拓扑化学法制备棒状(KxNa1-x)NbO3粉体

以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5和KCl为原料,采用拓扑化学反应法合成出一维方向生长钙钛矿结构的棒状KxNa1-xNbO3(KNN)粉体。首先采用熔盐法合成出棒状的前驱体K2Nb8O21晶体,系统研究了Nb2O5与KCl的起始质量比、合成温度对K2Nb8O21晶体显微结构和形貌的影响,研究发现当Nb2O5与KCl的质量比为3/8,850℃下保温3 h可以获得长度为80～100μm,直径为3～8μm的棒状K2Nb8O21晶体,且晶体沿[100]方向生长;然后以棒状的前驱体K2Nb8O21为模板晶粒,采用拓扑化学反应法制备出棒状KNN晶体,研究了Na2CO3的添加量、烧成温度和保温时间对棒状KNN晶体显微结构和形貌的影响。结果表明:添加过量10wt%的Na2CO3,在900℃下保温3 h可以获得沿[001]方向生长的棒状KNN晶体,其中K/Na=47.31/52.69,接近1/1,其长度和宽度分别为30～50μm和2～6μm。

微波水热法合成铌酸钾钠(K_xNa_((1-x))NbO_3)粉体

以Nb2O5、NaOH和KOH为原料,采用微波水热法合成KxNa(1-x)NbO3粉体,研究了nKOH/nNaOH配比、合成温度对粉体形貌与成分的影响。结果表明:nKOH/nNaOH=5/1时,接近于准同型相界(MPB);KxNa(1-x)NbO3晶面间距随钾钠比的增大依次向左偏移。

（K0.54N0.46）NbO3-LiSbO3无铅压电陶瓷的电学性能与相结构

利用传统的电子陶瓷工艺制备了（1-x）（K0.54Na0.46）NbO3-xLiSbO3[（1-x）KNN-xLS]无铅压电陶瓷，研究了LiSbO3对（KNN-xLS陶瓷的相结构与介电压电性能的影响．研究结果表明，（1-x）KNN-xLS陶瓷的准同型相界位于0．04〈x〈0．06；（1-x）KNN-xLS陶瓷的电学性能强烈地依靠化学成分，在准同型相界附近具有加强的电学性能；（1-x）KNN-xLS0=O．05）陶瓷的室温压电常数达220pC/N，径向机电耦合系数达43％，居里温度为368℃，正交．四方转变温度为90℃，介电常数为l145，介电损耗为2．8％，剩余极化值为26．6p．C/cm^3，矫顽场为13．8kV/cm．因此可以认为，该陶瓷体系是具有应用前景的无铅压电陶瓷材料之一．