全环绕栅极场效应晶体管的Ⅰ-Ⅴ模型紧凑建模

基于表面电势提出了一种无结型全环绕栅极场效应晶体管的Ⅰ-Ⅴ模型。以一维泊松方程为基础,结合相应的边界条件,采用四阶龙格库塔算法对两个解析模型中基于物理原理的非线性超越方程组依次求解,建立了表面电势、中点电势与栅极电压相关的数值模型。随后,根据数值模型中以中间参数形式表示的表面电势结果,利用Pao-Sah积分推导出全环绕栅极场效应晶体管的漏极电流。所提出的Ⅰ-Ⅴ模型结果与数值和实验数据均显示出良好的一致性,验证了该建模方法用于全环绕栅极场效应晶体管的可行性。此外,该方法实现了解析模型与数值模型的结合,在精度和效率之间实现了很好的平衡。

共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3％。随后测试仪器的测量误差,发现其中1％的相对漂移量由测试仪器造成。

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。

探索用端口Ⅰ-Ⅴ特性对CMOS电路的静电放电(ESD)潜在损伤进行分析诊断

探索用端口Ⅰ一Ⅴ特性对CMOS电路的ESD潜在损伤进行分析诊断，给出受ESD潜在损伤电路端口特性变化的一些特征，对用Ⅰ－Ⅴ特性变化表征潜在损伤器件的条件和局限性进行了讨论。

基于嵌入式技术的太阳电池Ⅰ-Ⅴ性能测试仪

设计了一款基于嵌入式技术的手持式太阳电池Ⅰ-Ⅴ性能测试仪。该测试仪以ARM920体系芯片S3C2440为核心,通过采集太阳电池电压、电流、光强和温度4路信号并通过对信号数据的处理,测得太阳能电池开路电压、短路电流、最佳工作点、串联电阻、并联电阻、电池效率等关键参数,并在触摸屏上实时显示Ⅰ-Ⅴ曲线。目前该项目已完成系统硬件设计与调试和测试界面程序的设计。调试结果表明系统工作稳定,系统功耗小。界面简洁、运行流畅、操作简单。

太阳电池Ⅰ-Ⅴ方程的LambertW函数解

用LambertW函数求解太阳电池的I-V方程.推导出了由实测数据计算并联电阻、串联电阻和I-V曲线的方法.

太阳模拟器光谱对三结太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试的影响

利用三结太阳电池的二极管模型及量子效率测试结果,计算了在不同太阳模拟器光谱条件下的三结太阳电池性能,结果表明:由于现有的太阳模拟器光谱与AMO光谱间的差异,可能造成短路电流、转换效率测试结果偏低,而太阳模拟器光谱中的峰值对测试影响较小。

基于暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究

暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V^0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据。

基于Bezier曲线的CIGS薄膜光伏电池Ⅰ-Ⅴ曲线简单拟合方法

精准的光伏电池输出数学模型是研究光伏系统的必要条件,然而由于厂家提供的数据有限,铜铟镓硒(CIGS)薄膜光伏电池的输出数学模型是包含若干未知参数的非线性特性曲线。因此提出仅利用厂家提供的有限数据,对CIGS薄膜光伏电池的电流-电压输出特性曲线,即Ⅰ-Ⅴ曲线进行拟合。首先利用Bezier曲线选取函数控制点,对CIGS薄膜光伏电池的Ⅰ-Ⅴ曲线进行拟合;然后找出Bezier曲线控制点位置与CIGS薄膜光伏电池的填充因子之间的函数关系;最后,利用4种新型CIGS薄膜光伏电池对该函数关系进行验证,并对结果进行了对比分析。分析结果表明,所提方法对4种CIGS薄膜光伏电池的Ⅰ-Ⅴ曲线的拟合方法的平均相对误差均小于0.8%,验证了所提方法的有效性。

微波场效应管Ⅰ-Ⅴ特性模型研究

本文对微波场效应管Ⅰ—Ⅴ特性模型进行了研究,分析比较了八种常用模型的优缺点,它可为微波电路的设计提供一个实用的参考依据.在模型参数提取中,我们采用了一种新算法,先应用一个基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换,然后采用Levenberg-Marquardt算法进行优化拟合.实际计算表明,此法能够快速、精确地提取模型参数.

利用多层感知机和Ⅰ-Ⅴ特性的光伏组件建模方法

为了提高光伏组件模型的准确度和可靠性,提出一种利用多层感知机和不同工况下实测的Ⅰ-Ⅴ特性曲线数据集的建模新方法.首先,使用双线性插值法对实测Ⅰ-Ⅴ曲线进行重采样,以提高Ⅰ-Ⅴ曲线上数据点分布的均匀性;然后使用基于温度-辐照度的网格采样法对数据集进行下采样,降低数据冗余度.其次,提出一种基于多层感知机神经网络的光伏组件模型,并基于预处理的Ⅰ-Ⅴ曲线数据集,使用Adam算法训练该模型.最后,采用实测Ⅰ-Ⅴ特性曲线数据集,验证和测试了所提出的建模方法,并与支持向量机、梯度提升决策树等机器学习算法进行对比.实验结果证明,所提出的建模方法具有更高的精度和泛化性能.

带有电压补偿的改进Ⅰ-Ⅴ下垂控制策略

直流微电网的控制目标是实现对分布式电源之间负荷的分配,经济性及可靠性良好的下垂控制是通常解决该分配问题的一种基本方法。在传统Ⅴ-Ⅰ型下垂控制中,会存在输出电流分配不均和母线电压不稳定的问题,针对该问题提出一种带有电压补偿的改进Ⅰ-Ⅴ型下垂控制策略。首先对变换器建立状态空间模型,加入改进补偿环节以保证输出电流的稳定,并且结合母线电压无偏差控制,利用上移补偿原理使母线电压稳定保持在额定值,同时保证电流分配不受其影响。与传统策略进行比较,所提策略对电流分配及电压稳定起到一定改善作用。最后通过仿真验证了所提策略理论的有效性和优越性。

光伏组件户外Ⅰ-Ⅴ特性测试问题及分析

光伏组件户外Ⅰ-Ⅴ测试受到环境因素的影响,测试结果存在较大的偏差。为提高光伏组件户外Ⅰ-Ⅴ特性测试的准确度,分析测试过程中存在问题,并提出相应的解决方法,同时分析IEC 60891-2009中的修正程序,以确保更准确地进行修正,得到组件在标准测试条件(STC)下的特性参数。最后,通过测试实验,验证了方法的有效性。

Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展

Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体实现了电荷和自旋注入的分离调控,成为半导体领域的研究热点。本文从传统稀磁半导体出发,详述Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展,并对今后发展进行了展望。

Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体磁电性质的研究进展

稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor,DMS)是一种兼具半导体性与磁性且具有优异独特磁光、磁电功能的新型半导体材料。首先介绍了DMS的研究进展及其分类,重点阐述了Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基DMS的磁电性质,在实验方面和理论计算方面所取得的研究进展,包括Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的制备方法、基本磁性质、磁性起源、输运性质及光学性质等。目前已经证实了某些DMS材料的铁磁性起源机制,一些新型DMS材料的最高居里温度(Curie temperature,Tc)已经可以与(Ga,Mn)As相比拟,并克服了传统稀磁半导体难以解决的问题。最后对Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的发展和应用前景进行了展望。

利用2450型触摸屏数字源表,实现太阳能电池Ⅰ-Ⅴ特性分析

1 概述 太阳能电池或光伏（PV）电池是从光源中吸收光子然后释放电子的器件，当太阳能电池与负载相连时，可以引起电流流动。太阳电池研究人员和制造商努力实现尽可能高的效率，同时损失最小。因此，太阳能电池与光伏材料的电气特性成为研究开发和制造过程中的一部分。

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。

非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响

利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。

PECVD法制备SiO_(x_N_(y)膜Ⅰ—Ⅴ特性和击穿机理的测试分析

对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ⅰ－Ⅴ特性和击穿机理，探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例、反应空气压、衬底工作温度的变化关系。

多孔硅的I-V特性及NO_2气敏特性研究

采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min。