SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有VC>VSi;而对于(0001)Si面,有VSi酸>VSi碱;对于(000-1)C面,有VC酸>VC碱。该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值。

工业X-CT新型探测器技术

探测器及其技术是工业X CT系统中的关键技术之一。文中提出了基于光纤面板光耦合及传输 ,采用闪烁晶体和自扫描光电二极管列阵器件的X射线新型探测器技术方案 ,并对此方案进行了实验研究。结果表明 ,该新型探测器技术方案具有结构紧凑、性能可靠且分辨率高等特点 ,可以实际应用于工业X CT系统中。

改善钢琴铸铁琴板质量的研究

通过采用型板、标准砂箱造型：实行面砂、背砂的供砂制度：选用高压、节能风机和优质铸造焦炭；配制高硅碳比铁水及实行炉前孕育技术，使铸铁琴板强度高，内应力低、铸造尺寸精确，废品率低，近来研制成功的树脂砂面砂造型法，使琴板质量进一步提高，为向国外输出琴板创造了条件。