一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用

随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .

铁电存储器的基本单元及其工作模式

按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式。