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Preparation of CeO_(2) abrasives by reducing atmosphere-assisted molten salt method for enhancing their chemical mechanical polishing performance on SiO_(2)substrates 被引量:1
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作者 Ning Xu Jiahui Ma +2 位作者 Qi Liu Yuxin Luo Yongping Pu 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第10期1627-1635,I0006,共10页
Ce^(3+)as the active site on the CeO_(2)abrasive surface is the key to enhancing the material removal rate(MRR).The CeO_(2)abrasives with high chemical activity were prepared by the molten salt method under a reducing... Ce^(3+)as the active site on the CeO_(2)abrasive surface is the key to enhancing the material removal rate(MRR).The CeO_(2)abrasives with high chemical activity were prepared by the molten salt method under a reducing atmosphere.The crystal structure and morphology of CeO_(2)abrasive s were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),Fourier transform infrared spectroscopy(FT-IR),ultraviolet—visible diffuse reflectance spectroscopy(UV-Vis DRS),and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).The CeO_(2)abrasives were obtained under different atmospheres(Air,Ar,and Ar/H_(2)).With the enhancement of the reducing atmosphere,the morphology of the abrasives transforms from spherical to octahedral,while more oxygen vacancies and Ce^(3+)are generated on the surface of CeO_(2)abrasives.The CMP experiments show that the MRRs of the CeO_(2)-Air,CeO_(2)-Ar,and CeO_(2)-Ar/H_(2)abrasives on SiO_(2)substrates are 337.60,578.74,and 691.28 nm/min,respectively.Moreover,as confirmed by atomic force microscopy(AFM),the substrate surfaces exhibit low roughness(20.5 nm)after being polished using all of the prepared samples.Especially,the MRR of CeO_(2)-Ar/H_(2)abrasives is increased by 104.76%compared with CeO_(2)-air abrasives.The improved CMP performance is attributed to the increased Ce^(3+)concentration and the octahedral morphology of the abrasives enhancing the chemical reaction and mechanical removal at the abrasive-substrate interface. 展开更多
关键词 CeO_(2) Chemical mechanical polishing(CMP) Reducing atmosphere Material removal rate(MRR) Molten salt method Rare earths
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CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料的制备及其对蓝宝石抛光性能的影响 被引量:2
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作者 张雷 王海倩 +1 位作者 所世兴 于少明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期3021-3027,共7页
以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的... 以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的抛光机理。通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)-能谱仪(EDS)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)对样品的组成、形貌等进行表征。以所制备的复合磨料对蓝宝石晶片进行抛光,利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料中最佳的铈锆掺杂量为:铈掺杂量为1.5wt%,锆掺杂量为1.0wt%,材料去除速率可以达到36.1 nm/min,表面粗糙度可以达到0.512 nm,而相同条件下纯硅溶胶抛光后的蓝宝石表面粗糙度为1.59 nm,材料去除速率为18.4nm/min,该复合磨料表现出较好的抛光性能。 展开更多
关键词 CeO2/ZrO2硅溶胶 复合磨料 化学沉淀法 蓝宝石抛光 单分散
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Wolter-Ⅰ型掠入射反射镜的加工 被引量:2
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作者 王永刚 崔天刚 +2 位作者 马文生 陈斌 陈波 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期743-753,共11页
针对Wolter-Ⅰ型掠入射反射镜柱面内表面的特殊结构,研究了弹性球状小磨头以旋偏方式运动逐环带修正面形时的去除函数模型。分析了相关工艺参数,如磨头-工件旋转角速度比、旋偏角大小、磨头中心压强以及磨头和工件的趋近距离对去除函数... 针对Wolter-Ⅰ型掠入射反射镜柱面内表面的特殊结构,研究了弹性球状小磨头以旋偏方式运动逐环带修正面形时的去除函数模型。分析了相关工艺参数,如磨头-工件旋转角速度比、旋偏角大小、磨头中心压强以及磨头和工件的趋近距离对去除函数的影响,通过实验获得了驻留时间和去除函数中心去除深度的关系。采取两步加工法控制研抛后的表面质量,分析表明:当磨头-工件角速度比为1.41时,反射镜的表面质量最好。介绍了计算机控制光学表面成形(CCOS)法加工Wolter-Ⅰ型掠入射反射镜的过程。选择微晶玻璃为反射镜的镜胚,在自行研制的研抛设备上,以不同粒径的氧化铈作为抛光液,对金刚砂砂轮粗磨后的工件进行抛光。通过改变磨头相对工件的压入深度,获得不同大小的磨头去除区域,实现了对上一个抛光周期后的残留误差的有效去除。最终获得的反射镜面形精度为PV:1.39μm,RMS:0.34μm,圆度均方根误差优于0.1μm。实验结果表明:提出的两步法旋偏加工方案可用于掠入射反射镜的加工。 展开更多
关键词 掠入射反射镜 柱面内表面 弹性球状小磨头 两步加工法 表面质量
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氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英) 被引量:7
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作者 汪为磊 刘卫丽 +2 位作者 白林森 宋志棠 霍军朝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1109-1114,共6页
为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出... 为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出了化学反应机理,即N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷接枝到氧化铝表面。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)表征了改性氧化铝颗粒的组成和结构。结果表明:N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷已被成功地接枝到氧化铝颗粒的表面,导致改性比未改性的氧化铝颗粒具有更好的化学和机械性能。测试了未改性和改性的氧化铝颗粒在蓝宝石基底上的CMP性能。结果显示:改性氧化铝颗粒比未改性氧化铝颗粒有更高的材料去除速率和更好的表面质量。即,改性氧化铝颗粒在p H=10时比未改性氧化铝颗粒在p H=13.00时表现出更高的材料去除率,这将为减少设备腐蚀提供新思路。 展开更多
关键词 改性方法 N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷 化学机械抛光 CMP 氧化铝抛光液
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均一亚微米级氧化铈抛光粉的制备 被引量:3
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作者 戴蒙姣 陈国美 +3 位作者 倪自丰 章平 钱善华 卞达 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第4期428-432,共5页
为得到均一的亚微米级二氧化铈(CeO_(2))抛光粉,以六水合硝酸铈(Ce(NO_(3))_(3)·6H_(2)O)为原料,以醇-水混合溶液为溶剂,采用溶剂热法合成CeO_(2)。改变Ce^(3+)浓度和醇-水体积比,利用X射线衍射仪(XRD)、激光粒度分布仪、扫描电子... 为得到均一的亚微米级二氧化铈(CeO_(2))抛光粉,以六水合硝酸铈(Ce(NO_(3))_(3)·6H_(2)O)为原料,以醇-水混合溶液为溶剂,采用溶剂热法合成CeO_(2)。改变Ce^(3+)浓度和醇-水体积比,利用X射线衍射仪(XRD)、激光粒度分布仪、扫描电子显微镜(SEM)对CeO_(2)的物相组成和形貌特征进行表征,分析CeO_(2)粒子的形成过程。将合成的CeO_(2)用于6H-SiC晶片Si面的化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP),利用原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)和电子天平得出CeO_(2)的抛光性能。结果表明:Ce^(3+)浓度为0.10 mol/L,醇-水体积比为3∶1时合成的CeO_(2)的形貌规则、晶粒尺寸适中且粒度分布均匀。采用其抛光后,晶片表面粗糙度Ra为0.243 nm,材料去除速率d_(MRR)为287 nm/h。合成的CeO_(2)适用于化学机械抛光。 展开更多
关键词 CEO2 均一 溶剂热法 化学机械抛光
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