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300 mm硅片技术发展趋势探讨
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作者 刘赟 薛忠营 +1 位作者 魏星 李炜 《微纳电子与智能制造》 2022年第1期14-29,共16页
单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一... 单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。 展开更多
关键词 单晶硅 450 mm 300 mm 器件应用 硅片性能
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包钢X65管线钢Φ300 mm圆铸坯的试制
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作者 麻晓光 王天瑶 张秀平 《特殊钢》 北大核心 2010年第2期43-44,共2页
包钢钢联股份有限公司炼钢厂采用120 t顶底复吹转炉-100 t LF(VD)-5流Φ300 mm铸坯连铸工艺流程试生产X65管线钢13MnNbTi(%:0.10~0.16C、1.20~1.40Mn、0.03~0.05Nb、0.01~0.02Ti、0.025~0.05Al)。生产实践表明,通过铁水脱硫([S]≤0... 包钢钢联股份有限公司炼钢厂采用120 t顶底复吹转炉-100 t LF(VD)-5流Φ300 mm铸坯连铸工艺流程试生产X65管线钢13MnNbTi(%:0.10~0.16C、1.20~1.40Mn、0.03~0.05Nb、0.01~0.02Ti、0.025~0.05Al)。生产实践表明,通过铁水脱硫([S]≤0.005%),转炉挡渣出钢,精炼渣碱度≥3.0,VD处理≥13 min,可以使[S]≤0.005%、[P]≤0.015%、[H]≤1.5×10^(-6)。通过全程保护浇铸和结晶器电磁搅拌工艺,钢中氧含量(13~21)×10^(-6),平均氧含量16.44×10^(-6),铸坯表面质量良好,低倍组织0~1级。 展开更多
关键词 X65级管线钢 Φ300mm圆铸坯 工艺实践
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提高HN700 mm×300 mm型钢成材率的实践 被引量:3
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作者 张国锋 郭善莉 莫日格吉勒 《包钢科技》 2017年第4期34-36,共3页
文章对HN700 mm×300 mm型钢轧制缺陷产生的原因进行了分析,并提出了消除轧制缺陷的方法。通过减少轧制缺陷,提高了HN700 mm×300 mm型钢的成材率,并将消除HN700 mm×300 mm型钢轧制缺陷的经验运用到其它规格H型钢的生产中。
关键词 HN700 mm×300 mm型钢 轧制缺陷 成材率 轧件
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GCr15轴承钢300 mm×400 mm连铸坯1180~1260℃加热时间对Φ60 mm材带状组织的影响 被引量:5
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作者 余雷 田浩 李博鹏 《特殊钢》 北大核心 2018年第3期51-53,共3页
GCr15轴承钢(/%:0.95~1.05C,0.20~0.30Si,0.30~0.40Mn,1.40~1.50Cr)300 mm×400 mm连铸坯的生产流程为120 t BOF-LF-RH-CC-连轧至Φ60 mm材。生产试验了连铸坯1 180~1 260℃高温扩散时间4.5~24 h对Φ60 mm热轧材碳化物带状的... GCr15轴承钢(/%:0.95~1.05C,0.20~0.30Si,0.30~0.40Mn,1.40~1.50Cr)300 mm×400 mm连铸坯的生产流程为120 t BOF-LF-RH-CC-连轧至Φ60 mm材。生产试验了连铸坯1 180~1 260℃高温扩散时间4.5~24 h对Φ60 mm热轧材碳化物带状的影响。结果表明,随保温时间的增加,热轧材带状级别降低,当保温时间为4.5~6.5 h、6.5~10 h和≥13 h时,Φ60 mm材的带状级别分别达2.5级、2.0级和1.5级。可根据不同带状级别要求,设定相应的保温时间。 展开更多
关键词 GCR15轴承钢 300 mm×400 mm连铸坯 高温扩散 碳化物带状
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8620系齿轮钢300 mm×360 mm连铸坯宏观偏析改善的工艺实践 被引量:5
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作者 刘勇 高鹏 《特殊钢》 北大核心 2018年第6期43-46,共4页
8620齿轮钢(/%:0. 18~0.22C,0. 17~0.26Si,0.70~0.90Mn,≤0.025P,0. 15~0.23S, 0.40~0.60Cr,0.40~0.70Ni,0.15~0.25Mo)300 mm×360 mm坯连铸的中间包钢水过热度为20~30℃,拉速为0.5~0. 6 m/min,通过钻孔分析、射钉试验、... 8620齿轮钢(/%:0. 18~0.22C,0. 17~0.26Si,0.70~0.90Mn,≤0.025P,0. 15~0.23S, 0.40~0.60Cr,0.40~0.70Ni,0.15~0.25Mo)300 mm×360 mm坯连铸的中间包钢水过热度为20~30℃,拉速为0.5~0. 6 m/min,通过钻孔分析、射钉试验、原位分析和铸坯低倍组织分析,研究了电磁搅拌参数[M-EMS(100~200) A,(2.0~2.2)Hz,F-EMS(150~200)A,8 Hz]和二冷水参数(一段28 L/min,二段38~45.6 L/min,三段19.2~24L/min)对连铸坯C、S偏析的影响。通过采用优化工艺参数-二冷一段28 L/min,二段45. 6 L/min,三段19. 2 L/min和电磁搅拌M-EMS 150 A,2. 2 Hz,F-EMS 200 A,8 Hz,8620系齿轮钢连铸坯偏析指数0. 98~1. 05的比例由原30%提高至92.8%。 展开更多
关键词 8620系齿轮钢 300 mm×360 mm铸坯 宏观偏析 电磁搅拌 二冷水
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Tata携手力积电,打造印度首座300mm晶圆厂
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《中国集成电路》 2024年第4期64-64,共1页
2月29日,力积电宣布将协助Tata Electronics公司于古吉拉特邦(Gujarat)多雷拉(Dholera)兴建全印度第一座300mm晶圆厂,预计在今年内动工,未来可望在当地创造超过2万个工作机会。据了解,Tata Electronics为印度最大企业Tata Sons集团旗下... 2月29日,力积电宣布将协助Tata Electronics公司于古吉拉特邦(Gujarat)多雷拉(Dholera)兴建全印度第一座300mm晶圆厂,预计在今年内动工,未来可望在当地创造超过2万个工作机会。据了解,Tata Electronics为印度最大企业Tata Sons集团旗下的全资子公司,Tata Electronics未来计划在多雷拉300mm晶圆厂生产电源管理、面板驱动芯片,以及微控制器、高速计算逻辑芯片,进军车用、计算与存储、无线通信及人工智能等终端应用市场。 展开更多
关键词 古吉拉特邦 电源管理 人工智能 终端应用 全资子公司 无线通信 300mm晶圆厂 逻辑芯片
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300mm直径硅外延片均匀性控制方法 被引量:1
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作者 吴会旺 刘建军 +2 位作者 米姣 薛宏伟 袁肇耿 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第12期942-945,991,共5页
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一。使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片。相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面... 随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一。使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片。相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性。实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性。通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8%,电阻率不均匀性为1.62%(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm直径硅外延片的外延层厚度和电阻率均匀性控制水平。 展开更多
关键词 300 mm直径 硅外延片 五路进气结构 厚度均匀性 电阻率均匀性
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抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究 被引量:7
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作者 王同庆 韩桂全 +2 位作者 赵德文 何永勇 路新春 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期394-399,共6页
利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去... 利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去除率、片内非均匀性、碟形凹陷和腐蚀的影响规律.结果表明:IC1010比IC1000的硬度低、压缩率高、粗糙度大,IC1000为网格状沟槽、沟槽较宽、分布较稀,IC1010为同心圆沟槽、沟槽较细、分布较密;相同条件下IC1010比IC1000的材料去除率大、片内非均匀性好;在相同线宽下IC1000与IC1010的腐蚀几乎一致,IC1010的碟形凹陷比IC1000的略大. 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 300mm晶圆 铜互连 材料去除率 非均匀性 碟形凹陷
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300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析 被引量:9
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作者 库黎明 闫志瑞 +2 位作者 索思卓 常青 周旗钢 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期373-376,共4页
建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘... 建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度。优化四个转速,可以显著改善300mm硅片表面的平整度和局部平整度。 展开更多
关键词 300 mm硅片 双面抛光 数学模拟 轨迹 平整度
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300mm晶圆化学机械抛光机关键技术研究与实现 被引量:8
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作者 王同庆 路新春 +2 位作者 赵德文 门延武 何永勇 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期182-187,共6页
在芯片微细化和互连多层化趋势下,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)成为集成电路制造的核心技术。针对300 mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300 mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状,开展300 mm晶圆CMP装备关键技... 在芯片微细化和互连多层化趋势下,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)成为集成电路制造的核心技术。针对300 mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300 mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状,开展300 mm晶圆CMP装备关键技术研究。研制出300 mm晶圆多区压力抛光头及其压力控制系统,该抛光头具有多区压力、浮动保持环及真空吸附等功能,每个腔室均可实现施加正压、抽负压、通大气和泄漏检测;压力控制系统性能测试结果表明,该系统可实现689.5 Pa的超低压力,其精度和响应速度均能满足常规压力及超低压力CMP的要求;开发了300 mm晶圆超低压力CMP样机,创建出一套比较稳定、可靠的工艺流程,并利用该样机初步开展铜CMP试验研究。试验结果表明:抛光压力为15.169 kPa时,材料去除率达671.3 nm/min,片内非均匀性为3.93%。 展开更多
关键词 300 mm晶圆 抛光头 多区压力 超低压力 化学机械抛光
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双面抛光工艺中压力对300mm硅片表面形貌的影响 被引量:8
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作者 库黎明 李耀东 +1 位作者 周旗钢 王敬 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期134-137,共4页
利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间... 利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固-液混合接触区时,协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系,使之达到平衡,可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。 展开更多
关键词 硅片 双面抛光 非接触式光学轮廓仪 表面形貌
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300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析 被引量:2
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作者 高宇 周旗钢 +1 位作者 戴小林 肖清华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期585-589,共5页
采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方... 采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了<100>硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。 展开更多
关键词 热应力 模拟 300 mm 硅单晶
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300mm Si片加工及最新发展 被引量:1
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作者 库黎明 闫志瑞 +1 位作者 索思卓 周旗钢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1153-1156,共4页
65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是... 65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层。而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀。对目前300 mmSi片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mmSi片加工工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 300mm Si片 磨削 抛光 清洗
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结晶器保护渣对300mm×360mm低碳钢连铸坯表面质量的影响和成分优化 被引量:2
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作者 曾亚南 孙彦辉 +3 位作者 艾西 马志飞 刘瑞宁 刘泳 《特殊钢》 北大核心 2014年第4期24-27,共4页
钢厂使用原保护渣[/%:25.64CaO,22.72Si02,5.69MgO,8.29A1202,11.87(Na20+K20),5.49CaF2,5.10BaO]生产的300mm×360mm低碳钢连铸坯表面易产生网状裂纹。通过分析保护渣润滑性能与铸坯冶金质量之相关性和研究碱度... 钢厂使用原保护渣[/%:25.64CaO,22.72Si02,5.69MgO,8.29A1202,11.87(Na20+K20),5.49CaF2,5.10BaO]生产的300mm×360mm低碳钢连铸坯表面易产生网状裂纹。通过分析保护渣润滑性能与铸坯冶金质量之相关性和研究碱度、MgO和A1。0,对保护渣熔点的影响,CaF2和碱土金属化合物含量对保护渣粘度影响,优化了保护渣的成分E/%:22.06CaO,23.63S102,4.76MgO,8.29A1203,11.90(Na20+K20),2.32CaF2,4.18BaO],应用结果表明,使保护渣液层的厚度由原保护渣的6—7.5mm提高到7—10mm,完全消除了连铸坯的网状裂纹。 展开更多
关键词 低碳钢 300 mm×360 mm连铸坯 结晶器保护渣 粘度 熔点 成分优化
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300mm×300mm EA4T车轴钢坯生产工艺实践 被引量:2
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作者 张春红 杨接明 唐雪萍 《特殊钢》 北大核心 2012年第1期38-40,共3页
EA4T车轴钢(/%:0.22~0.29C、0.15~0.40Si、0.50~0.80Mn、≤0.020P、≤0.015S、0.90~1.20Cr、0.15~0.30Mo、≤0.06V)采用30 t EBT电弧炉40 t LF/VD-5 t铸锭工艺生产,并经8 MN油压机锻成300 mm x300mm钢坯,锻造比≥9。结果表明,EA4T... EA4T车轴钢(/%:0.22~0.29C、0.15~0.40Si、0.50~0.80Mn、≤0.020P、≤0.015S、0.90~1.20Cr、0.15~0.30Mo、≤0.06V)采用30 t EBT电弧炉40 t LF/VD-5 t铸锭工艺生产,并经8 MN油压机锻成300 mm x300mm钢坯,锻造比≥9。结果表明,EA4T钢[O]为(12-15)×10^(-6),[H]为(1.2~1.6)×10^(-6),经900~920℃淬火,600~650℃回火后,抗拉强度R_m721~745 N/mm^2,屈服强度R_eh463~470 N/mm^2,伸长率A_5 19.0%~19.5%,纵向冲击功53~73 J,横向冲击功36~41 J,组织为贝氏体一回火马氏体,10~7循环疲劳极限为350 N/mm^2。 展开更多
关键词 300 mm×300 mm EA4T车轴钢坯 30t EBT电弧炉-40t LF/VD.5t铸锭 多向锻造 力学性能 疲劳极限
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260mm×300mm合金钢连铸坯质量控制集成技术的开发和应用 被引量:2
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作者 何庆文 毛成杰 +1 位作者 王广连 王福明 《特殊钢》 北大核心 2011年第2期27-29,共3页
简述了莱钢50 t EAF-LF(VD)-CC流程中合金钢260 mm×300 mm连铸坯质量控制集成技术的开发和应用效果。通过合理的铸坯纯净度和全程保护浇铸,二冷动态控制的二冷工艺设备设计,工艺设备精度参数群优化,热装工艺的铸坯质量在线预报判... 简述了莱钢50 t EAF-LF(VD)-CC流程中合金钢260 mm×300 mm连铸坯质量控制集成技术的开发和应用效果。通过合理的铸坯纯净度和全程保护浇铸,二冷动态控制的二冷工艺设备设计,工艺设备精度参数群优化,热装工艺的铸坯质量在线预报判定系统等控制技术的开发,提高了铸坯质量,钢材酸浸低倍检验合格率由2007年的97.50%提高到2009年的99.01%,铸坯合格率在99.92%以上,成材率由原来的96.50%提高到96.80%,铸坯热装率由45%提高到75%。 展开更多
关键词 260 mm×300 mm连铸坯 合金钢 50 t EAF—LF(VD)-CC流程 质量控制 集成技术
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260mm×300mm连铸坯内裂纹的分析和改进工艺实践 被引量:1
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作者 李法兴 兰新哲 +1 位作者 宋永辉 孙永喜 《特殊钢》 北大核心 2007年第1期53-54,共2页
通过控制钢中硫含量≤0.020%,不同炉次中间包钢水温度波动范围由25℃降至10℃。调整结晶器水量为190~200m^3/h,控制拉速0.55~0.75m/min,使20CrMnTiH、40Cr、GCr15等钢种260mm×300mm连铸坯的内裂废品率由0.30%降低到0... 通过控制钢中硫含量≤0.020%,不同炉次中间包钢水温度波动范围由25℃降至10℃。调整结晶器水量为190~200m^3/h,控制拉速0.55~0.75m/min,使20CrMnTiH、40Cr、GCr15等钢种260mm×300mm连铸坯的内裂废品率由0.30%降低到0.01%,基本消除了铸坯内裂纹。 展开更多
关键词 260 mm×300mm连铸坯 内裂纹 铸速 中间包钢水温度
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300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势 被引量:7
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作者 翁寿松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期27-29,55,共4页
采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律。300mm晶圆与90nm工艺是互动的。90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等。本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势。
关键词 300mm晶圆 芯片制造技术 发展趋势 90nm工艺 光刻 铜互连 低k绝缘层 应变硅
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热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析 被引量:5
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作者 高宇 周旗钢 +1 位作者 戴小林 肖清华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期832-836,831,共6页
本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的... 本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的降低,晶体生长界面趋于平坦,生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降,使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度。 展开更多
关键词 模拟 直径300mm硅单晶 热屏 后继加热器
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Effect of thermal shield and gas flow on thermal elastic stresses in 300mm silicon crystal 被引量:2
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作者 GAO Yu XIAO Qinghua ZHOU Qigang DAI Xiaolin TU Hailing 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z2期45-50,共6页
The thermal elastic stresses induced in 300 mm Si crystal may be great troubles because it can incur the generation of dislocations and undesirable excessive residual stresses. A special thermal modeling tool, CrysVUn... The thermal elastic stresses induced in 300 mm Si crystal may be great troubles because it can incur the generation of dislocations and undesirable excessive residual stresses. A special thermal modeling tool, CrysVUn, was used for numerical analysis of thermal elastic stresses and stress distribution of 300 mm Si crystal under the consideration of different thermal shields and gas flow conditions. The adopted governing partial equations for stress calculation are Cauchy′s first and second laws of motion. It is demonstrated that the presence and shape of thermal shield, the gas pressure and velocity can strongly affect von Mises stress distribution in Si crystal. With steep-wall shield, however, the maximal stress and ratio of high stress area are relatively low. With slope-wall shield or without shield, both maximal stress and ratio of high stress area are increased in evidence. Whether thermal shields are used or not, the increase of gas flow velocity could raise the stress level. In contrast, the increase of gas pressure cannot result in so significant effect. The influence of thermal shield and gas flow should be attributed to the modification of heat conduction and heat radiation by them. 展开更多
关键词 thermal elastic stress SIMULATION 300 mm Si single crystal
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