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2.5D TSV封装结构热应力可靠性研究 被引量:6
1
作者 李梦琳 张欲欣 肖泽平 《电子工艺技术》 2020年第3期153-155,共3页
通过热应力有限元仿真及基于“菊花链”假片样品的温度循环累积试验,对采用2.5D TSV硅转接基板的超大规模FC芯片焊接组件进行了热应力可靠性论证。获取2.5D TSV封装结构在温度场作用下的应力分布,使用“菊花链”串联结构在多次温度循环... 通过热应力有限元仿真及基于“菊花链”假片样品的温度循环累积试验,对采用2.5D TSV硅转接基板的超大规模FC芯片焊接组件进行了热应力可靠性论证。获取2.5D TSV封装结构在温度场作用下的应力分布,使用“菊花链”串联结构在多次温度循环作用下的阻值变化率来表征焊点的退化速率,为其在高可靠集成电路及SiP系统集成模块中的应用提供可靠性评价依据。 展开更多
关键词 2.5d tsv 硅基板 倒装焊 热应力 有限元仿真
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基于质量保证前移的TSV硅转接板检验评价方法
2
作者 刘莹莹 刘沛 +2 位作者 付琬月 付予 张立康 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期19-24,共6页
TSV作为目前公认最先进的新型高密度封装工艺之一,其结构工艺极为复杂,当前国内鲜有大规模应用及工程适用的质量与可靠性评价方法,相关统一标准尚未完全建立。本文以目前相对成熟并已形成行业共识的2.5D封装中TSV硅转接板为对象,结合其... TSV作为目前公认最先进的新型高密度封装工艺之一,其结构工艺极为复杂,当前国内鲜有大规模应用及工程适用的质量与可靠性评价方法,相关统一标准尚未完全建立。本文以目前相对成熟并已形成行业共识的2.5D封装中TSV硅转接板为对象,结合其工艺结构特点以及实际产品生产试验的一线数据,研究提出了基于保证前移TSV硅转接板质量检验及可靠性评价方法,为TSV工艺产品的工艺质量监控、检验评价、可靠性保证及相关标准规范制定提供了一套成熟的解决方案。 展开更多
关键词 tsv 硅转接板 质量检验 可靠性评价 2.5d封装
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硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展 被引量:10
3
作者 刘晓阳 刘海燕 +2 位作者 于大全 吴小龙 陈文录 《电子与封装》 2015年第8期1-8,共8页
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三... 以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 转接板 微组装技术 基板 2.5d/3D集成
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基于Weibull分布2.5D封装热疲劳可靠性评估 被引量:1
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作者 孙戈辉 吴志军 王茉 《信息技术与标准化》 2021年第8期63-66,72,共5页
针对2.5D立体封装中热膨胀系数及结构尺寸均存在较大差异、极易在热应力作用下产生热疲劳失效的可靠性问题,开展多芯片硅基集成封装互连界面温度循环加速试验,并基于Weibull分布对2.5D封装互连界面热适配性能进行评估分析,实现了2.5D封... 针对2.5D立体封装中热膨胀系数及结构尺寸均存在较大差异、极易在热应力作用下产生热疲劳失效的可靠性问题,开展多芯片硅基集成封装互连界面温度循环加速试验,并基于Weibull分布对2.5D封装互连界面热适配性能进行评估分析,实现了2.5D封装可靠性指标的评估和失效率鉴定方案的制定。 展开更多
关键词 2.5d封装 tsv硅转接板 温度交变 WEIBULL分布 可靠性评估
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Amkor的2.5D和HDFO封装-先进异构芯片封装解决方案
5
作者 李吕祝 Mike Kelly 《中国集成电路》 2018年第12期71-75,79,共6页
科技的大浪潮,正向人工智能、深度学习、云端计算、超级电脑等领域快速发展,而这些前沿技术都有一个共同特点,那就是超高性能的高速芯片(IC)。除了主芯片自身往更先进的工艺节点推进外,还可能与更高带宽的内存(High Bandwidth Memory,HB... 科技的大浪潮,正向人工智能、深度学习、云端计算、超级电脑等领域快速发展,而这些前沿技术都有一个共同特点,那就是超高性能的高速芯片(IC)。除了主芯片自身往更先进的工艺节点推进外,还可能与更高带宽的内存(High Bandwidth Memory,HBM),或更高传输速度的串行解串器(Serdes),或其它特定功能的芯片,整合成异构芯片封装(Heterogeneous Package),将整体效能推向极致。为了实现这样的功能,异构芯片集成的封装技术将扮演至关重要的角色。本文介绍由Amkor开发的封装技术平台,包括2.5D硅通孔(TSV)介质层(Interposer)、基板上芯片(CoS)、晶圆上芯片(CoW)、高密度扇出型封装(HDFO),以及电子设计自动化(EDA)设计流程和测试解决方案。为了达到大规模生产此类先进封装的能力,文章还将介绍最先进的高洁净度高自动化封装工厂K5,以高技术和高质量帮助客户实现其高速性能的目标。 展开更多
关键词 2.5d tsv Interposer COS COW HDFO HETEROGENEOUS PACKAGE Amkor
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集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展
6
作者 黎科 张鑫硕 +2 位作者 夏启飞 钟毅 于大全 《电子与封装》 2024年第6期109-118,共10页
集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供... 集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供电,可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题,提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新,微纳米尺度TSV技术在一些领域取得了显著进展,为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV技术,并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结,同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。 展开更多
关键词 先进互连技术 2.5d/3D芯粒集成 背面供电 高深宽比tsv
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晶圆级多层堆叠技术 被引量:3
7
作者 郑凯 周亦康 +3 位作者 宋昌明 蔡坚 高颖 张昕 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期178-187,共10页
随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求。晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽... 随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求。晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽和功耗等方面指标提升的重要备选方案之一。对目前已有的晶圆级多层堆叠技术及其封装过程进行了详细介绍;并对封装过程中的两项关键工艺,硅通孔工艺和晶圆键合与解键合工艺进行了分析;结合实际封装工艺对晶圆级多层堆叠过程中的可靠性管理进行了论述。在集成电路由二维展开至三维的发展过程中,晶圆级多层堆叠技术将起到至关重要的作用。 展开更多
关键词 晶圆级多层堆叠 2.5d和3D封装 硅通孔(tsv) 晶圆键合与解键合 可靠性管理
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面向微系统集成的高可靠陶瓷封装设计与仿真
8
作者 张涛 吴鹏 +1 位作者 胡培峰 冯长磊 《信息技术与标准化》 2021年第7期11-15,20,共6页
微系统技术在集成设计、特性评估方面存在诸多难题,以一款采用2.5D TSV、芯片堆叠技术的微系统陶瓷封装为研究对象,详细阐述了微系统封装方案设计、电学布局布线设计、热学设计以及电学、热学、力学仿真分析等内容,并介绍了如何针对仿... 微系统技术在集成设计、特性评估方面存在诸多难题,以一款采用2.5D TSV、芯片堆叠技术的微系统陶瓷封装为研究对象,详细阐述了微系统封装方案设计、电学布局布线设计、热学设计以及电学、热学、力学仿真分析等内容,并介绍了如何针对仿真分析结果开展结构的优化设计,以获得更好的封装性能,对面向微系统集成的高可靠陶瓷封装设计与仿真具有指导性作用。 展开更多
关键词 微系统技术 2.5d tsv芯片堆叠 高可靠陶瓷封装 封装设计与仿真
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Flip Chip Die-to-Wafer Bonding Review:Gaps to High Volume Manufacturing
9
作者 Mario Di Cino Feng Li 《Semiconductor Science and Information Devices》 2022年第1期8-13,共6页
Flip chip die-to-wafer bonding faces challenges for industry adoption due to a variety of technical gaps or process integration factors that are not fully developed to high volume manufacturing(HVM)maturity.In this pa... Flip chip die-to-wafer bonding faces challenges for industry adoption due to a variety of technical gaps or process integration factors that are not fully developed to high volume manufacturing(HVM)maturity.In this paper,flip-chip and wire bonding are compared,then flip-chip bonding techniques are compared to examine advantages for scaling and speed.Specific recent 3-year trends in flip-chip die-to-wafer bonding are reviewed to address the key gaps and challenges to HVM adoption.Finally,some thoughts on the care needed by the packaging technology for successful HVM introduction are reviewed. 展开更多
关键词 Flip chip Die-to-Wafer(D2W) Chip-to-Wafer(C2W) Chip-scale packaging(CSP) High volume manufacturing(HVM) Known good die(KGD) Through silicon via(tsv) Reliability
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TXV Technology:The cornerstone of 3D system-in-packaging 被引量:3
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作者 ZHAO HeRan CHEN MingXiang +3 位作者 PENG Yang WANG Qing KANG Min CAO LiHua 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第9期2031-2050,共20页
System-in-packaging(Si P) can realize the integration and miniaturization of electronic devices and it is significant to continue Moore’s law.Through-X-via(TXV) technology is the cornerstone of 3 D-SiP,which enables ... System-in-packaging(Si P) can realize the integration and miniaturization of electronic devices and it is significant to continue Moore’s law.Through-X-via(TXV) technology is the cornerstone of 3 D-SiP,which enables the vertical stacking and electrical interconnection of electronic devices.TXV originated from through-hole(TH) in PCB substrates and evolved in different substrate materials,such as silicon,glass,ceramic,and polymer.This work provides a comprehensive review of four distinguishing TXV technologies(through silicon via(TSV),through glass via(TGV),through ceramic via(TCV),and through mold via(TMV)),including the fabrication mechanisms,processes,and applications.Every TXV technology has unique characteristics and owns particular processes and functions.The process methods,key technologies,application fields,and advantages and disadvantages of each TXV technology were discussed.The cutting-edge through-hole process and development direction were reviewed. 展开更多
关键词 through silicon via(tsv) through ceramic via(TCV) through glass via(TGV) through mold via(TMV) 3D packaging chip stacking interposer
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