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AlN:TbF_3薄膜的电致发光 被引量：2
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作者 赵彦立 钟国柱 +1 位作者 范希武 李长华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期320-324,共5页
用射频磁控反应溅射的方法，以金属ＡＩ和ＴｂＦ３为靶材，在总压为１Ｐａ，Ｎ２／Ａｒ比为２０／８０的气氛下，制备了ＡＩＮ：ＴｂＦ３薄膜．研究了不同制备条件对薄膜光致发光相对亮度的影响．进一步实验表明，电致发光的相对亮度具... 用射频磁控反应溅射的方法，以金属ＡＩ和ＴｂＦ３为靶材，在总压为１Ｐａ，Ｎ２／Ａｒ比为２０／８０的气氛下，制备了ＡＩＮ：ＴｂＦ３薄膜．研究了不同制备条件对薄膜光致发光相对亮度的影响．进一步实验表明，电致发光的相对亮度具有与光致发光相近的对浓度和温度的依赖关系．在衬底温度为６００℃，ＴｂＦ３含量约为４．０ｍｏｌ％的条件下制备的ＡＩＮ：ＴｂＦ３ＡＣＴ－ＦＥＬ器件，在交流驱动条件下，得到了Ｔｂ３＋离子的特征发光．为电致发光提供了新的候选材料．这在国际上是首次报导． 展开更多
关键词 电致发光 薄膜 ALN tbf3 氮化铝 氟化铽
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