6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。

6～18 GHz宽带波导合成器设计

开发了一种6~18 GHz宽带四路波导合成器,以标准双脊波导WRD500D36为基础,开发出了脊波导E面分支合成结构和脊波导阻抗变换结构。最终实现的四路波导合成器在带内驻波<2,插损<0.5 d B,合成效率>90%,并对该结构大功率合成的可行性进行了仿真预计。

6～18GHz固态功率放大器的研制

目前,测控行业对工作频率大于X波段的大功率固态功放需求越来越大,特别是工作频率为6~18 GHz的大功率全固态功放。本文研制并设计了一种6~18 GHz超宽带固态功放,采用功率合成技术,该固态功放使用4路威尔金森功分器结构作为功率分配和合成单元,采用中国电子科技集团公司第十三研究所10 W裸片作为放大芯片,最终末级实物尺寸为70 mm×50mm×10 mm。实测表明:在6~12 GHz工作频带内,饱和输出功率大于40 W,在12~18 GHz工作频带内,饱和输出功率大于25 W,功率附加效率大于15.8%。

A 6–18 GHz broadband power amplifier MMIC with excellent efficiency

A three-stage monolithic microwave integrated circuit （MMIC） power amplifier from 6-18 GHz, which achieves high output power with excellent efficiency, is designed, fabricated and tested. Measured results show that the saturated output power and the small signal gain are about 32 dBm and 23 dB, respectively. Thus, the power added efficiency of about 28% indicates that it is useful in various communication systems.