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65nm工艺下基于PCI Express2.0协议的物理编码子层设计
被引量:
4
1
作者
刘奇浩
翁惠辉
+3 位作者
张锋
赵建中
吕俊盛
李优
《中国集成电路》
2013年第3期40-45,共6页
设计了一种应用于PCI Express2.0协议的物理编码子层,可以与物理媒介连接子层共同构成独立的物理层芯片。本文从面积与功耗方面对8b10b编解码的两种实现方法进行比较;并设计了复位控制器、头字符检测电路、时钟补偿弹性缓冲器、内建自...
设计了一种应用于PCI Express2.0协议的物理编码子层,可以与物理媒介连接子层共同构成独立的物理层芯片。本文从面积与功耗方面对8b10b编解码的两种实现方法进行比较;并设计了复位控制器、头字符检测电路、时钟补偿弹性缓冲器、内建自测试等电路。全部电路在SMIC 65nm CMOS工艺下综合,SS工艺角、工作频率500MHz条件下芯片面积为5500μm2,动态功耗为2.74mW。
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关键词
PCI
Express2.0
物理编码子层
8b10b编解码
弹性缓冲器
下载PDF
职称材料
题名
65nm工艺下基于PCI Express2.0协议的物理编码子层设计
被引量:
4
1
作者
刘奇浩
翁惠辉
张锋
赵建中
吕俊盛
李优
机构
长江大学电子信息学院
中国科学院微电子研究所
出处
《中国集成电路》
2013年第3期40-45,共6页
基金
国家"八六三"计划项目(2011AA010403)
文摘
设计了一种应用于PCI Express2.0协议的物理编码子层,可以与物理媒介连接子层共同构成独立的物理层芯片。本文从面积与功耗方面对8b10b编解码的两种实现方法进行比较;并设计了复位控制器、头字符检测电路、时钟补偿弹性缓冲器、内建自测试等电路。全部电路在SMIC 65nm CMOS工艺下综合,SS工艺角、工作频率500MHz条件下芯片面积为5500μm2,动态功耗为2.74mW。
关键词
PCI
Express2.0
物理编码子层
8b10b编解码
弹性缓冲器
Keywords
PCI Express2.0
PCS
8bl0b
elastic buffer
BIST
分类号
TN919.31 [电子电信—通信与信息系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
65nm工艺下基于PCI Express2.0协议的物理编码子层设计
刘奇浩
翁惠辉
张锋
赵建中
吕俊盛
李优
《中国集成电路》
2013
4
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