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石墨烯复合β-Zn4Sb3材料的热电性质 被引量:1
1
作者 刘风采 高鹏飞 +3 位作者 孟庆飞 秦娟 史伟民 王林军 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期95-101,共7页
将不同比例的石墨烯粉末和β-Zn4 Sb3粉末混合,通过热压法制备出复合材料样品,并对其结构和热电性质进行检测.X射线衍射结果表明,样品的主要成分仍然是β-Zn4 Sb3相,晶粒尺寸随石墨烯浓度的增加略有减小.这说明石墨烯浓度在5.0%以内时... 将不同比例的石墨烯粉末和β-Zn4 Sb3粉末混合,通过热压法制备出复合材料样品,并对其结构和热电性质进行检测.X射线衍射结果表明,样品的主要成分仍然是β-Zn4 Sb3相,晶粒尺寸随石墨烯浓度的增加略有减小.这说明石墨烯浓度在5.0%以内时对样品的物相形成没有明显影响.另外,复合石墨烯后样品的Seebeck系数变化不大,但电导率降低、热导率略有增大,从而使热电优值有所降低,主要是由于石墨烯的掺入在样品中引入了电子补偿效应,使原来受主能级上的空穴减少,进而降低了样品中的载流子浓度,同时也改变了β-Zn4 Sb3中Zn原子无序结构. 展开更多
关键词 β-zn4 sb3 石墨烯 热电复合材料
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新型热电材料β-Zn_4Sb_3的电学性能 被引量:7
2
作者 朱铁军 赵新兵 +2 位作者 胡淑红 邬震泰 周邦昌 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期187-189,共3页
采用真空熔炼和烧结的方法制备了新型热电材料尽β-Zn4Sb3。X射线衍射分析表明样品为单相。2种样品从室温到723K温度范围内的电学性能测量表明,β-Zn4Sb3在500K~650K时具有较高的功率因子,真空熔炼样品... 采用真空熔炼和烧结的方法制备了新型热电材料尽β-Zn4Sb3。X射线衍射分析表明样品为单相。2种样品从室温到723K温度范围内的电学性能测量表明,β-Zn4Sb3在500K~650K时具有较高的功率因子,真空熔炼样品的性能要优于烧结样品,其功率因子在 623K时达到最大值 3.9μW.cm-1.K-2。结果表明,β-Zn4Sb3在热电转换领域有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 β-zn4sb3 热电材料 热电性能 热电元件
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Cu/β-Zn4Sb3纳米复合热电材料的制备和电输运特性 被引量:1
3
作者 赵文俞 王要娟 +3 位作者 吴晓艳 翟鹏程 唐新峰 张清杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1352-1355,共4页
采用真空熔融结合放电等离子体烧结(SPS)制备了一系列纳米cu第二相的13-Zn4Sb,基复合材料,XRD和SEM分析表明,该复合材料均是由Cu和β-Zn4Sb3组成的,SPS烧结过程中β—Zn4Sb3并没有发生相变反应,Cu纳米粒子主要沿β-Zn4Sb3微粒周... 采用真空熔融结合放电等离子体烧结(SPS)制备了一系列纳米cu第二相的13-Zn4Sb,基复合材料,XRD和SEM分析表明,该复合材料均是由Cu和β-Zn4Sb3组成的,SPS烧结过程中β—Zn4Sb3并没有发生相变反应,Cu纳米粒子主要沿β-Zn4Sb3微粒周围随机分布,亦见少数cu纳米粒子进入β-Zn4Sb3微粒内现象。电榆运特性测量表明,随着纳米Cu含量增加,复合材料的电导率逐渐增加,Seebeck系数先降低后增加;当纳米Cu掺量增大至摩尔比为0.08时,材料的电导率与纳米Cu掺量为0.04时非常接近,但Seebeck系数明显偏高,700K时的功率因子达到11.6mW·cm^-1K^-2,是纳米Cu掺量为0.04时的1.23倍。这种电导率与Seebeck系数的反常变化现象可能与纳米Cu对低能电子的能量过滤有关。 展开更多
关键词 热电材料 β-zn4sb3 纳米复合 电输运特性
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Ag射频功率对热电材料β-Zn4Sb3涂层组织和电导性能的影响
4
作者 王忠利 琚爱云 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期79-82,共4页
目前对β-Zn4Sb3热电材料制备与掺杂的研究报道不多。研究了β-Zn4Sb3热电材料的磁控溅射并对其实施掺杂的过程,并分析了不同Ag射频功率下得到的β-Zn4Sb3热电涂层的膜层组织及其热电性能。测试结果表明:经过磁控溅射处理后试样表面形... 目前对β-Zn4Sb3热电材料制备与掺杂的研究报道不多。研究了β-Zn4Sb3热电材料的磁控溅射并对其实施掺杂的过程,并分析了不同Ag射频功率下得到的β-Zn4Sb3热电涂层的膜层组织及其热电性能。测试结果表明:经过磁控溅射处理后试样表面形貌优化,形成了具有致密结构的表面。所有掺入Ag之后的β-Zn4Sb3涂层都比原始β-Zn4Sb3涂层达到了更高的电导率,而且电导率与Ag射频功率之间呈现正相关变化规律。没有掺入Ag的涂层具有最大的Seebeck系数,当Ag射频功率提高后试样Seebeck系数发生了降低的现象。掺入Ag之后的热电涂层试样达到了更大的功率因子;当测试温度上升后,掺入Ag的β-Zn4Sb3涂层则发生功率因子先升高后降低的变化现象。 展开更多
关键词 β-zn4sb3热电涂层 磁控溅射 膜层结构 热电性能
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置换Sb的M(=Bi,Te)掺杂β-Zn_4Sb_3对Seebeck系数的影响
5
作者 刘雅洁 《嘉兴学院学报》 2014年第3期53-57,共5页
研究了置换Sb的M(=Bi,Te)掺杂热电材料β-Zn4Sb3对其Seebeck系数随温度及参杂量变化的定量关系.通过非线性数值拟合,找到了满足这一关系的函数为高斯函数,并给出对应不同掺杂的具体函数.同时,给出一些新的、有意义的结论.通过数据比较发... 研究了置换Sb的M(=Bi,Te)掺杂热电材料β-Zn4Sb3对其Seebeck系数随温度及参杂量变化的定量关系.通过非线性数值拟合,找到了满足这一关系的函数为高斯函数,并给出对应不同掺杂的具体函数.同时,给出一些新的、有意义的结论.通过数据比较发现,理论计算与实验数据之间的最小的相关系数为0.998 59,最大的平均相对误差仅为0.35%. 展开更多
关键词 热电材料 β-zn4sb3 SEEBECK系数 非线性数据拟合
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In掺杂β-Zn_4Sb_3热电材料的制备与电热输运 被引量:2
6
作者 马兵 程苏丹 +1 位作者 赵文俞 张清杰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期598-602,共5页
设计了一系列名义组成为Zn4Sb3-xInx(0-0.08,Δx=0.02)的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料,并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的In掺杂单相β-Zn4Sb3基块体材料.300-700K内材料的电热输运特性表明,In杂质对Zn4Sb... 设计了一系列名义组成为Zn4Sb3-xInx(0-0.08,Δx=0.02)的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料,并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的In掺杂单相β-Zn4Sb3基块体材料.300-700K内材料的电热输运特性表明,In杂质对Zn4Sb3化合物的Sb位掺杂可导致载流子浓度和电导率大幅度增大、高温下本征激发几乎消失和晶格热导率显著降低,x=0.04和0.08的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3化合物700K时晶格热导率均仅为0.21W/(m·K).与纯β-Zn4Sb3块体材料相比,所有In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料的ZT值均显著增大,x=0.06的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料700K时ZT值达到1.13,提高了69%. 展开更多
关键词 热电材料 β-zn4sb3 In掺杂 电热输运
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TiO_2/β-Zn_4Sb_3复合热电材料的制备及性能
7
作者 顾捷 栾伟玲 +1 位作者 曹懿 徐宏 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期435-438,共4页
采用真空熔融缓冷方法合成了单相β-Zn4Sb3化合物,并通过水解钛酸四丁酯(TBOT)制备了Ti O2/β-Zn4Sb3复合材料。采用放电等离子(SPS)烧结获得了致密的块材样品。研究了Ti O2质量分数对复合材料热电性能的影响规律。结果发现,随着Ti O2... 采用真空熔融缓冷方法合成了单相β-Zn4Sb3化合物,并通过水解钛酸四丁酯(TBOT)制备了Ti O2/β-Zn4Sb3复合材料。采用放电等离子(SPS)烧结获得了致密的块材样品。研究了Ti O2质量分数对复合材料热电性能的影响规律。结果发现,随着Ti O2质量分数的增加,材料的Seebeck系数升高,电导率和热导率均显著下降,计算得出热电优值(ZT)在638 K时达0.68,比单相Zn4Sb3的ZT值提高了19%。 展开更多
关键词 热电材料 β-zn4sb3 SPS烧结
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电子束辐照对β-Zn4Sb3薄膜微结构和热电功率因子的影响
8
作者 高鹏飞 欧正海 +2 位作者 秦娟 史伟民 王林军 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期937-944,共8页
通过射频磁控溅射制备Zn-Sb预沉积薄膜,随后依次进行0~800 kGy不同剂量的电子束辐照处理和常规热退火,获得β-Zn4Sb3热电薄膜.利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)和场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microsc... 通过射频磁控溅射制备Zn-Sb预沉积薄膜,随后依次进行0~800 kGy不同剂量的电子束辐照处理和常规热退火,获得β-Zn4Sb3热电薄膜.利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)和场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscopy,FESEM)分析表征了薄膜的微结构和表面形貌,利用Hall效应和Seebeck效应检测了薄膜的电输运和热电性能.研究结果表明,所有样品均表现出p型导电.经电子束辐照处理的薄膜样品,其物相组成没有发生变化,平均晶粒尺寸变化不大,但薄膜表面的致密度有所提高,且晶粒生长表现出一定的(223)晶面取向性生长.当电子束辐照剂量为200 kGy时,由于在电导率降幅很小的同时Seebeck系数得到了有效的提高,故样品的功率因子可达6.90μW/(cm.K^2),比未进行电子束辐照处理的样品提高了41.7%. 展开更多
关键词 热电 β-zn4sb3薄膜 磁控溅射 电子束辐照 功率因子
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Preparation and Thermoelectric Properties of SiO_2/β-Zn_4Sb_3 Nanocomposite Materials 被引量:1
9
作者 阮学锋 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2009年第5期694-697,共4页
A series of SiO2/β-Zn4Sb3 core-shell composite particles with 3, 6, 9, and 12 nm of SiO2 shell in thickness were prepared by coatingβ-Zn4Sb3 microparticles with SiO2 nanoparticles formed by hydrolyzing the tetraetho... A series of SiO2/β-Zn4Sb3 core-shell composite particles with 3, 6, 9, and 12 nm of SiO2 shell in thickness were prepared by coatingβ-Zn4Sb3 microparticles with SiO2 nanoparticles formed by hydrolyzing the tetraethoxysilane in alcohol-alkali-water solution. SiO2/β-Zn4Sb3 nanocomposite thermoelectric materials were fabricated with these core-shell composite particles by spark plasma sintering (SPS) method. Microstructure, phase composition, and thermoelectric properties of SiO2/β-Zn4Sb3 nanocomposite thermoelectric materials were systemically investigated. The results show thatβ-Zn4Sb3 microparticles are uniformly coated by SiO2 nanoparticles, and no any phase transformation reaction takes place during SPS process. The electrical and thermal conductivity gradually decreases, and the Seebeck coefficient increases compared to that ofβ-Zn4Sb3 bulk material, but the increment of Seebeck coefficient in high temperature range remarkably increases. The thermal conductivity of SiO2/β-Zn4Sb3 nanocomposite material with 12 nm of SiO2 shell is the lowest and only 0.56 W·m^-1·K^-1 at 460 K. As a result, the ZT value of the SiO2/β-Zn4Sb3 nanocomposite material reaches 0.87 at 700 K and increases by 30%. 展开更多
关键词 nanocomposite material β-zn4sb3 nanoengineering of particle surface thermoelectric properties
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M(=In,Al,Cd)掺杂对Zn_4Sb_3热电材料Seebeck系数的影响 被引量:1
10
作者 刘雅洁 《嘉兴学院学报》 2012年第3期98-101,共4页
研究了M(=In,Al,Cd)掺杂β-Zn4Sb3热电材料的Seebeck系数与温度及参杂量的定量变化关系,并给出具体的变化函数.通过数据比较发现,理论计算与实验数据之间的平均相对误差为6.2%,相关系数均达到0.98.
关键词 热电材料 β-zn4sb3 SEEBECK系数 数据拟合
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熔体旋甩法制备Zn4Sb3热电材料微结构的研究
11
作者 王礼强 李涵 唐新峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1345-1347,共3页
采用真空熔融-熔体旋甩-退火-放电等离子烧结(SPS)工艺制备了单相β-Zn4Sb3块体热电材料。对退火前后的薄带和SPS烧结后块体材料的相组成和微结构进行了分析和表征。结果表明:熔体旋甩后分相的薄带在退火后转变成主相为Zn4Sb3的薄带... 采用真空熔融-熔体旋甩-退火-放电等离子烧结(SPS)工艺制备了单相β-Zn4Sb3块体热电材料。对退火前后的薄带和SPS烧结后块体材料的相组成和微结构进行了分析和表征。结果表明:熔体旋甩后分相的薄带在退火后转变成主相为Zn4Sb3的薄带,退火薄带SPS烧结后得到了致密的β-Zn4Sb3块体材料;冷却速率和退火工艺对薄带自由面和与Cu辊接触面的物相和形貌变化影响较大;该工艺制备的β-Zn4Sb3块体热电材料致密,晶粒尺寸细小,约为50-80nm。 展开更多
关键词 β-zn4sb3 熔体旋甩 微结构
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过量Zn对β-Zn_4Sb_3热电性能影响的研究 被引量:6
12
作者 祁琼 唐新峰 +2 位作者 熊聪 赵文俞 张清杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期5539-5544,共6页
采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明... 采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明:过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1·10. 展开更多
关键词 β-zn4sb3 电导率 SEEBECK系数
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β-Zn_4Sb_3/Zn_(1-δ)Al_δO复合材料的制备及热电性能研究
13
作者 周丽梅 李炜 +3 位作者 蒋俊 陈建敏 李勇 许高杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期610-615,共6页
采用真空熔融淬火结合放电等离子烧结工艺制备了单相β-Zn4Sb3以及β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO复合热电材料,其中第二相Zn1-δAlδO(AZO)的含量分别为0.2wt%,0.4wt%和0.7wt%.对材料的相组成和微结构进行了表征,并在300—673K的温度范围内测... 采用真空熔融淬火结合放电等离子烧结工艺制备了单相β-Zn4Sb3以及β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO复合热电材料,其中第二相Zn1-δAlδO(AZO)的含量分别为0.2wt%,0.4wt%和0.7wt%.对材料的相组成和微结构进行了表征,并在300—673K的温度范围内测量了其电导率、Seebeck系数和热导率.结果表明,掺杂AZO以后,材料的电导率增大,而Seebeck系数和热导率均有所降低.当AZO的含量为0.2wt%时,复合材料的ZT值在673K达到1.16,而单相β-Zn4Sb3的ZT值约为1.03. 展开更多
关键词 β-zn4sb3 Zn1-δAlδO 复合材料 热电性能
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