离子渗氮层中γ′-Fe_4N相内位错环和层错类型的研究

用透射电镜衍衬方法测定了稀土催渗离子渗氮层中γ'-Fe_4N相内位错环及层错的类型。结果表明,位错环为b=1/3[111]空位型,其形成原因是:在离子渗氮过程中,高能离子的持续轰击导致大量空位点缺陷的产生,随后空位聚集成空位片,最终崩塌形成位错环;而层错类型为抽出型,其两边的不全位错是1/6(112)型Shockley不全位错,它们是由全位错1/2[110]=1/6[121]+1/6[211]反应分解形成的。

γ′-Fe_4N纳米晶薄膜的磁性及热稳定性研究

采用直流磁控溅射方法,在Si(100)单晶衬底上获得了γ′-Fe4N纳米晶薄膜样品.将样品在真空中分别于300,400,500,600,700和800℃下进行热处理,利用XRD,SEM和VSM等测试手段对样品的结构、形貌和磁性进行表征.结果表明,热处理温度在300～500℃时,在γ′-Fe4N纳米晶粒的界面处形成了Fe8N包裹层,600℃时,Fe8N包裹层转变为α-Fe,当热处理温度≥700℃时,样品全部转变为α-Fe.γ′-Fe4N薄膜样品在600℃以下温度热处理可保持其主相γ′-Fe4N的结构稳定,而其软磁性能并未发生明显的减弱.

直流磁控溅射磁性γ′-Fe_(4)N膜生长机理研究

采用直流磁控溅射法研究了磁控溅射沉积氮化铁薄膜的生长机制 ,并归属了其生长普适类型 .结果表明 ,磁控溅射法生长的薄膜表面具有自仿射分形特性 ,而且表面存在一定数量的空位或孔洞 ,粒子呈现悬臂沉积生长现象 .γ′-Fe4 N单相薄膜的生长指数 β≈ 0 .61± 0 .0 2 ,静态标度指数 α≈ 0 .5 7± 0 .2 0 ,各指数之间的关系为 α+α/ β≈ 2 ,薄膜生长属于

二次氮化法制备γ′－Fe_4N超细粉末

以ＦｅＣｌ＿２·ｎＨ＿２Ｏ和ＮＨ＿３为原料，采用一步气相合成法制备了Ｆｅ／Ｎ超细粉末，并研究了二次氮化法制备氮化铁超细粉末的工艺技术。通过比较实验，证实二次氮化法能够制备单相的γ′－Ｆｅ＿４Ｎ粉末。利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和ＶＳＭ等实验手段对Ｆｅ／Ｎ和γ′－Ｆｅ＿４Ｎ粉末的晶态、物相、形貌、成分、粒度和磁性进行了初步表征。实验结果表明，二次氮化法制得的γ′－Ｆｅ＿４Ｎ为高纯、超细、单相的粉末，并且粉末的饱和磁化率σ＿３和矫顽力Ｈｃ值均优于田中隆夫等人的同类研究结果。

γ′-Fe_3SnN的制备与穆斯堡尔谱研究

热处理 (Fe0 .75Sn0 .2 5) C2 O4 · n H2 O可制得单相氮化物γ′- Fe3 Sn N,其中氮化前的氧化过程、热处理温度和 H2 / NH3 气流比是影响产物的 3个关键因素 .此氮化物的晶格参数为 a =0 .38371(5) nm;室温下 57Fe穆斯堡尔谱为顺磁双峰 。

一种新型颗粒结构微粉的制备与穆斯堡尔谱研究

采用特殊的氮化工艺 ,成功地制备出一种新型的、具有内核 (α- Fe)表层 (γ′- Fe4N)结构的磁性颗粒 ,这种颗粒结构的微粉既具有α- Fe的高饱和磁化强度又有γ′- Fe4N优异的化学稳定性 .将穆斯堡尔谱与磁测量等方法相结合 ,研究了制备条件与磁性的关系 。