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散射环境下钨的质量吸收系数测量
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作者 江孝国 王伟 +3 位作者 王婉丽 谭肇 祈双喜 王云秀 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期160-163,共4页
在30MeV的射频加速器上进行的原理性实验及在^60Co放射源上的定量测量实验已证明了理论推导的CsI:T1晶体对X光响应具有线性的结论.而在实际应用中,由于各种散射因素的影响可能使这种线性关系变坏而给处理带来困难;利用钨台阶在12MeV... 在30MeV的射频加速器上进行的原理性实验及在^60Co放射源上的定量测量实验已证明了理论推导的CsI:T1晶体对X光响应具有线性的结论.而在实际应用中,由于各种散射因素的影响可能使这种线性关系变坏而给处理带来困难;利用钨台阶在12MeVLIA的实验环境下完成了CsI:T1晶体对X光响应的研究,对一些散射因素进行了分析,说明在一定的条件下仍然能够获得较好的线性响应,同时对钨在相应条件下的质量吸收系数进行了测量,结果为0.806-0.823,误差约在2.0%以内. 展开更多
关键词 质量吸收系数 CsI:T1晶体 12 MEV lia CCD
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