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Fine Machining of Large-Diameter 6H-SiC Wafers 被引量:6
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作者 Xiufang CHEN Juan LI Deying MA Xiaobo HU Xiangang XU Minhua JIANG 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期681-684,共4页
Three main machining processes of large-diameter 6H-SiC wafers were introduced in this paper. These processes include cutting, lapping and polishing. Lapping causes great residual stresses and deep damage layer which ... Three main machining processes of large-diameter 6H-SiC wafers were introduced in this paper. These processes include cutting, lapping and polishing. Lapping causes great residual stresses and deep damage layer which can be reduced gradually with subsequent polishing processes. Surfaces prepared by mechanical polishing (MP) appeared a large number of scratches with depth of 5-8 nm. These scratches can be effectively removed by chemo-mechanical polishing (CMP). After CMP. extremely smooth and low damage layer surface with roughness Ra=0.3 nm was obtained. Atomic force microscopy (AFM) and optical microscopy were used to observe the surface morphology of samples and a high resolution X-ray diffractometer (HRXRD) was used for the crystal lattice perfection of the subsurface region. Changes of surface residual stresses during machining processes were investigated by HRXRD. 展开更多
关键词 6h-sic Chemo-mechanical polishing (CMP) ROUGHNESS
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二维6H-SiC光学特性的应变调控
2
作者 薛丽丽 高静 +3 位作者 司志泽 王卓群 王衍营 张雨 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第1期15-21,共7页
为了减小6H-SiC的带隙、提高对可见光的吸收效率和载流子迁移速率,采用第一性原理研究了应变对6H-SiC的能带结构、光学吸收系数、载流子迁移率以及光催化特性的影响.结果表明:应变能够降低6H-SiC的导带底,但对价带顶没有影响,导致带隙减... 为了减小6H-SiC的带隙、提高对可见光的吸收效率和载流子迁移速率,采用第一性原理研究了应变对6H-SiC的能带结构、光学吸收系数、载流子迁移率以及光催化特性的影响.结果表明:应变能够降低6H-SiC的导带底,但对价带顶没有影响,导致带隙减小.随着应变的增加,吸收曲线向低能级方向移动,即发生红移,有利于可见光的吸收.施加应变后空穴的载流子迁移率提高,有利于载流子移动,且空穴的载流子迁移率是电子的2.5倍,有利于空穴和电子的分离.综合应变对带隙大小、带边位置的影响可知,应变在±2%、±4%时对可见光的吸收以及光催化制氢最有效.综上所述,应变能够对6H-SiC的光学吸收和光催化特性有很好的调控作用. 展开更多
关键词 6h-sic 能带结构 载流子迁移率 光学吸收系数 光催化特性
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Co掺杂6H-SiC的第一性原理研究
3
作者 吴磊 王嘉豪 刘淑平 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第5期155-160,共6页
此文用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了未掺杂及Co替位Si掺杂的6H-SiC体系的电子结构与光学特性,获得了Co掺杂将导致6H-SiC由带隙为2.016 eV的间接带隙半导体变成带隙为0.071 eV的p型半导体... 此文用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了未掺杂及Co替位Si掺杂的6H-SiC体系的电子结构与光学特性,获得了Co掺杂将导致6H-SiC由带隙为2.016 eV的间接带隙半导体变成带隙为0.071 eV的p型半导体,且有磁性;掺杂后能带结构中出现由Co的3d能级造成的杂质能级;且载流子浓度提升,使得材料的导电性得到提高;替换掺杂使得6H-SiC在光学性质方面有所变化,介电函数实部和虚部在低能级处增大,吸收光谱从未掺杂的3.2 eV开始吸收变为略高于0 eV就开始;反射谱与电导率曲线发生红移等有益结果. 展开更多
关键词 6h-sic 带隙 电子结构 光学特性
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退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响 被引量:11
4
作者 唐军 刘忠良 +6 位作者 康朝阳 闫文盛 徐彭寿 潘海斌 韦世强 高玉强 徐现刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期253-258,共6页
在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)... 在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移,且退火时间增加,峰的蓝移量减小.对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示,样品中存在sp2杂化的碳原子,退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大,且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移. 展开更多
关键词 RAMAN 石墨烯 6h-sic 退火时间 RHEED AFM NEXAFS
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大直径6H-SiC单晶的生长 被引量:16
5
作者 徐现刚 胡小波 +1 位作者 王继扬 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期540-540,共1页
SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一.上世纪90年代以来,各国竞相投入大量的人力、物力进行SiC... SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一.上世纪90年代以来,各国竞相投入大量的人力、物力进行SiC单晶的研究和产业化工作,我国在国家重大计划中进行了SiC单晶的生长研究,也取得一定成绩,但是至今可重复的大直径单晶生长一直没有得到解决.本文报道了在SiC单晶生长方面取得的最新进展. 展开更多
关键词 6h-sic单晶 单晶生长 直径 半导体材料 碳化硅
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6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究 被引量:5
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作者 王英民 宁丽娜 +3 位作者 彭燕 徐化勇 胡小波 徐现刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期7-10,38,共5页
利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量。根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区。平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角... 利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量。根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区。平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差。依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因。根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差。最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路。 展开更多
关键词 6h-sic 成核 表面形貌 缺陷
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大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长 被引量:7
7
作者 陈之战 肖兵 +2 位作者 施尔畏 庄击勇 刘先才 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期685-690,共6页
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道... 报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104~105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级. 展开更多
关键词 6h-sic 半导体 碳化硅单晶 晶体生长 PVT法 微管道
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高剂量中子辐照6H-SiC晶体的退火特性 被引量:5
8
作者 祝威 阮永丰 +3 位作者 陈敬 马鹏飞 王鹏飞 黄丽 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期386-390,共5页
在温度为60~80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺陷及其恢复。重点追踪6H-SiC的(006)、(0012)晶面的衍射峰并进行实验观测。中子辐照对晶体造成了严重... 在温度为60~80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺陷及其恢复。重点追踪6H-SiC的(006)、(0012)晶面的衍射峰并进行实验观测。中子辐照对晶体造成了严重的损伤,使其内部产生了大量的缺陷,在某些被测晶面甚至出现非晶化。通过等时退火,缺陷逐渐消失,晶格开始恢复,其恢复特性由退火温度决定。通过X射线衍射峰的峰高和峰型发现,在温度低于600℃时,辐照损伤几乎不变,超过600℃后,温度越高,晶格恢复现象越明显。原来经辐照呈非晶化的晶面逐渐恢复有序,(006)面衍射峰的半高宽随退火温度的升高呈线性恢复。利用此种线性规律可以制作无线传感器,从而实现对某些复杂环境的温场测试。 展开更多
关键词 6h-sic 中子辐照 缺陷 X射线衍射
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6H-SiC衬底片的表面处理(英文) 被引量:5
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作者 陈秀芳 徐现刚 +6 位作者 胡小波 杨光 宁丽娜 王英民 李娟 姜守振 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期962-966,共5页
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提... 相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量。经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm。在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜。 展开更多
关键词 6h-sic 衬底 表面处理 研磨 化学机械抛光
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Ti掺杂6H-SiC电学性质研究 被引量:5
10
作者 杨昆 杨祥龙 +4 位作者 陈秀芳 崔潆心 彭燕 胡小波 徐现刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期733-737,共5页
使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征。结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,T... 使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征。结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010~1011Ω·cm。初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位VC是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因。 展开更多
关键词 物理气相传输 Ti掺杂 6h-sic 电阻率
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6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究 被引量:4
11
作者 尚也淳 张义门 +1 位作者 张玉明 刘忠立 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期389-394,共6页
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具... 对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。 展开更多
关键词 6h-sic MOS结构 电特性 辐照效应 平带电压 退火 漏电流
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Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征 被引量:2
12
作者 郑海务 苏剑峰 +3 位作者 王科范 李银丽 顾玉宗 傅竹西 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1336-1338,共3页
在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜。低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体。X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性。扫描电子显微镜图表明该薄膜... 在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜。低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体。X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性。扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成。拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量。对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨。 展开更多
关键词 SI 6h-sic 化学气相沉积 微结构
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6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究 被引量:3
13
作者 王平 周津慧 +3 位作者 杨银堂 屈汉章 杨燕 付俊兴 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期322-325,共4页
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方... 采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。 展开更多
关键词 6h-sic 多粒子蒙特卡罗研究 各向异性 漂移速度 平均能量 电子碰撞电离率
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6H-SiC材料的氧化特性 被引量:4
14
作者 李跃进 杨银堂 +1 位作者 柴常春 任昌河 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期460-462,466,共4页
研究了 10 0 0~ 12 0 0℃温度下干氧和湿氧中 6H SiC材料的氧化特性 ,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系 .实验结果表明 ,在相同的生长条件下 ,6H SiC材料的氧化层厚度远小于Si的氧化层厚度 ,且遵循相同的生长规律 .
关键词 6h-sic 氧化特性 二氧化硅
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6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界 被引量:4
15
作者 韩荣江 王继扬 +4 位作者 胡小波 徐现刚 董捷 李现祥 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期288-291,共4页
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。实验发现 ,在透射偏光显微镜下 ,微管通常呈现为蝴蝶形 ,这是由于微管周围存在着应力场 ,且应力分布不均... 利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。实验发现 ,在透射偏光显微镜下 ,微管通常呈现为蝴蝶形 ,这是由于微管周围存在着应力场 ,且应力分布不均匀 ,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的。从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在 2c到 10c之间。从晶片 0 0 0 12衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出 ,晶片的中间大部分区域质量很好 ,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄 ,一般为 35″左右。在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽 ,有些区域还会出现衍射峰的分裂 ,这说明外围区域有嵌镶块结构存在。 展开更多
关键词 6h-sic 晶体 微管 晶界 透射偏光显微术 半导体材料 应力场 剪切模量
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SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究 被引量:2
16
作者 廖伟 罗小蓉 +2 位作者 廖勇明 洪根深 龚敏 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期48-52,共5页
在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C~V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化... 在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C~V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 . 展开更多
关键词 6h-sic MOS电容 Γ辐照
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退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响 被引量:2
17
作者 郑海务 孙利杰 +3 位作者 张杨 张伟风 顾玉宗 傅竹西 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1279-1282,共4页
采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构。研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响。发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于... 采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构。研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响。发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射。随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低。对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨。 展开更多
关键词 6h-sic ZNO薄膜 光致发光 溶胶-凝胶
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6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制 被引量:3
18
作者 封先锋 陈治明 蒲红斌 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1124-1129,1140,共7页
6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不... 6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不但周边和表面光滑,未有多晶出现,还实现了显著的扩径生长。 展开更多
关键词 6h-sic 多晶SiC 坩埚系统
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C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征 被引量:2
19
作者 郑海务 苏剑峰 +2 位作者 顾玉宗 张杨 傅竹西 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期37-41,共5页
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面... 采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用AlN过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素. 展开更多
关键词 无机非金属材料 6h-sic薄膜 低压CVD 蓝宝石 微结构
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单面研磨6H-SiC单晶片的加工表面性能分析 被引量:1
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作者 潘继生 阎秋生 李伟 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2014年第6期1-6,共6页
采用硬基研磨盘对6H-SiC单晶片进行单面研磨,分析了晶片加工表面形貌和划痕特征。实验结果表明:采用铸铁盘相对于采用硬度较低的铜盘和铝盘研磨后的晶片表面较均匀。采用铸铁盘研磨时金刚石磨料和碳化硼磨料较适合单晶SiC的研磨加工。用... 采用硬基研磨盘对6H-SiC单晶片进行单面研磨,分析了晶片加工表面形貌和划痕特征。实验结果表明:采用铸铁盘相对于采用硬度较低的铜盘和铝盘研磨后的晶片表面较均匀。采用铸铁盘研磨时金刚石磨料和碳化硼磨料较适合单晶SiC的研磨加工。用M0.5/1.5金刚石磨粒研磨后,SiC单晶片表面的断裂凹坑密集而细小,但容易出现划痕和研磨不均匀,而且分散性差,团聚后容易使晶片表面产生大的划痕;实验条件下铸铁研磨盘比较适合M3/6以粗的金刚石磨料研磨。研磨过程中,磨粒的行为对表面质量有重要影响。切入较深的磨粒使工件产生微裂纹,从而导致工件表面产生滚压破碎凹坑、划擦痕迹和脆性断裂划痕;切入较浅的磨粒使工件产生微量塑性变形,而使晶片表面产生微量塑性去除划痕。 展开更多
关键词 6 h-sic 单晶片 研磨 表面质量 划痕 材料去除
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