248 nm高反膜抗激光损伤性能

用电子束蒸发法在熔融石英基底上沉积了适用于248nm的HfO2/SiO2高反膜,为提高其抗激光损伤能力,设计并制备了两种保护层,一种是在常规高反膜系的基础上镀制二分之一波长厚度的SiO2保护层,另一种是用Al2O3/MgF2做保护层。测试了3种高反膜样品的激光损伤情况,通过损伤形貌的变化分析了两种保护层使抗激光损伤能力提高的原因以及存在的问题。

基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT

报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升。

基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。

248 nm透过率线性渐变光学薄膜的设计与制备

线性渐变透过率薄膜元件是光刻系统中光可变衰减器的关键元件。采用电子束蒸发实现了近线性248 nm渐变透过率光学薄膜的设计与制备。通过对敏感度进行计算和优化,基于减反膜基础膜系实现了低敏感非规整膜系的设计。采用紫外光控-晶控组合的高精度膜厚监控措施,可使膜厚的控制精度达到0.3%,误差容忍度达到0.5%。在248 nm S偏振光照射下,采用JGS1熔融石英基片以及Al2O3和SiO2膜料制备的透射膜,在入射角为21°~35°的范围内实现了透过率从10%到97.8%的线性调控,满足光可变衰减器的性能需求。

248nm紫外激光照射高温硫化硅橡胶实验及老化机理探讨

高温硫化硅橡胶(high-temperature vulcanizationsilicone rubber,HTV)通常作为特高压直流输电的复合绝缘子的外套材料,而其老化问题是危害输电线路可靠性的重要原因之一。文章通过248 nm紫外激光照射HTV进行了加速老化试验,并对照射前后样品进行了接触角、扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)、傅里叶红外变换光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)以及X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)测试。结果表明:在紫外激光照射下,样品接触角呈减小趋势;材料表面出现浅坑,粗糙度变大,部分填充物外露。结合FTIR和XPS的结果,初步探讨了紫外老化机理,分析认为:照射后的样品中有部分C-H键、Si-CH3键和Si-O-Si键被打断而形成自由基,同时形成了亲水性-COOH或者-CH2OH;在含氧气氛中,O和Si交联形成了SiOx(x=3或4)。紫外激光照射HTV造成了其物理老化和光氧化老化。

248nm深紫外光刻胶

本文从化学增幅技术的产生,深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248nm胶的发展与进步.

248nm紫外显微镜微纳线宽校准方法的研究

248nm波长照明的紫外显微镜能够获得高达80nm的光学分辨率，可以实现对掩模板的线宽和一维／二维栅格参数的测量。作为测量仪器的248nm紫外显微镜需要对其进行校准。该显微镜测量范围在nm量级，校准使用400nm一维栅格标准物质，通过对仪器不确定度和标准物质自身不确定度的评估，得到采集图像每个像素的扩展不确定度为0．178nm，并给出了实际测量时的不确定度评价公式。

一种248nm光刻胶成膜树脂的合成及相关性能研究

通过自由基共聚合,制备了前驱体共聚物聚对特丁氧酰氧基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯,该共聚物可以通过热解而部分脱除酚羟基上的保护基,得到目标共聚物聚对羟基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯-共-对特丁氧酰氧基苯乙烯.通过对具有合适分子量的目标共聚物的有机溶剂溶解性、热性能、成膜性、抗干蚀刻能力和在248nm处光学吸收(为0.212μm-1)性能进行研究,表明该聚合物能满足248nm光刻胶成膜树脂的要求;此外,目标共聚物还具有酸致脱保性能.具有合适分子量和脱保率的目标共聚物,通过对其酸解留膜率的测试,推测其可能满足248nm光刻胶的曝光显影工艺过程.

248nm光刻胶单体对羟基苯乙烯及其衍生物的合成工艺研究

以对羟基苯甲醛(PHB)为起始原料,首先合成中间体对羟基肉桂酸(PHCA),然后再通过脱羧反应,制备对羟基苯乙烯(PHS),最后再由PHS出发,分别合成对乙酰氧基苯乙烯(PAS)和对特丁氧酰氧基苯乙烯(PTBOCS)。主要考察了反应溶剂及分离提纯方法对产品制备工艺的影响。研究结果表明:以4-甲基吡啶代替吡啶作为反应溶剂制备中间体PHCA,采用成盐法纯化PHS、萃取法精制PAS和PTBOCS,所得目标产物PHS产率为93%、PAS产率为88%、PT-BOCS产率为85%,产品纯度均大于98%。

193nm和248nm波长准分子激光对玻璃及聚合物刻蚀特性的比较

将波长为193 nm的Ar F准分子激光和波长为248 nm的Kr F准分子激光经光学系统分别垂直照射到不同材料的表面,通过改变激光脉冲数目,在大气背景下进行实验,用三维轮廓仪对照射后的样品表面形貌及表面粗糙度进行测试分析。研究了准分子激光与非金属材料相互作用的机理,并对比得到了193、248 nm激光对聚合物材料PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)及HF4光学玻璃的刻蚀特性。结果表明:在激光能量密度为1.5 J/cm2时,波长193 nm激光比波长248 nm激光在刻蚀PMMA时能得到更好的效果,而在刻蚀HF4光学玻璃时却恰好相反。在准分子激光与非金属材料相互作用的过程中,既不是光源的波长越短,刻蚀效果越好,也不是光与物质相互作用中的光化学机理所占的比重越大,刻蚀效果越好;最终刻蚀效果的好坏取决于很多因素。

248nm光致抗蚀剂成膜树脂研究进展

光致抗蚀剂(photoresist)是制造超大规模集成电路的关键性材料之一,随着集成电路集成度的不断增加,光致抗蚀剂由g线(436nm)胶、i线(365nm)胶,逐渐发展到深紫外(DUV)(248nmKrF与193 nm ArF)胶。成膜树脂作为光致抗蚀剂的主要成分之一,决定了抗蚀剂的主要性能,因此研究成膜树脂具有重要的意义。本文综述了248 nm KrF光致抗蚀剂成膜树脂的研究进展,重点介绍了聚对羟基苯乙烯及其衍生物,并简要介绍了其合成方法及成像机理。

248nm光刻胶用丙烯酸酯共聚物的合成与性能

以对乙酰氧基苯乙烯(ASM)、丙烯酸叔丁酯(TBA)、丙烯酸四氢呋喃酯(TA)和2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯(MAM)为单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,通过自由基聚合制备了不同MAM含量的丙烯酸酯类共聚物P(ASMco-TBA-co-TA-co-MAM)(PATTM),加入一定量的甲醇钠和甲醇进行醇解,制得丙烯酸酯类共聚物PATTM-A。用傅里叶变换红外光谱、核磁共振氢谱、凝胶渗透色谱、差示扫描量热法等方法对共聚物PATTM和PATTM-A的结构与性能进行了表征;以PATTM-A为基体树脂配制了光刻胶,利用扫描电子显微镜测试了光刻胶分辨率。结果表明,随着MAM含量升高,PATTM-A的相对分子质量下降,玻璃化转变温度升高,耐碱性增强,所制备的光刻胶分辨率可达0.5μm。

PHOTODISSOCIATION OF CH_3I DIMER AT 248nm

Photodissociation of CH_aI dimer at 248nm is studied on a rotatable crossed laser—molecular beam apparatus,About 93% of the available energy goes into the internal excitation,wlich is much higher than in the case of CH_3I monomer.

准分子激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机理研究

利用光学显微镜和扫描电子显微镜对248 nm准分子脉冲强激光辐照的HgCdTe晶片表面进行了观察,观察到一些与红外波段内激光辐照HgCdTe晶片时大不相同的实验现象。研究表明,红外波段内1 064nm激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机制主要为光热作用,而紫外波段248 nm准分子激光对HgCdTe材料的损伤机制既包含光化学作用也包含光热作用。分析了准分子激光对晶体的机械破坏现象,同时对HgCdTe材料在激光辐照区的条纹产生机理进行了探讨,发现激光驱动声波理论模型比光学模型和热导波模型能更好地解释HgCdTe晶体表面的条纹现象。

准分子激光对半导体材料HgCdTe和Si的损伤实验研究

本文利用光学显微镜和扫描电镜对248nm准分子强激光辐照HgCdTe和Si晶片的表面损伤形貌和损伤过程进行了对比分析,结果表明在248nm准分子激光作用下,HgCdTe材料主要表现为解离剥蚀破坏和熔融烧蚀破坏,准分子激光对其损伤机理既包含光化学作用也包含光热作用;而Si材料则主要表现为熔融烧蚀破坏,准分子激光对其损伤机理主要为光热作用。