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高速光电探测器频率响应测试方法研究 被引量:4
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作者 费丰 《宇航计测技术》 CSCD 2010年第1期53-56,共4页
主要分析了常见的几种光电探测器频率响应测试方法的优缺点,并提出了一种改进的光外差干涉方法,可以对带宽达50 GHz的高速光电探测器的频率响应进行准确测量。
关键词 +高速光电探测器 频率响应 测试方法
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法国Finisar公司推出业界最快的高速光电探测器
2
作者 光电 《军民两用技术与产品》 2017年第7期35-35,共1页
美国菲尼萨(Finisar)公司推出了一款新型高速光电探测器——100GHz平衡探测器(BPDV4121)。
关键词 高速光电探测器 ar公司 法国
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光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展 被引量:2
3
作者 刘家洲 李爱珍 张永刚 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期227-232,共6页
对自 2 0世纪 90年代以来在InGaAsPIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述 ,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的... 对自 2 0世纪 90年代以来在InGaAsPIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述 ,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的新进展 ,同时也介绍了超高速光电探测器封装结构。 展开更多
关键词 高速光电探测器 化合物半导体 INGAAS
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基于倒装键合的高速高功率平衡光电探测器 被引量:1
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作者 王紫赟 谢小军 +2 位作者 魏超 潘炜 闫连山 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期18-25,共8页
提出并制备一种高速高功率改进型单行载流子平衡光电探测器,通过引入P型掺杂牺牲层,调节漂移层电场强度,赋能光生电子近弹道输运特性,进而减少载流子的渡越时间,有效扩展器件的带宽,并在高功率条件下有效抑制器件的功率饱和现象。同时,... 提出并制备一种高速高功率改进型单行载流子平衡光电探测器,通过引入P型掺杂牺牲层,调节漂移层电场强度,赋能光生电子近弹道输运特性,进而减少载流子的渡越时间,有效扩展器件的带宽,并在高功率条件下有效抑制器件的功率饱和现象。同时,将光电探测器芯片倒装键合在高导热系数金刚石基片上,降低光电探测器芯片核心温度,进一步提高器件射频输出功率。在-3 V偏压下器件暗电流小于200 nA。有源区直径为4、6、8μm的器件分别具有52、42、40 GHz的3 dB带宽响应。有源区直径为6μm和8μm的器件分别在50 GHz、47 GHz处达到8.0 dBm和14.0 dBm的射频输出功率。 展开更多
关键词 高速光电探测器 光电探测器 平衡光电探测器 倒装键合 微波光子学
原文传递
对高速探测器的需求推动研究工作
5
《光电子信息快报》 1998年第12期4-7,共4页
关键词 高速光电探测器 纤维光学 RCE器件 探测器
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用于通信的高速和高效硅光电二极管的新范例——低维结构的器件和VLSI集成挑战
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作者 薛澄 厉彦一 +1 位作者 王士奇 马宗砚 《信息记录材料》 2018年第11期99-100,共2页
单片集成高速光电探测器(PD)与硅(Si)的能力有助于大幅降低成本。这种PD被设想成未来的芯片内,芯片间,板对板,机架间,以及内/数据中心链路中的高速光学互连的组成部分。Si基PD具有特别的意义,因为它们具有与CMOS和Bi CMOS超大规模集成... 单片集成高速光电探测器(PD)与硅(Si)的能力有助于大幅降低成本。这种PD被设想成未来的芯片内,芯片间,板对板,机架间,以及内/数据中心链路中的高速光学互连的组成部分。Si基PD具有特别的意义,因为它们具有与CMOS和Bi CMOS超大规模集成电路和超大规模集成电子器件单片集成的潜力。我们以微米/纳米结构讨论了器件设计的优势和挑战,最后,我们总结了低维结构可能导致高性能PD设计范例转变的各种应用的未来发展方向,达到链接,单光子检测,光检测和测距以及高性能计算。 展开更多
关键词 扩展到达链路 高速高效光电探测器(PD) 高性能计算 探测和测距 微/纳米结构 单光子探测
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基于10Gbit/s应用长波长光电二极管 被引量:1
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作者 曹均凯 王国栋 +2 位作者 镇磊 梁泽 潘青 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2005年第4期319-323,共5页
设计制作了一种基于10Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InPPIN高速光电二极管.该器件带宽达到19GHz,响应度>0.75A/W,暗电流<5nA,结电容<0.15pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310nm和1550nm波长光的探测.
关键词 光电二极管 高速光电探测器 PIN光电二级管
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InP微透镜的设计与制作 被引量:2
8
作者 李庆伟 尹顺政 +2 位作者 宋红伟 张世祖 蒋红旺 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第4期296-301,共6页
高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8~15μm时,能更好实现对光的汇... 高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8~15μm时,能更好实现对光的汇聚。对于InP微透镜的制作,首先要制作出透镜形状的光刻胶胶型,然后通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀将光刻胶图形转移到InP衬底上。光刻胶坚膜温度与坚膜时间对光刻胶形成透镜形状有很大影响。通过优化条件,150℃坚膜3 min的光刻胶呈规则透镜形状,并且表面光滑无褶皱。通过调节反应离子刻蚀(RIE)功率和ICP功率找到了合适的InP刻蚀速率,调节Cl2和BCl3的体积流量比改变了InP和光刻胶的刻蚀选择比,从而制作出不同拱高的微透镜。 展开更多
关键词 微透镜 高速光电探测器 磷化铟(InP) 胶型 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
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Fabry-Perot干涉仪的新应用 被引量:2
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作者 李炳乾 张淳民 +1 位作者 朱长纯 王小力 《工科物理》 1998年第4期26-29,共4页
阐述了Fabry-Perot腔的工作原理以及在精细光谱结构研究、激光技术等领域的应用.结合作者的工作,给出了Fabry-Perot腔在微机械传感器和高速光电探测仪器研制这两个方面的新应用.
关键词 Fabry-Perot腔 微机械压力传感器 标准具 干涉仪 应用 高速光电探测器 精细光谱结构 激光技术
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声光信号融合的外弹道参数测量方法研究
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作者 赵悦 蔡荣立 《光学与光电技术》 2024年第2期47-55,共9页
分析了弹丸激波马赫角在超声速飞行物体研究中的意义,指出现代靶场测试中针对激波马赫角的测试手段的不足。给出了一种全新的激波马赫角、弹丸速度以及弹丸飞行距离的测量方法。通过分析激波声学压电传感器接收到激波的时间,以及高速目... 分析了弹丸激波马赫角在超声速飞行物体研究中的意义,指出现代靶场测试中针对激波马赫角的测试手段的不足。给出了一种全新的激波马赫角、弹丸速度以及弹丸飞行距离的测量方法。通过分析激波声学压电传感器接收到激波的时间,以及高速目标探测器接收到超音速飞行弹丸遮光时间,结合两种探测器的位置空间信息,构建了一种基于声光双信号的外弹道参数测试系统的数学模型。建立仿真模型分析,基于声光双信号的弹丸马赫角的误差低于0.6%。实验结果表明,对于超音速飞行的弹丸,基于声光信号探测系统检测弹道参数测量系统具有较高的测量精度。为后续的多信号探测外弹道参数奠定了基础。 展开更多
关键词 弹道参数测量系统 光电高速目标探测器 声学压电探测器 激波马赫角 超声速飞行弹丸
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Intel演示30Gbit/s硅调制器
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作者 朝阳(编译) 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2007年第4期5-5,共1页
最近Intel公布了一种速度为30Gbit/s的硅基光调制器,有望作为芯片光子系统元件,用于芯片间光纤高速传输。该系统包括复合激光器和高速光电探测器。
关键词 INTEL 光调制器 硅基 高速光电探测器 演示 系统元件 高速传输 激光器
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Flexible organic-inorganic hybrid photodetectors with n-type phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) and p-type pearl-like GaP nanowires 被引量:3
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作者 Gui Chen Xuming Xie Guozhen Shen 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第12期1777-1787,共11页
Flexible photodetectors have become a focus of current researches because they may offer some unique applications in various new areas that require flexible, lightweight, and mechanical shock-resistive sensing element... Flexible photodetectors have become a focus of current researches because they may offer some unique applications in various new areas that require flexible, lightweight, and mechanical shock-resistive sensing elements. In this work, we designed flexible organic-inorganic hybrid photodetectors on various flexible substrates, including polyethylene terephthalate (PET), common Sellotape and polydimethylsiloxane (PDMS), with n-type phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) and p-type pearl-like GaP nanowires (NWs) as the active materials. The as-fabricated hybrid devices exhibited an optimized performance superior to the device made of pristine GaP NWs, with a fast response time (43 ms) and high on/off ratio (-170). Under different bending conditions, the flexible hybrid photodetectors demonstrated excellent flexibility and electrical stability, which make them very promising for further large-scale, high sensitivity and high speed photodetector applications. 展开更多
关键词 NANOWIRES FLEXIBLE PHOTODETECTORS hybrid
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