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193 nm紫外激光对单晶硅的损伤特性研究
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作者 王玺 雷武虎 +2 位作者 张永宁 王毕艺 李乐 《航天电子对抗》 2023年第5期44-47,64,共5页
主要开展了193 nm紫外激光对单晶硅的损伤实验,观察分析了材料表面的损伤形貌,建立了193 nm紫外激光损伤单晶硅的理论模型,计算分析了材料的温度场及应力场分布,讨论了损伤形貌及损伤机理。研究结果表明:193 nm紫外激光对单晶硅的损伤... 主要开展了193 nm紫外激光对单晶硅的损伤实验,观察分析了材料表面的损伤形貌,建立了193 nm紫外激光损伤单晶硅的理论模型,计算分析了材料的温度场及应力场分布,讨论了损伤形貌及损伤机理。研究结果表明:193 nm紫外激光对单晶硅的损伤机理主要为热力耦合效应,硅材料表面产生严重的熔融烧蚀和裂纹状的应力损伤,计算得到193 nm紫外激光对单晶硅的熔融损伤阈值为0.71 J/cm^(2)、热应力损伤阈值为0.42 J/cm^(2)。 展开更多
关键词 激光损伤 193 nm紫外激光 单晶硅 损伤阈值
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193 nm激光对MgF_(2)窗口材料的损伤特性研究
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作者 王玺 李欣 +4 位作者 赵楠翔 胡以华 李刚 邹路玮 周喻 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第5期1469-1476,共8页
随着光刻技术和低温硅退火等大能量、高功率紫外激光系统的发展,激光装置中窗口材料面临的紫外激光诱导损伤的问题越来越得到重视。MgF_(2)窗口是紫外波段难以替代的光学窗口材料,具有比CaF_(2)更优的紫外透光率、更低的折射率和更高的... 随着光刻技术和低温硅退火等大能量、高功率紫外激光系统的发展,激光装置中窗口材料面临的紫外激光诱导损伤的问题越来越得到重视。MgF_(2)窗口是紫外波段难以替代的光学窗口材料,具有比CaF_(2)更优的紫外透光率、更低的折射率和更高的硬度等优点,因而在高功率紫外激光器、深紫外探测器、光电探测和对抗领域具有重要的应用。研究激光对MgF_(2)窗口材料的损伤机制对推动其在光学领域的应用至关重要。本文通过扫描电镜分析MgF_(2)窗口材料在193 nm紫外激光(2.8 J/cm^(2))辐照下出现的裂纹和凹坑等损伤形貌,随着激光脉冲数和能量的增加,MgF_(2)窗口材料的后表面损伤程度呈指数级增加,窗口材料的后表面损伤程度比前表面更加严重。利用三维时域有限差分(3D-FDTD)方法对193 nm激光辐照MgF_(2)窗口材料内部的激光电场分布进行了计算。模拟发现无论缺陷在前表面还是后表面,电场强度的峰值都出现在后表面附近,后表面更容易被损伤,这与实验结果吻合;缺陷在激光辐照过程中会导致光场的局域调制,增强吸收,同时降低材料表面的机械强度。 展开更多
关键词 193 nm准分子激光器 MgF_(2)窗口 激光诱导损伤 三维时域有限差分法
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193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术 被引量:1
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作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2007年第4期17-18,共2页
2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。
关键词 32 nm工艺 22 nm工艺 193 nm ArF浸没式光刻技术 EUV光刻技术
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Imaging Photodissociation Dynamics of MgO at 193 nm
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作者 Fang-fang Li Yu-jie Ma +3 位作者 Jia-xing Liu Dong Yan Ang Xu Feng-yan Wang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期257-262,I0001,共7页
In this work,we used time-sliced ion velocity imaging to study the photodissociation dynamics of Mg O at 193 nm.Three dissociation pathways are found through the speed and angular distributions of magnesium.One pathwa... In this work,we used time-sliced ion velocity imaging to study the photodissociation dynamics of Mg O at 193 nm.Three dissociation pathways are found through the speed and angular distributions of magnesium.One pathway is the one-photon excitation of Mg O(X^(1)∑^(+))to Mg O(G^(1)Π)followed by spin-orbit coupling between the G^(1)Π,3^(3)Πand ^(1^(5))Πstates,and finally dissociated to the Mg(^(3)Pu)+O(^(3)Pg)along the 1^(5)Πsurface.The other two pathways are one-photon absorption of Mg O(A^(1)Π)state to Mg O(G^(1)Π)and Mg O(4^(1)Π)state to dissociate into Mg(^(3)P_(u))+O(^(3)P_(g))and Mg(^(1)S_(g))+O(^(1)S_(g)),respectively.The anisotropy parameters of the dissociation pathways are related to the lifetime of the vibrational energy levels and the coupling of rotational and vibronic spin-orbit states.The total kinetic energy analysis gives D0(Mg-O)=21645±50 cm^(-1). 展开更多
关键词 Time-sliced ion velocity imaging PHOTODISSOCIATION MGO Vibrational state Excited state 193 nm
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Photodissociation Dynamics of AlO at 193 nm using Time-Sliced Ion Velocity Imaging
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作者 Fang-fang Li Yu-jie Ma +2 位作者 Jia-xing Liu Guan-jun Wang Feng-yan Wang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第5期649-652,I0079,共5页
The photodissociation dynamics of Al O at 193 nm is studied using time-sliced ion velocity mapping.Two dissociation channels are found through the speed and angular distributions of aluminum ions:one is one-photon dis... The photodissociation dynamics of Al O at 193 nm is studied using time-sliced ion velocity mapping.Two dissociation channels are found through the speed and angular distributions of aluminum ions:one is one-photon dissociation of the neutral AlO to generate Al(2 Pu)+O(3 Pg),and the other is two-photon ionization and then dissociation of AlO^+to generate Al^+(1 Sg)+O(3 Pg).Each dissociation channel includes the contribution of AlO in the vibrational states v=0-2.The anisotropy parameter of the neutral dissociation channel is more dependent on the vibration state of AlO than the ion dissociation channel. 展开更多
关键词 Time-sliced ion velocity imaging PHOTODISSOCIATION ALO Vibrational state 193 nm
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Imaging the Dissociation Dynamics of Si2+ via Two-Photon Excitation at 193 nm
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作者 Yu-jie Ma Fang-fang Li +1 位作者 Jia-xing Liu Feng-yan Wang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2019年第1期129-133,I0003,共6页
In the one-color experiment at 193nm, we studied the photodissociation of Si2+ ions prepared by two-photon ionization using the time-sliced ion velocity map imaging method. The Si+ imaging study shows that Si2+ dissoc... In the one-color experiment at 193nm, we studied the photodissociation of Si2+ ions prepared by two-photon ionization using the time-sliced ion velocity map imaging method. The Si+ imaging study shows that Si2+ dissociation results in two distinct channels: Si(3Pg)+Si+(2Pu) and Si(1D2)+Si+(2Pu). The main channel Si(3Pg)+Si+(2Pu)) is produced by the dissociation of the Si2+ ions in more than one energetically available excited electronic state, which are from the ionization of Si2(v=0-5). Particularly, the dissociation from the vibrationally excited Si2(v=1) shows the strongest signal. In contrast, the minor Si(1D2)+Si+(2Pu) channel is due to an avoided crossing between the two 22Πg states in the same symmetry. It has also been observed the one-photon dissociation of Si2+(X4Σg-) into Si(1D2)+Si+(2Pu) products with a large kinetic energy release. 展开更多
关键词 Slice imaging PHOTODISSOCIATION Silicon dimmer Si2 193nm
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193nm光刻胶的研制 被引量:5
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作者 郑金红 黄志齐 +5 位作者 陈昕 焦小明 杨澜 文武 高子奇 王艳梅 《感光科学与光化学》 CSCD 2005年第4期300-311,共12页
从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品... 从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0.1μm,最小曝光量为26mJ/cm2,不但具有优异的分辨率和光敏性,而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性. 展开更多
关键词 193nm 光刻胶 单体 主体树脂 光致产酸剂 配方
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ULSI用193nm光刻胶的研究进展 被引量:9
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作者 郑金红 黄志齐 文武 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期348-353,共6页
从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。
关键词 193nm 光刻胶 主体树脂 光致产酸剂 酸敏基团 溶解抑制剂 碱性添加剂
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193nm移相点衍射干涉仪的测量误差分析 被引量:9
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作者 邢廷文 何国良 舒亮 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期67-72,共6页
为了提高移相点衍射干涉仪对193nm投影光刻系统的检测精度,本文对其主要测量误差进行了探讨。在简要介绍了193nm移相点衍射干涉仪的基本结构和测量原理之后,总结了可能对测量结果产生影响的各种误差及其产生的原因。通过理论分析和数值... 为了提高移相点衍射干涉仪对193nm投影光刻系统的检测精度,本文对其主要测量误差进行了探讨。在简要介绍了193nm移相点衍射干涉仪的基本结构和测量原理之后,总结了可能对测量结果产生影响的各种误差及其产生的原因。通过理论分析和数值模拟的方法分别对参考波前误差、相移误差、探测器非线性误差以及光源波动、环境变化引起的随机误差等进行了具体分析,从而得到各种测量误差的大小、存在形式以及与干涉仪结构参数的依赖关系,并提出了相应的避免或减小误差的方法。 展开更多
关键词 干涉测量 移相点衍射干涉仪 光学检测 193 nm投影光刻
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193nm激光引发PET表面的化学接枝 被引量:3
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作者 吴刚 王迎军 +3 位作者 陈晓峰 叶建东 魏坤 LEON Betty 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1655-1659,共5页
将聚对苯二甲酸乙二醇酯[Poly(ethylene terephthalate),PET]材料置于氨气气氛中,利用激光光子同时激发材料表面及氨气形成自由基,用激光引发反应并促进氨基在材料表面的接枝.改性后的测试结果表明,材料表面粗糙度没有显著变化,但水接... 将聚对苯二甲酸乙二醇酯[Poly(ethylene terephthalate),PET]材料置于氨气气氛中,利用激光光子同时激发材料表面及氨气形成自由基,用激光引发反应并促进氨基在材料表面的接枝.改性后的测试结果表明,材料表面粗糙度没有显著变化,但水接触角的减小表明表面化学结构发生了某种变化.傅里叶变换红外光谱(FTIR/ATR)图谱在3352和1613cm-1处出现了新的氨基吸收峰,证实了表面接枝了氨基.同时X射线光电子能谱(XPS)也证明了材料表面C—N键的存在,其C1s结合能为285.5 eV,N1s为398.9 eV.飞行时间二次离子质谱(Tof-SIMS)也检测到含氨基的分子碎片,其碎片成像图显示接枝仅发生在激光辐照部位.实验结果表明,激光能在生物材料表面进行局部区域的选择性接枝. 展开更多
关键词 193 nm激光 表面接枝 聚对苯二甲酸乙二醇酯 氨基
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193nm氟化物增透膜的特性 被引量:2
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作者 薛春荣 易葵 邵建达 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期675-680,共6页
为了研制低损耗、高性能的193 nm氟化物增透膜,研究了基底和不同氟化物材料组合对氟化物增透膜的影响。在熔石英基底上,将挡板法和预镀层技术相结合,采用热舟蒸发方式制备了不同氟化物材料组合增透膜,对增透膜的剩余反射率和光学损耗等... 为了研制低损耗、高性能的193 nm氟化物增透膜,研究了基底和不同氟化物材料组合对氟化物增透膜的影响。在熔石英基底上,将挡板法和预镀层技术相结合,采用热舟蒸发方式制备了不同氟化物材料组合增透膜,对增透膜的剩余反射率和光学损耗等光学特性,以及表面粗糙度和应力等特性进行了测量和比较。在分析比较和优化的基础上,设计制备的3层1/4波长规整膜系AlF3/LaF3增透膜在193 nm的剩余反射率低于0.14%,单面镀膜增透膜的透射率为93.85%,增透膜表面均方根粗糙度为0.979 nm,总的损耗约为6%。要得到高性能的193 nm增透膜,应选用超级抛光基底。 展开更多
关键词 氟化物薄膜 193nm增透膜 预镀层 基底 剩余反射率
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193nm薄膜激光诱导损伤研究 被引量:1
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作者 常艳贺 金春水 +1 位作者 邓文渊 李春 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期308-311,共4页
概述了193nm薄膜激光诱导损伤的研究进展。通过对紫外到深紫外波段几种典型薄膜损伤形貌的介绍,对比分析了193nm薄膜激光诱导损伤的可能原因。指出在该波段的氧化物薄膜损伤中,吸收是导致薄膜大块损伤的重要因素,而氟化物的薄膜损伤则... 概述了193nm薄膜激光诱导损伤的研究进展。通过对紫外到深紫外波段几种典型薄膜损伤形貌的介绍,对比分析了193nm薄膜激光诱导损伤的可能原因。指出在该波段的氧化物薄膜损伤中,吸收是导致薄膜大块损伤的重要因素,而氟化物的薄膜损伤则是由沉积过程的膜层局部缺陷造成。根据薄膜样品的损伤分析表明,薄膜的某些制备参量与激光损伤阈值相关联。为提高薄膜元件的抗激光损伤能力,分别从薄膜材料的选择、膜系设计的完善以及沉积工艺的优化等3个方面出发,总结出改善薄膜激光损伤阈值的方法。 展开更多
关键词 薄膜 193nm 损伤形貌 激光损伤阈值
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193nm深紫外固体激光技术探索 被引量:1
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作者 郑俊娟 秘国江 +2 位作者 王旭 毛小洁 钟国舜 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1068-1070,共3页
对193 nm深紫外激光技术实现途径进行了系统地分析,提出了一种可获得高重复频率、高光束质量的深紫外固体激光技术途径,分析了涉及的关键技术,对实用化深紫外固体激光源的研制具有一定的参考价值。
关键词 193nm深紫外激光 谐波转换 固体激光技术
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193nm光学薄膜激光量热吸收测试及系统校正 被引量:2
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作者 靳京城 金春水 邓文渊 《分析仪器》 CAS 2011年第1期59-64,共6页
高精度测量薄膜的吸收系数对于激光光学薄膜研究具有重大意义,而激光量热计是一种可靠灵敏的光学器件吸收测量工具。本文介绍了激光量热计的基本原理与实验装置。考虑到193nm波段的测量应用,讨论了系统的校正操作,包括能量探测器、样品... 高精度测量薄膜的吸收系数对于激光光学薄膜研究具有重大意义,而激光量热计是一种可靠灵敏的光学器件吸收测量工具。本文介绍了激光量热计的基本原理与实验装置。考虑到193nm波段的测量应用,讨论了系统的校正操作,包括能量探测器、样品热容、温度漂移、杂散光及热传导校正,以提高测量精度。 展开更多
关键词 193nm光学薄膜 吸收系数激光量热计 系统校正
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深紫外和频晶体CLBO产生193nm激光的频率变换 被引量:4
15
作者 周城 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1489-1492,共4页
简述了深紫外和频晶体CLBO的光学特性。根据相位匹配角公式、非线性有效系数公式、走离角公式和允许角公式,详细计算了CLBO晶体和频产生193 nm激光时的相位匹配角、非线性有效系数、和频时谐波走离角、允许角的具体数值。根据这些数值,... 简述了深紫外和频晶体CLBO的光学特性。根据相位匹配角公式、非线性有效系数公式、走离角公式和允许角公式,详细计算了CLBO晶体和频产生193 nm激光时的相位匹配角、非线性有效系数、和频时谐波走离角、允许角的具体数值。根据这些数值,并考虑产业化的要求,对目前几种和频方式进行了比较,最终选定波长为λ1=2 100 nm的o光和波长为λ2=213 nm的e光作为基频光进行和频的匹配方式。此方式相位匹配角为51.6°,具有大的非线性有效系数0.97,小的走离角3.7°,大的允许角1.9×10-6rad.mm,是非常理想的产生193 nm激光的匹配方式。 展开更多
关键词 频率变换 CLBO晶体 和频 193 nm激光
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0.1μm线宽主流光刻设备—193nm(ArF)准分子激光光刻 被引量:3
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作者 陈兴俊 胡松 +1 位作者 姚汉民 刘业异 《电子工业专用设备》 2002年第1期27-31,共5页
阐述了可实现 0 1μm线宽器件加工的几种候选光刻技术 ,对 193nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述 ,指出其在 0 1μm技术段的重要作用 ,并提出了研制 193nm(ArF)光刻设备的一些设想。
关键词 光学光刻 光刻设备 193nm光刻
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193nm光学光刻技术 被引量:4
17
作者 谢常青 叶甜春 《微电子技术》 1999年第4期9-12,共4页
目前看来,193nm光学光刻很有希望应用到0.13μm集成电路工业生产中去。本文从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机等方面对193nm光学光刻技术进行了分析,并介绍了它目前的一些进展情况,最后对它的应用前景进行了简要分析。
关键词 193nm光源 照明系统 掩模 光刻胶 光刻机
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193nm光致抗蚀剂用新型阻溶剂的合成及性能研究
18
作者 王文君 王力元 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2009年第2期251-254,共4页
以松香酸为主原料合成了适用于193nm光致抗蚀剂的新型阻溶促溶剂,并对其热稳定性、成像性质等进行了研究。结果表明:新型阻溶剂不仅具有良好的热稳定性和阻溶促溶作用,而且在193nm具有良好的透明性,可以应用于193nm光刻胶工艺。
关键词 193 nm光致抗蚀剂 阻溶剂 成像性质 热稳定性
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一种新型的193nm光致抗蚀剂用光产酸剂的性质分析
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作者 王文君 王力元 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2007年第1期136-140,共5页
合成了几种N-羟基马来海松酸酰亚胺磺酸酯,它们在常用的溶剂中有良好的溶解性,且具有良好的热稳定性。以聚乙二醇做成膜树脂,测定了这些化合物在膜层中的紫外吸收强度,表明它们在193nm处具有适当的吸收和良好的透明性。以254nm低压汞灯... 合成了几种N-羟基马来海松酸酰亚胺磺酸酯,它们在常用的溶剂中有良好的溶解性,且具有良好的热稳定性。以聚乙二醇做成膜树脂,测定了这些化合物在膜层中的紫外吸收强度,表明它们在193nm处具有适当的吸收和良好的透明性。以254nm低压汞灯作曝光光源,研究了这些化合物的光解性质和成像性质。 展开更多
关键词 193 nm光致抗蚀剂 光产酸剂 N-羟基马来海松酸酰亚胺磺酸酯 紫外吸收
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193nm光刻技术延伸方法 被引量:2
20
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2004年第11期14-16,共3页
介绍了提高193nm光刻分辨力的方法,如浸入式光刻技术、相位移技术等。并介绍了193nm浸入式光刻机的优点和前景。
关键词 193nm光刻机 浸入式光刻机 光刻分辨力 相位移
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