基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电...基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在28 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V（脉宽1 ms,占空比30%）时,峰值输出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24 d B,输入电压驻波比在2.8以下,在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W,功率附加效率达到40%;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸为4.0 mm×5.0 mm。展开更多
文摘基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在28 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V（脉宽1 ms,占空比30%）时,峰值输出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24 d B,输入电压驻波比在2.8以下,在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W,功率附加效率达到40%;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸为4.0 mm×5.0 mm。
