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Na_2WO_4和BTA复配对铜缓蚀性能的研究 被引量:15
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作者 徐群杰 刘小华 +2 位作者 刘月丽 周国定 陆柱 《腐蚀与防护》 CAS 2001年第10期424-425,429,共3页
采用交流阻抗法研究了 pH =9.2的硼砂硼酸缓冲溶液中缓蚀剂Na2 WO4 和BTA复配对铜电极的缓蚀效果。实验表明 ,单一缓蚀剂Na2 WO4 的缓蚀效果随其浓度的增加略有增加 ;单一缓蚀剂BTA随其浓度的增加 ,其缓蚀性也增加 ,当浓度达 5mg/L时 ,... 采用交流阻抗法研究了 pH =9.2的硼砂硼酸缓冲溶液中缓蚀剂Na2 WO4 和BTA复配对铜电极的缓蚀效果。实验表明 ,单一缓蚀剂Na2 WO4 的缓蚀效果随其浓度的增加略有增加 ;单一缓蚀剂BTA随其浓度的增加 ,其缓蚀性也增加 ,当浓度达 5mg/L时 ,缓蚀效果最佳。在缓蚀剂总浓度为 3mg/L ,Na2 WO4 和BTA复配时 ,显出较好的协同效应 ,其最佳配比为 :1mg/LNa2 WO4 展开更多
关键词 交流阻抗法 铜电极 BTA Na2WO4 缓蚀剂 复配 缓蚀性能
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苯并三氮唑和4-羧基苯并三氮唑对铜缓蚀作用的光电化学比较 被引量:11
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作者 徐群杰 周国定 +2 位作者 陆柱 姚念 张红伟 《华东理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期172-176,共5页
采用光电化学方法和交流阻抗方法将不同浓度的 BTA(苯并三氮唑 )和 4CBTA( 4 -羧基苯并三氮唑 )在硼砂缓冲溶液 ( p H9.2 )中对铜电极的缓蚀性能作了比较。发现在阳极向电位扫描中 ,一定浓度的 BTA作用下 ,铜电极光响应由 p型转化为 n... 采用光电化学方法和交流阻抗方法将不同浓度的 BTA(苯并三氮唑 )和 4CBTA( 4 -羧基苯并三氮唑 )在硼砂缓冲溶液 ( p H9.2 )中对铜电极的缓蚀性能作了比较。发现在阳极向电位扫描中 ,一定浓度的 BTA作用下 ,铜电极光响应由 p型转化为 n型 ,并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,n型光响应越大 ,缓蚀剂的缓蚀性能越好 ;而在 4CBTA作用下 ,铜电极光响应保持 p型 ,然其阴极向扫描中最大光电流变化明显 ,并可据此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,最大阴极光电流愈大 ,缓蚀效果越好。同时这两种缓蚀剂均可用 Φv 和某一较负电位下的阴极光电流 iph的大小来判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,Φv 和 iph越负 ,缓蚀性能越好 ,交流阻抗方法的结果和光电化学的结果相一致。 展开更多
关键词 4CBTA 缓蚀作用 光电化学 苯并三氮唑
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BTA系列Cu缓蚀剂的电化学行为 被引量:12
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作者 张万友 王冰 +1 位作者 廖强强 周国定 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期263-266,共4页
采用交流阻抗法和恒电位阶跃法研究了在硼砂缓冲溶液 (pH9.2 )中BTA及其系列衍生物CBTME ,CBTBE对Cu电极的缓蚀行为 .结果表明 :BTA对Cu的缓蚀作用是由于在Cu表面上生成了Cu/Cu2 O/Cu(I)BTA膜 ,阻滞了Cu的腐蚀 ,而且缓蚀剂的浓度越高 ,... 采用交流阻抗法和恒电位阶跃法研究了在硼砂缓冲溶液 (pH9.2 )中BTA及其系列衍生物CBTME ,CBTBE对Cu电极的缓蚀行为 .结果表明 :BTA对Cu的缓蚀作用是由于在Cu表面上生成了Cu/Cu2 O/Cu(I)BTA膜 ,阻滞了Cu的腐蚀 ,而且缓蚀剂的浓度越高 ,生成的Cu/Cu2 O/Cu(I)BTA膜越致密 ,抑制作用越强 .含CBTME缓蚀剂的溶液中 ,缓蚀效果随缓蚀剂浓度的升高而增强 ,但同浓度比较时 ,BTA的缓蚀效果优于CBTME .当溶液中含有较低浓度CBTBE时 ,缓蚀剂促进Cu的腐蚀 ;而当溶液中含有较高浓度CBTBE时 ,缓蚀剂才抑制Cu的腐蚀 .一定比例的BTA和CBTME复配后对Cu的缓蚀作用有协同效应 .以 5mg/L为缓蚀剂总量 ,其最佳复配方案为 2mg/LBTA +3mg/LCBTME . 展开更多
关键词 协同效应 交流阻抗 恒电位阶跃 铜缓蚀剂
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表面粗糙度的交流阻抗研究及其在铜电极上的应用 被引量:7
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作者 史美伦 李通化 周国定 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第1期83-87,共5页
固液界面交流阻抗测量时所得Nyquist图往往为压扁的半圆弧,其等效电路中含常相角元件,该元件的分数指数与粗糙表面的分形模型有关本文提出从Nyquist图计算分数指数与粗糙表面的分数维数的方法,并通过各种不同表面处理... 固液界面交流阻抗测量时所得Nyquist图往往为压扁的半圆弧,其等效电路中含常相角元件,该元件的分数指数与粗糙表面的分形模型有关本文提出从Nyquist图计算分数指数与粗糙表面的分数维数的方法,并通过各种不同表面处理的铜电极说明计算方法的应用及其结果.文中的方法还可用于表面膜的致密程度的表征. 展开更多
关键词 铜电极 表面粗糙度 交流阻抗 分形模型
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苯并三氮唑和5-羧基苯并三氮唑对铜缓蚀作用的光电化学比较 被引量:7
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作者 徐群杰 周国定 陆柱 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期925-929,共5页
采用光电化学方法和交流阻抗方法对不同浓度的BTA(苯并三氮唑 )和 5CBTA(5 羧基苯并三氮唑 )在硼砂缓冲溶液 (pH 9.2 )中对铜电极的缓蚀性能作了比较研究。研究发现两者对铜的缓蚀作用机理不同。一定浓度的BTA能使电极表面Cu2 O膜的结... 采用光电化学方法和交流阻抗方法对不同浓度的BTA(苯并三氮唑 )和 5CBTA(5 羧基苯并三氮唑 )在硼砂缓冲溶液 (pH 9.2 )中对铜电极的缓蚀性能作了比较研究。研究发现两者对铜的缓蚀作用机理不同。一定浓度的BTA能使电极表面Cu2 O膜的结构改变 ,在电位正向扫描过程中铜电极光响应由p型转化为n型 ,并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,n型光响应越大 ,缓蚀剂的缓蚀性能越好 ;而 5CBTA能使电极表面的Cu2 O膜增多 ,在电位负向扫描过程中阴极光电流密度明显增大 ,并可据此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,阴极光电流密度愈大 ,缓蚀效果越好。同时这两种缓蚀剂均可用 φV 和某一较负电位下的阴极光电流密度Jph的大小来判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,φV 和Jph越负 ,缓蚀性能越好。 展开更多
关键词 苯并三氮唑 羧基苯并三氮唑 铜电极 光电化学 交流阻抗 缓蚀剂
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交流阻抗法对几种铜缓蚀剂比较研究 被引量:16
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作者 徐群杰 周国定 陆柱 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期324-328,共5页
采用交流阻抗法研究了在NaCl溶液中缓蚀剂BTA、TTA、5MBTACBTME对铜电极的缓蚀行为并进行了比较。4种缓蚀剂的缓蚀性均随浓度的增加而增加,当浓度达到70mg/L时缓蚀性最佳。缓蚀剂浓度低于20mg/L时B... 采用交流阻抗法研究了在NaCl溶液中缓蚀剂BTA、TTA、5MBTACBTME对铜电极的缓蚀行为并进行了比较。4种缓蚀剂的缓蚀性均随浓度的增加而增加,当浓度达到70mg/L时缓蚀性最佳。缓蚀剂浓度低于20mg/L时BTA、TTA、5MBTA有效好的缓蚀性,超过40mg/L时CBTME的缓蚀性明显优于其他3种。复合配方试验结果表明,当缓蚀剂总浓度为40mg/L,BTA与5MBTA复配的最佳比例为20mg/LBTA+20mg/L5MBTA时,显示出协同效应。 展开更多
关键词 交流阻抗法 铜缓蚀剂 铜电极 缓蚀剂
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有机染料对酸性镀铜电沉积的影响 被引量:4
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作者 刘烈炜 吴曲勇 +1 位作者 卢波兰 杨志强 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期4-6,13,共4页
 为了有效地研究添加剂对铜电沉积的影响,选择合成了有机染料酸性镀铜添加剂AQ,用旋转圆盘电极动电位扫描、交流阻抗和微分电容等方法研究其对铜离子电沉积过程的影响,得到了铜的电沉积机理。发现这种染料主要影响亚铜离子的放电还原过...  为了有效地研究添加剂对铜电沉积的影响,选择合成了有机染料酸性镀铜添加剂AQ,用旋转圆盘电极动电位扫描、交流阻抗和微分电容等方法研究其对铜离子电沉积过程的影响,得到了铜的电沉积机理。发现这种染料主要影响亚铜离子的放电还原过程,具体表现为染料与亚铜离子形成配位化合物[AQCu(Ⅰ)]吸附在电极表面,阻碍吸附铜原子在晶面扩散结晶的过程。原子力显微镜对镀层微观形貌观察表明,AQ是性能良好的酸性镀铜添加剂。 展开更多
关键词 电沉积铜 旋转圆盘电极 交流阻抗 微分电容 原子力显微镜 电极过程
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旋转铂盘电极上Cu(phen)_2^(2+)与6-巯基嘌呤的相互作用 被引量:3
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作者 刘彩红 李红 朱伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第4期440-444,共5页
在Tris-NaC1*(pH=7.2)缓冲溶液中,应用循环伏安法,微分脉冲伏安法、旋转圆盘电极实验、交流阻抗法及其数据模拟等技术研究了Cu(phen)2+25(phcn=1.10-邻菲咯啉)与6-巯基嘌呤(6-MP)的相互作用.结果显示.Cu(phen)2+2MP与6-MP无论在扩散控... 在Tris-NaC1*(pH=7.2)缓冲溶液中,应用循环伏安法,微分脉冲伏安法、旋转圆盘电极实验、交流阻抗法及其数据模拟等技术研究了Cu(phen)2+25(phcn=1.10-邻菲咯啉)与6-巯基嘌呤(6-MP)的相互作用.结果显示.Cu(phen)2+2MP与6-MP无论在扩散控制过程或电化学控制过程都发生了相互作用.Cu(phen)2+2及其与6-MP的作用产物于铂电极上均呈现一对氧化还原峰,但后者呈现的氧化还原峰负移.峰电流减小.交流阻抗结果显示,无论6-MP存在与否,Cu(phen)2+2在交流阻抗谱上均呈现两个清晰的电容弧,但当6-MP存在时,电化学反应电阻和电化学吸脱附电阻均增大.Cu(phen)2+2在不同转速下的阻抗拟合结果显示.随转速增大.电化学反应电阻和电化学吸脱附电阻均减小.双电层电容呈增大趋势,而吸脱附电容呈减小趋势:当6-MP存在时.仍然呈现此变化规律. 展开更多
关键词 铜配合物 6-巯基嘌呤 相互作用 旋转铂盘电极 交流阻抗 核酸酶 DNA 抗肿瘤药物
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