获得了高纯度α-SiC粉料。在合成小粒径β-SiC粉料基础上,对粉料进行物理破碎,通过二次合成,经高温相转变和再结晶过程得到大粒径α-SiC粉料。利用X射线衍射(XRD)、辉光放电质谱(GDMS)、二次离子质谱(SIMS)、扫描电子显微镜(SEM)和激光粒度仪等测试手段对合成的粉料进行了表征和分析,并对使用该方法合成的SiC粉料进行了单晶生长验证,通过SIMS和非接触式电阻率测试仪等对SiC单晶的杂质浓度、电阻率等参数进行了测试。结果表明,增加破碎工艺环节后合成的α-SiC粉料N杂质浓度小于1.0×10^(16) cm^(-3),但粒径更大(平均值为1 853μm,中位径为1 851μm)、游离C质量分数更低(<0.01%)。采用高纯度α-SiC粉料减少了晶体内包裹物,有助于提高SiC晶体质量。 展开更多
关键词 高纯半绝缘(HPSI) 游离C α-sic 自蔓延高温合成(SHS)法 高纯度
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在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜 被引量:14
7
作者 王玉霞 温军 +4 位作者 郭震 汤洪高 黄继颇 王连卫 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期570-575,共6页
报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、... 报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波发光性质 . 展开更多
关键词 准分子 激光淀积 碳化硅 薄膜
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静电摄影用新型α-SiC:H感光体
8
作者 王永瑜 《感光材料》 北大核心 1991年第2期22-24,27,共4页
1.前言1987年出现的α-SiC:H感光体与80年代初出现的α-Si:H感光体相比,具有在可见光区光敏性高、表面硬度大、热稳定好、无毒;而且还具有电阻率高、易于保存表面电荷、淀积率高、成膜速度快(10μm/小时)等优点。因此,它不仅作为感光体... 1.前言1987年出现的α-SiC:H感光体与80年代初出现的α-Si:H感光体相比,具有在可见光区光敏性高、表面硬度大、热稳定好、无毒;而且还具有电阻率高、易于保存表面电荷、淀积率高、成膜速度快(10μm/小时)等优点。因此,它不仅作为感光体的表面保护层(SPL),而且。 展开更多
关键词 感光材料 α-sic:H 静电摄影
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α-SiC超细微粉的研制
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作者 包华 陈锋 +2 位作者 汪雅君 樊宏 李素平 《磨料磨具与磨削》 CAS 1995年第3期36-39,共4页
本文以传统的微粉制造工艺为基础,经过研究,制备出高性能的α-SiC超细微粉。通过试验正确地制订出球磨粉碎工艺和分选工艺,并采用所设计的快速脱水装置,提引超细微粉制作的效率。
关键词 超细微粉 球磨 分选 碳化硅
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nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性 被引量:1
10
作者 马蕾 蒋冰 +2 位作者 陈乙豪 沈波 彭英才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第13期327-333,共7页
利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显... 利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向.傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C形成.对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低.而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变. 展开更多
关键词 α-Si H α-sic H多层膜 光吸收边蓝移 量子限制效应
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热压烧结α-SiC陶瓷基复合材料力学性能的研究 被引量:1
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作者 马静梅 宋健 +3 位作者 刘惠莲 华中 肖利 郭丽 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2014年第3期41-43,47,共4页
以α-SiC为原始粉体,采用1 800℃热压烧结工艺制备了BAS/SiC复合材料.利用阿基米德排水法、XRD、SEM、三点弯曲和单边切口梁法等分析测试手段研究了复合材料的致密度、物相组成、断口形貌及室温力学性能.实验结果表明,随着BAS含量的增加... 以α-SiC为原始粉体,采用1 800℃热压烧结工艺制备了BAS/SiC复合材料.利用阿基米德排水法、XRD、SEM、三点弯曲和单边切口梁法等分析测试手段研究了复合材料的致密度、物相组成、断口形貌及室温力学性能.实验结果表明,随着BAS含量的增加,复合材料的致密度增大,其相应的力学性能也有很大的提高.而复合材料的物相不受BAS含量的影响,只有六方BAS和α-SiC两相组成. 展开更多
关键词 热压烧结 α-sic BAS 力学性能
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α-Al_2O_3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长 被引量:2
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作者 康朝阳 刘忠良 +3 位作者 唐军 陈香存 徐彭寿 潘国强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期308-312,共5页
采用固源分子束外延(SSMBE)技术,在α-Al2O3(0001)衬底上直接制备出了SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、Raman光谱、X射线扫描、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)等实验技术,对生长的样品的结构和结晶质量进行了表... 采用固源分子束外延(SSMBE)技术,在α-Al2O3(0001)衬底上直接制备出了SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、Raman光谱、X射线扫描、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)等实验技术,对生长的样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明:在蓝宝石衬底上生长出了结晶性能良好的6H-SiC薄膜,且薄膜中存在较小的压应力,这种压应力是由薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异所致。 展开更多
关键词 SIC薄膜 蓝宝石衬底 固源分子束外延
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α+β-Sialon-SiC_(pl)复合材料的制备与力学性能 被引量:1
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作者 魏涛 周玉 +1 位作者 雷廷权 王玉金 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期44-47,51,共5页
用热压法制备了添加SiC板粒(SiCpl)的α+βSialon复合材料,并考察了其力学性能,分析了SiCpl的增韧机制。结果表明,随SiCpl含量的增加,材料的致密度下降,基体Sialon中的α相含量增加,复合材料的维氏硬度及弹性模量随SuCpl含量... 用热压法制备了添加SiC板粒(SiCpl)的α+βSialon复合材料,并考察了其力学性能,分析了SiCpl的增韧机制。结果表明,随SiCpl含量的增加,材料的致密度下降,基体Sialon中的α相含量增加,复合材料的维氏硬度及弹性模量随SuCpl含量的增加而增大,SiCpl含量增加提高了材料的断裂韧性而降低了抗弯强度。 展开更多
关键词 陶瓷基 复合材料 力学性能 碳化硅
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Fabrication and evaluation of high-performance 3D interpenetrated network structures SiC/Al composites with high-purity plate-like a-SiC framework
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作者 Jiawei Xie Jinhui Zou +6 位作者 Liangcheng Tong Syieluing Wong Xin Guo Hang Qin Pengzhao Gao Wenming Guo Hanning Xiao 《Journal of Materiomics》 SCIE CSCD 2024年第2期499-510,共12页
To reinforce compatibility with the thermophysical and mechanical properties of SiC/Al composites for electronic packaging to improve the stability and reduce fatigue failure of electronic integrated devices,a novel 3... To reinforce compatibility with the thermophysical and mechanical properties of SiC/Al composites for electronic packaging to improve the stability and reduce fatigue failure of electronic integrated devices,a novel 3D SiC reinforced framework with interpenetrated plate-like a-SiC grains was synthesized.A small amount of doped a-SiC was seeded to induce the transformation of b-SiC to plate-like a-SiC at 2,300℃,forming a high-purity a-SiC strongly bonded framework.Vacuum/gas pressure infiltration of Al alloy was subsequently used to manufacture the 3D interpenetrated network structure SiC/Al(SiC3D/Al)composite.Characterization results showed that 15%(in mass)seeds provided the composite with the optimal comprehensive performance,including a low coefficient of thermal expansion(CTE)of 5.54×10^(-6)K^(-1),a high thermal conductivity(l)of 239.08 W·m^(-1)·K^(-1),the highest flexural strength of 326.84 MPa,and a low thermal deformation parameter(TDP)of 0.023.High-purity plate-like grains enhanced the purity of the framework promoting a significant improvement in l.As the seed content increased to 20%(in mass),both CTE and l reached optimal values of 5.22×10^(-6)K^(-1)and 243.14 W·m^(-1)·K^(-1),but the mechanical properties declined by 10.30%.The synergistic effect of the well-bonded interface and the high-purity 3D SiC framework balanced excellent mechanical properties and multiple thermal functions. 展开更多
关键词 α-sic seed Phase transformation Thermophysical properties SiC_(3D)/Al composites Electronic packaging
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半导体碳化硅的研究现状与应用前景 被引量:4
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作者 李玉增 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期204-210,217,共8页
综述了碳化硅的的结构、性能与应用现状;讨论了原子层外延法生长β-SiC薄膜及液相外延法制备蓝色α-SiC发光管工艺,展望了半导体碳化硅材料的发展前景。
关键词 碳化硅材料(α-sic β-sic) 原子层外延(ALE) 蓝色发光管(LED) 液相外延(LPE)
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莫来石结合刚玉-碳化硅质浇注料的组成与性能 被引量:5
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作者 张战营 李再耕 孙承绪 《耐火材料》 CAS 北大核心 2000年第6期328-330,共3页
研究了莫来石结合刚玉 -碳化硅质浇注料的组成和性能的关系。借助SEM分析了浇注料的显微结构。掺入适当比例的氧化铝微粉和氧化硅微粉 ,有利于系统中二次莫来石的反应生成 ,可以改善浇注料的性能。
关键词 莫来石 浇注料 组成 性能 刚玉 碳化硅质
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改进α-碳化硅防晕体系防晕性能的研究 被引量:2
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作者 于开坤 宁叔帆 +2 位作者 赵丽华 刘斌 陈寿田 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2004年第4期20-22,共3页
为开发优良的防电晕材料,利用电阻率较小、非线性系数较大的β-碳化硅(β-SiC)加入α-碳化硅(α-SiC)防晕体系,结果表明随加入量的增加,电阻率降低,从不掺杂β-SiC时的7.89×107Ω·m,降低至β-SiC掺入量为7.5%时的1.34×10... 为开发优良的防电晕材料,利用电阻率较小、非线性系数较大的β-碳化硅(β-SiC)加入α-碳化硅(α-SiC)防晕体系,结果表明随加入量的增加,电阻率降低,从不掺杂β-SiC时的7.89×107Ω·m,降低至β-SiC掺入量为7.5%时的1.34×107Ω·m,而非线性系数增加,从不掺杂β-SiC时的1.527提高至β-SiC掺入量为7.5%时的1.695,该防晕体系用于大电机定子线棒时,起晕电压提高了353%,达到了实际应用的要求。 展开更多
关键词 α-碳化硅 β-碳化硅 防电晕材料 起晕电压 非线性系数
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硅钙合金混合加料法生产过程中炉底上涨问题的研究 被引量:3
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作者 郭映波 储少军 +2 位作者 王玉刚 戴建华 李忠思 《铁合金》 北大核心 2003年第1期1-7,共7页
通过3.2 MVA硅钙矿热炉炉体的解剖与取样检测,初步探明混合加料法生产硅钙合金过程中炉内碳化硅的形貌变化和生成规律。参与硅钙合金生成反应的中间产物α-SiC未完全消耗,在炉内逐步积累,构成了炉缸内堆积物的主体,造成炉底上涨。确定... 通过3.2 MVA硅钙矿热炉炉体的解剖与取样检测,初步探明混合加料法生产硅钙合金过程中炉内碳化硅的形貌变化和生成规律。参与硅钙合金生成反应的中间产物α-SiC未完全消耗,在炉内逐步积累,构成了炉缸内堆积物的主体,造成炉底上涨。确定炉内合理的硅钙矿热炉电气参数和调整炉料结构——“物理配碳”,是延长混合加料法硅钙合金生产周期的重要技术措施。 展开更多
关键词 硅钙合金 混合加料法 炉底上涨 矿热炉 o-碳化硅 碳热还原 物理配碳
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用金尾矿合成Ca-α-SiAlON/SiC粉体 被引量:1
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作者 仉小猛 徐利华 +3 位作者 郝洪顺 刘明 何芳 郭玉娟 《金属矿山》 CAS 北大核心 2008年第10期145-148,共4页
以河南灵宝金矿尾矿为主要原料,配入适量硅砂和分析纯CaO调整组分,利用碳热还原氮化法合成Ca-α-SiAlON/SiC粉。结果表明:Ca-α-SiAlON的形成与体系温度及CaO掺量有关。随反应温度升高,反应产物依次为SiC、α-Si3N4、β-Si3N4和Ca-α-Si... 以河南灵宝金矿尾矿为主要原料,配入适量硅砂和分析纯CaO调整组分,利用碳热还原氮化法合成Ca-α-SiAlON/SiC粉。结果表明:Ca-α-SiAlON的形成与体系温度及CaO掺量有关。随反应温度升高,反应产物依次为SiC、α-Si3N4、β-Si3N4和Ca-α-SiAlON,α-Si3N4、β-Si3N4和SiC是合成Ca-α-SiAlON的中间产物。在烧结温度为1 600℃,保温时间为5 h,CaO按化学计量(4.2%)配入的条件下,可获得良好的Ca-α-SiAlON和SiC复合产物,其中Ca-α-SiAlON相对比例约占72%,形貌为柱状晶。 展开更多
关键词 金矿尾矿 Ca-α-SiAION/SiC 碳热还原氮化法 烧结温度 CaO掺量
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α-Al_2O_3填料添加量对单向碳化硅纤维增强磷酸铝基复合材料性能的影响 被引量:4
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作者 王新鹏 田莳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期113-116,共4页
研究了α-Al2O3填料添加量对单向碳化硅纤维增强磷酸铝基复合材料力学性能以及介电性能的影响,并且通过扫描电镜对复合材料的微观形貌进行了分析。结果表明,α-Al2O3填料的添加量对碳化硅纤维增强磷酸铝基复合材料的力学性能和介电性能... 研究了α-Al2O3填料添加量对单向碳化硅纤维增强磷酸铝基复合材料力学性能以及介电性能的影响,并且通过扫描电镜对复合材料的微观形貌进行了分析。结果表明,α-Al2O3填料的添加量对碳化硅纤维增强磷酸铝基复合材料的力学性能和介电性能均有显著的影响。随着α-Al2O3加入量的增大,复合材料的体积密度增大、相对介电常数逐渐增大、介电损耗逐渐减小。当α-Al2O3的加入量NP/Al(P/Al摩尔比)=0.8时,复合材料具有最大的弯曲强度,此时复合材料的相对介电常数为4.40,介电损耗为0.1196。 展开更多
关键词 α-Al2O3填料 磷酸铝 碳化硅纤维 介电性能
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