808nm含铝半导体激光器的腔面镀膜

研究了高功率808nm量子阱脊型波导结构含铝半导体激光器在空气中解理时不同镀膜方法对输出激光功率的影响,讨论了半导体激光器的灾变性光学镜面损伤机理及其腔面钝化薄膜的选择特性。对半导体激光器管芯前后腔面不镀膜,前后腔面镀上反射膜和前后腔面先镀上钝化薄膜再镀腔面反射膜方法进行了对比,测试了半导体激光器的输出功率。结果表明,先镀上钝化薄膜的器件比只镀上腔面反射膜的器件输出的激光功率高36%。只镀腔面反射膜的半导体激光器器件在电流为5A时就失效了,而镀钝化膜的器件在电流为6A时仍未失效,说明镀钝化薄膜的器件能有效地防止灾变性光学损伤和灾变性光学镜面损伤。在半导体激光器芯片腔面镀上钝化薄膜是提高大功率半导体激光器输出功率的有效方法。

808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究

从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W·

高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵

为了实现808 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高功率输出,对808 nm VCSEL的分布式布拉格反射镜(DBR)结构材料进行了优化设计,分析了AlxGa1-xAs材料中Al组分对于折射率与吸收的影响,并最终确定了材料。采用非闭合环结构制备了2×2 VCSEL列阵。通过波形分析法对VCSEL列阵的功率进行了测量:在脉冲宽度为20 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为110 A的条件下,最大峰值功率为30 W;在脉冲宽度为60 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为30 A的条件下,最大功率为9 W。对列阵的近场和远场进行了测量,激光器垂直发散角和水平发散角半高全宽分别为16.9°和17.6°。

808nm掺铝半导体激光高损伤阈值腔面膜制备

研究了808 nm量子阱脊型波导结构掺铝半导体激光器在空气中解理不同镀膜方法对激光损伤阈值的影响。将半导体激光器管芯分别采用前后腔面不镀膜、前后腔面镀反射膜和前后腔面先镀钝化薄膜,再镀腔面反射膜的方法进行对比。测试半导体激光器输出功率的结果表明:腔面镀钝化薄膜的方法比只镀腔面反射膜的方法的激光损伤阈值高36%,并且能有效防止灾变性光学镜面损伤,同时,还分析了半导体激光器管芯和光学薄膜之间发生的物理效应。在大功率半导体激光器芯片腔面上镀钝化薄膜是提高其激光损伤阈值的一个行之有效的方法。

808nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术

随着半导体激光器在工业、军事、核能等领域的应用越来越多,单个迭阵输出的光功率密度已经不能满足实际的需求,这就需要将多个半导体激光迭阵的光束耦合成为一个共同的光束,以提高输出功率和亮度。所以采用怎样的光束耦合技术能实现高亮度、高质量的激光输出就成了一个关键性的问题。对于该技术的研究,国内还没有实验方面的报道。主要介绍了大功率半导体激光器偏振耦合原理、实验的技术路线,以及对808 nm半导体激光迭阵进行耦合实验的结果及分析。对2个bar、功率为40 W/bar的808 nm连续半导体激光迭阵,实现偏振耦合的总效率超过90%,聚焦得直径为3 mm光斑,输出功率达到134 W,总体效率超过84%。对7个bar、峰值功率100 W/ba、r占空比20%的808 nm准连续半导体激光迭阵进行了偏振耦合,其效率达到67%,得到4.5 mm×4.5 mm的光斑。

808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析

为了研究温度对808 nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵输出特性的影响,通过变温塞耳迈耶尔方程计算了InGaAlAs量子阱VCSEL的温度漂移系数。采用非闭合环结构,制备了2×2的808 nm垂直腔面发射激光器列阵,每个单元的出光口径为60μm。通过热沉温度调节,对不同温度下的列阵激射波长、光功率以及阈值电流进行了测量。在温度为20℃、脉宽为50μs、重复频率为100 Hz的脉冲条件下,列阵的最大输出功率达到56 mW,中心光谱值为808.38 nm,光谱半宽为2.5 nm,连续输出功率达到22 mW。通过变温测试,发现输出功率在50℃以上衰减剧烈,列阵的温漂系数为0.055 nm/℃。实验测得的温漂系数与理论值保持一致。

532nm和808nm激光及其线偏振激光辐照人正常膀胱与膀胱癌组织光学特性

采用双积分球系统和光辐射测量技术的基本原理 ,以及运用生物组织的光学模型 ,研究了 5 32nm和80 8nm激光及其线偏振激光辐照人正常膀胱和膀胱癌组织的光学特性 .结果表明 :膀胱癌组织对同一波长的激光或其线偏振激光的衰减明显较正常膀胱组织的要大 ,膀胱癌组织对 5 32nm和 80 8nm激光的衰减均较其线偏振激光的要略大一些 .膀胱癌组织对 5 32nm和 80 8nm激光及其线偏振激光的衰减明显较正常膀胱组织的要大 .正常膀胱或膀胱癌组织对同一波长的激光及其线偏振激光的折射率均没有明显的差异 ,膀胱癌组织对 5 32nm和80 8nm激光的折射率比正常膀胱的明显要大 .Kubelka Munk二流模型下 ,两种组织对同一波长的激光或其线偏振激光的光学特性均有显著性差异 (P <0 0 1) .同一组织对不同波长的激光及其线偏振激光的光学特性也有显著性差异 (P <0 0 1) ,正常膀胱组织对同一波长的激光及其线偏振激光的光学性有明显差异 ,而膀胱癌组织对同一波长的激光及其线偏振激光的光学特性则没有明显差异 .膀胱癌组织对 5 32nm和 80 8nm激光及其线偏振激光的前向散射通量i (x)、后向散射通量 j (x)、总散射通量I (x)的衰减均较正常膀胱组织的明显要大得多 ,且其i (x)均明显较j (x)

808nm波长锁定大功率半导体激光器列阵

大功率半导体激光器列阵（DLA）具有功率高、电光转换效率高、可靠性强、寿命长、体积小及成本低等诸多优点,但其波长随温度变化较大,光谱线宽较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。为了解决此问题,采用体布拉格光栅（VBG）构成波长锁定大功率半导体激光器系统。体布拉格光栅可以把波长锁定,同时把光谱线宽压窄,从而有效改善了DLA波长漂移和光谱线宽的情况。在载体水冷温度为30~60℃时,大功率半导体激光器列阵自由运行,波长温度漂移系数为0.26nm/℃,光谱线宽为2~3nm。当采用体布拉格光栅作为外腔反馈后,DLA的光谱线宽被压缩到了1.2nm,波长稳定在体布拉格光栅波长807.1nm附近,波长温度漂移系数小于0.005nm/℃。

808nm高效率激光二极管

目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm发光区标准单管,提取了材料内部参数,材料内损耗iα为0.67cm-1,内量子效率iη为0.88;将圆片解理成2mm腔长的巴条进行腔面镀膜,并烧结成标准单管,25℃下单管电光效率达到61.1%;将巴条烧结到微通道载体上,制作成标准微通道水冷单条阵列,水温15℃110A下输出光功率126.6W,电光转换效率62.77%。

大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计

本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2.

630/808nm双波长低强度激光照射对大鼠皮肤创伤愈合的影响

背景:低强度激光生物效应已经越来越受到科学工作者和临床医生的重视,其在不引起机体产生不可逆性损伤的前提下对机体代谢的积极调节作用让人们对于它临床上的投入前景非常期待。目的:观察630nm和808nm低强度激光单独照射和联合照射对大鼠背部皮肤创伤愈合的影响。设计、时间及地点:随机对照动物实验,于2008-05/07在天津医科大学完成。材料:清洁级雄性Wistar大鼠32只,体质量(240±20)g。方法:用手术剪在每只Wistar大鼠背部左右对称各造2个圆形皮肤全层切割型创口,4个创口按部位统一编号。将32只大鼠按完全随机分组法分为4组,空白对照组、630nm单波长低强度激光照射组、808nm单波长低强度激光照射组和630/808nm双波长低强度激光照射组,每组8只。3个照射组中的大鼠背部创口分别用不同波长低强度激光连续照射14d,1次/d,每个创口照射10min/次;空白对照组无任何干预措施。主要观察指标:伤后每隔1d用透明薄膜描记每只大鼠Ⅰ号创口的创面,根据积分法计算创面面积收缩率;伤后第3,7,14天对创口取活检做常规苏木精-伊红染色,光镜观察组织形态变化。结果:32只Wistar大鼠均进入结果分析。①与空白对照组相比,630/808nm双波长低强度激光照射组和630nm单波长低强度激光照射组创伤面积收缩速度快,差异具有显著性意义(P<0.05)。②630/808nm双波长低强度激光照射组和630nm单波长低强度激光照射组较其他2组肉芽组织出现早,同时成纤维细胞的数量与胶原分泌量多、创伤愈合情况好。结论:630nm单波长或630/808nm双波长低强度激光照射均能有效促进大鼠皮肤创伤的愈合过程。

高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源

针对高功率808 nm激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP/GaInP材料体系的无铝有源区半导体激光器。使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P侧材料的热阻及光吸收。优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As和P混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP单晶外延薄膜。制作的激光器室温测试阈值电流为1.5 A,斜率效率为1.26 W/A,10 A下的功率达到10.5 W,功率转换效率为58%。连续电流测试最大功率为23 W@24.5 A,准连续电流测试最大功率为54 W@50 A,没有产生灾变性光学损伤(COD)。在15 A电流加速老化下,激光器工作4200 h未出现功率衰减及COD现象,说明制备的无铝有源区808 nm激光器具有高可靠性的输出性能。

808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性

采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性.实验表明,激射波长的漂移系数dλ/dT是特征温度T0的函数.T0越高,激射波长的温度依赖性越大.特征温度T0与透明电流Itr下的特征温度TItr相等时,激射波长的漂移系数dλ/dT达到最大值,该值由发热诱使带隙窄化dλg/dT决定.解决高特征温度T0与小的dλ/dT矛盾的一种可能是考虑温度不依赖的漏电流.

基于LPC2148的808nm大功率半导体激光治疗仪

以ARM处理器LPC2148为核心,采用数控恒流源驱动方式,将808 nm大功率半导体激光器和智能化控制技术相结合,设计研制了一种智能型大功率半导体激光治疗仪.通过LPC2148自身的USB接口引擎和EasyUSB214x动态库,结合VC++编写了上位机应用软件,将治疗仪的日志数据以USB的通讯方式传输到上位机,以实现对治疗操作日志数据的记录、查阅和研究.

635/808双波长低强度照射对术后创口愈合的影响(英文)

本文通过评估635/808双波长低强度激光照射对术后病人创口愈合的影响,以给临床应用提供病例参考。随机选取外科手术治疗的非恶性肿瘤患者60例,试验组和对照组各30例。试验组使用635nm/808nm双波长激光辅助切口治疗,对照组以波长635nm的He-Ne激光辅助治疗。激光器发出两路激光对受试者切口部位进行照射治疗,一路波长为(635±5)nm,光功率密度1～6.5mW/cm2,另外一路波长为(808±5)nm,光功率密度为11～32mW/cm2。激光照射治疗开始于手术结束24h之后,每天一次,每次照射15min,至治疗终点(出院或切口愈合拆线),双波长激光器最大功率密度控制在40mW/cm2以下(可调节),最大能量密度在36J/cm2以下(可调节)。He-Ne激光器输出功率最大为100mW,每天一次,每次照射15min,至治疗终点(出院或切口愈合拆线)。试验表明,635/808双波长低照度照射能够促进创口愈合,治疗效果好于He-Ne激光器。

808nm激光穴位照射联合保列治治疗良性前列腺增生症临床观察

目的:观察808nm激光穴位照射联合保列治治疗良性前列腺增生症的临床疗效。方法:将60例肾阳虚型患者随机分为治疗组和对照组各30例,治疗组在808nm激光治疗仪照射会阴、关元、肾俞等穴位基础上加服西药保列治治疗,对照组单纯给予保列治治疗。2组均治疗3月。观察临床疗效及治疗前后国际前列腺症状评分(I-PSS)、生活质量指数(L指数)和前列腺体积的变化。结果:临床疗效总有效率治疗组为100%,对照组为66.67%,2组比较,差异有非常显著性意义(P<0.01);治疗后2组I-PSS、L指数和前列腺体积均有改善,与治疗前比较,差异均有显著性意义(P<0.05);治疗后2组I-PSS、L指数和前列腺体积比较,差异均有显著性意义(P<0.05);2组治疗前后肝功能、肾功能、心电图均未见异常。结论:808nm激光穴位照射联合保列治是临床治疗良性前列腺增生症的有效方法之一。

高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征（英文）

利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.

808 nm半导体激光脱毛的疗效分析

目的:评价808 nm半导体激光低能量多脉冲方式脱毛的疗效。方法:采用半导体激光脱毛仪对362例患者421个部位进行脱毛治疗(波长808 nm,脉宽100 ms,光斑直径10 mm×12 mm,能量密度11～15 J/cm2,频率5 HZ),共5次。结果:腋部、下肢、上肢的1～5次治疗平均脱毛率分别达20%、30%、60%、70%和80%以上,唇部1～5次治疗平均脱毛率分别为15%,22%,31%,42%,51%。未见明显不良反应。结论:808 nm半导体激光脱毛安全有效。

亲水敷料联合635nm激光治疗皮肤溃疡60例疗效观察

目的比较亲水性标准敷料"多爱肤"联合635激光治疗皮肤溃疡的疗效。方法将60例皮肤溃疡患者随机分为观察组、对照组,以不同时间段的溃疡愈合率及平均愈合时间为观察指标。结果不同时间段的观察组愈合率与对照组比较有统计学意义(P<0.05),观察组与对照组比较平均愈合时间有统计学差异(P<0.05)结论亲水敷料联合635nm激光治疗与传统治疗相比,可提高溃疡愈合率,缩短皮肤浅表溃疡的平均愈合时间。

808nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器的结构设计

为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)在808 nm波长的激射,对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型理论、克龙尼克-潘纳模型和光学传输矩阵方法,计算了压应变InGaAlAs量子阱的带隙、带阶、量子化子能级以及分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱,从而确定了量子阱的组分、厚度以及反射镜的对数。数值模拟的结果表明,阱宽为6 nm的In0.14Ga0.74Al0.12As/Al0.3Ga0.7As量子阱,在室温下激射波长在800 nm左右,其峰值材料增益在工作温度下达到4000 cm-1;渐变层为20 nm的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As DBR,出光p面为23对时反射率为99.57%,全反射n面为39.5对时反射率为99.94%。设计的顶发射VCSEL结构通过光电集成专业软件(PICS3D)验证,得到室温下的光谱中心波长在800 nm处,证实了结构设计的正确性。