AlN-SiC固溶体的制备及介电性能

以碳化硅和铝粉为原料，均匀混合后在不同气氛中于2000℃下保温0．5h制得粉体。用X射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其进行表征。同时在8．2～12．4GHz频率范围内测试其介电性能。结果表明：在N2气氛中，当铝的含量较少时，未出现AIN物相，当铝含量超过10at%时，AIN相开始出现，并且AIN的含量随着铝含量的增加而增加。掺杂铝样品与未掺杂铝样品相比，其介电常数实部ε′和介电损耗tanδ皆降低，且随着铝含量的增加而逐步降低，主要是因为AIN具有较低的介电常数实部和损耗。

AIN和B对热压烧结C_f/SiC复合材料性能的影响

研究了烧结助剂ＡＩＮ 和Ｂ对Ｃｆ／ＳｉＣ复合材料力学性能的影响。结果表明：Ｂ含量较低时（小于０．５ｗ ｔ％ ），Ｂ的增加能有效地提高复合材料的抗弯强度与断裂韧性，继续增加Ｂ的用量至１ｗ ｔ％ ，虽能大幅度提高复合材料的强度，但使复合材料的断裂韧性大大降低。ＡＩＮ 与ＳｉＣ高温反应形成固溶体，能起到强化和细化基体ＳｉＣ晶粒以及改善ＳｉＣ晶界结构的作用，但对复合材料内纤维与基体间界面的结合影响较小，因此与Ｂ的作用相比，ＡＩＮ 对复合材料密度和力学性能的影响较小。烧结助剂为５ｗ ｔ％ ＡＩＮ－０．５ｗ ｔ％ Ｂ，经１８５０℃和２５ＭＰａ 热压烧结后的Ｃｆ／ＳｉＣ复合材料具有较佳的综合力学性能，其抗弯强度与断裂韧性值分别为５２６．６ＭＰａ 和１７．１４ＭＰａ·ｍ １／２。

亚微米颗粒增强6061铝基复合材料的微塑变特性

发现亚微米级Al2O3p／6061复合材料的微屈服抗力较高、组织稳定性好，其微屈服抗力与微望变符合Brown和Lukens提出的线性规律：通过与SiCp／6061和AlNp／6061的微屈服行为与组织的对比分析，认为增强体颗粒形状、尺寸以及基体中位错密度、亚晶粒尺寸等因素直接影响微屈服抗力.亚微米级颗粒增强复合材料对尺寸稳定性要求来说，微观组织形态较合理，是较理想的精密仪表材料．

氮化铝基微波衰减材料的研究进展

论述了氮化铝基微波衰减材料在微波电真空器件中的应用和发展趋势,介绍了国内外关于氮化铝基高损耗材料尤其是氮化铝-碳化硅复合材料的研究进展,结合笔者的研究和认识,指出了存在的问题和研究方向。

蓝晶石原位合成氮化铝结合碳化硅复相材料

以天然矿物蓝晶石为原料,通过碳热还原氮化法(CRN)原位合成AlN结合SiC复相材料。通过将不同配比的原料与石墨混合(根据成分比例设定为30%和35%),在氮气气氛下分别于1500、1550和1600℃下进行烧结,确定了最佳的烧制温度为1600℃。在最佳烧结温度下进一步对比25%、30%和35%的不同石墨加入量的烧成结果。分别通过XRD和SEM对烧结后的样品进行物相分析和微观形貌表征,并分析样品中AlN和SiC的含量。结果表明,石墨还原剂的最佳添加量为25%。

Low ohmic contact AlN/GaN HEMTs grown by MOCVD

AlN/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance （0.33 g2.mm） at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm （Vows = I V） and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.