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高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究 被引量:1
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作者 赵文伯 许华胜 +4 位作者 申志辉 叶嗣荣 周勋 李艳炯 黄烈云 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期176-180,共5页
利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组... 利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。 展开更多
关键词 日盲探测器 抑制比 aixgal-xn 背照式
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新型手性N-烷基-3-蒎胺类化合物的合成及其抑菌活性的研究 被引量:6
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作者 杨益琴 李艳苹 +1 位作者 王石发 谷文 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1082-1091,共10页
以(1S,5S)-(-)-α-蒎烯为原料合成了系列新型(1S,2S,3S,5R)-N-烷基-3-蒎胺类化合物.(-)-α-蒎烯经硼氢化氧化、重铬酸吡啶盐(PDC)氧化得到(1S,2S,5R)-(-)-3-蒎酮;在BF3?(C2H5)2O催化下(1S,2S,5R)-(-)-3-蒎酮与伯胺化合物反应生成Schiff... 以(1S,5S)-(-)-α-蒎烯为原料合成了系列新型(1S,2S,3S,5R)-N-烷基-3-蒎胺类化合物.(-)-α-蒎烯经硼氢化氧化、重铬酸吡啶盐(PDC)氧化得到(1S,2S,5R)-(-)-3-蒎酮;在BF3?(C2H5)2O催化下(1S,2S,5R)-(-)-3-蒎酮与伯胺化合物反应生成Schiff碱,再经KBH4或NaBH4还原得到(1S,2S,3S,5R)-N-烷基-3-蒎胺类化合物.采用FT-IR,1HNMR,13CNMR和GC-MS等分析手段对合成所得(1S,2S,5R)-N-烷基-3-蒎烷亚胺和(1S,2S,3S,5R)-N-烷基-3-蒎胺类化合物的结构进行了表征.考察了(1S,2S,3S,5R)-N-烷基-3-蒎胺类化合物对大肠杆菌(E.coli)、金黄色葡萄球菌(S.aureus)、枯草芽胞杆菌(B.subtilis)、荧光假单胞菌(P.fluorescens)、白色念珠菌(C.albicans)、黑曲霉(A.niger)和米根霉(R.oryzae)等细菌和真菌的抑菌和杀菌活性.结果表明(1S,2S,3S,5R)-N-正庚基-3-蒎胺对真菌和细菌均表现出良好的杀菌和抑菌活性。 展开更多
关键词 (1S 2S 3S 5R)-n-烷基-3-蒎胺 (1S 2S 5R)-n-烷基-3-蒎酮亚胺 (1S 2S 5R)-(-)-3-蒎酮 抑菌活性
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结构设计和磁场对狭缝式脉冲裂变中子探测器的n/γ分辨能力的影响
3
作者 马彦良 欧阳晓平 王群书 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期463-465,共3页
采用MCNP程序计算了狭缝式裂变中子探测器的结构设计和磁场对n/γ分辨能力的影响。根据探测系统对2 MeV中子的灵敏度,得到了系统的n/γ分辨参数。结果表明,未添加磁场偏转系统时,能够获得的n/γ分辨大于5,满足设计要求。添加磁场偏转系... 采用MCNP程序计算了狭缝式裂变中子探测器的结构设计和磁场对n/γ分辨能力的影响。根据探测系统对2 MeV中子的灵敏度,得到了系统的n/γ分辨参数。结果表明,未添加磁场偏转系统时,能够获得的n/γ分辨大于5,满足设计要求。添加磁场偏转系统后,n/γ分辨能力至少提高两个量级。 展开更多
关键词 狭缝式脉冲裂变中子探测器 探测器灵敏度 n/γ分辨
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Influence of Ti(C,N)precipitates on austenite growth of micro-alloyed steel during continuous casting 被引量:2
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作者 Liu Yang Yang Li +1 位作者 Zheng-liang Xue Chang-gui Cheng 《China Foundry》 SCIE 2017年第5期421-428,共8页
Austenite grain size is an important influence factor for ductility of steel at high temperatures during continuous casting. Thermodynamic and kinetics calculations were performed to analyze the characteristics of Ti(... Austenite grain size is an important influence factor for ductility of steel at high temperatures during continuous casting. Thermodynamic and kinetics calculations were performed to analyze the characteristics of Ti(C,N) precipitates formed during the continuous casting of micro-alloyed steel. Based on Andersen-Grong equation, a coupling model of second phase precipitation and austenite grain growth has been established, and the influence of second precipitates on austenite grain growth under different cooling rates is discussed. Calculations show that the final sizes of austenite grains are 2.155, 1.244, 0.965, 0.847 and 0.686 mm, respectively, under the cooling rate of 1, 3, 5, 7, and 10 ℃·s^(-1), when ignoring the pinning effect of precipitation on austenite growth. Whereas, if taking the pinning effect into consideration, the grain growth remains stable from 1,350 ℃, the calculated final sizes of austenite grains are 1.46, 1.02, 0.80, 0.67 and 0.57 mm, respectively. The sizes of final Ti(C,N) precipitates are 137, 79, 61, 51 and 43 nm, respectively, with the increase of cooling rate from 1 to 10 ℃·s^(-1). Model validation shows that the austenite size under different cooling rates coincided with the calculation results. Finally, the corresponding measures to strengthen cooling intensity at elevated temperature are proposed to improve the ductility and transverse crack of slab. 展开更多
关键词 micro-alloyed steel Ti(C n precipitation austenite grain pinning effect
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Ohmic Contacts to n-Type Al_(0.6)Ga_(0.4)N for Solar-Blind Detectors
5
作者 朱雁翎 杜江锋 +6 位作者 罗木昌 赵红 赵文伯 黄烈云 姬洪 于奇 杨谟华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1661-1665,共5页
We investigate the contact characteristics of bi-layer thin films, Ti(20nm)/Al(200nm) on Si-doped n-type A10.6 Ga0.4 N films grown on sapphire substrate. The surface treatment was aqua regia boiling before metalli... We investigate the contact characteristics of bi-layer thin films, Ti(20nm)/Al(200nm) on Si-doped n-type A10.6 Ga0.4 N films grown on sapphire substrate. The surface treatment was aqua regia boiling before metallization and annealing after metallization at different conditions in N2 ambient. High resolution X-ray diffractometery analysis was carried out on the contacts and the surface interfaces of these conditions were compared. A specific contact resistivity pc was determined using the circular transmission line method via current-voltage measurements. A pc of 3.42 × 10^-4 Ω·cm^2 was achieved when annealed at 670℃ for 90s. Then, this ideal ohmic contact was used in back-illuminated solar-blind AlGaN p- i-n detectors and the detectors' performances, such as spectral responsivity, dark-current,and breakdown voltage were optimized. 展开更多
关键词 high-Al content n-AlGan ohmic contact AnnEAL back-illumination solar-blind p-i-n detector
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Effect of Ag Addition on the Microstructure and Magnetic Properties of FePt Thin Films
6
作者 程晓敏 杨晓非 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第5期670-674,共5页
FePt thin films and [FePt/Ag]n multilayer thin films were prepared by magnetron sputtering technique and subsequent annealing process. By comparing the microstructure and magnetic properties of these two kinds of thin... FePt thin films and [FePt/Ag]n multilayer thin films were prepared by magnetron sputtering technique and subsequent annealing process. By comparing the microstructure and magnetic properties of these two kinds of thin films, effects of Ag addition on the structure and properties of FePt thin films were investigated. Proper Ag addition was found helpful for FePt phase transition at lower annealing temperature. With Ag addition, the magnetic domain pattern of FePt thin film changed from maze-like pattern to more discrete island-like domain pattern in [FePt/Ag]n multilayer thin films. In addition, introducing nonmagnetic Ag hindered FePt grains from growing larger. The in-depth defects in FePt films and [FePt/Ag]n multilayer films verify that Ag addition is attributed to a large number of pinning site defects in [FePt/Ag]n film and therefore has effects on its magnetic properties and microstructure. 展开更多
关键词 [FePt/Ag]n multilayer thin films FePt thin films COERCIVITY magnetic domain patterns pinning sites
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基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器
7
作者 贾玉伟 唐中强 +2 位作者 蔡道民 薛梅 李展 《电子与封装》 2023年第10期76-80,共5页
为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电... 为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电压。测试结果表明,在工作频带为30~1000 MHz时,电调衰减器的最小插入损耗的绝对值小于2.9 dB,其最大衰减量的绝对值大于35.0 dB,其回波损耗小于-10 dB。器件封装尺寸为3.8 mm×3.8 mm×1.0 mm,单只器件质量为38 mg。该电调衰减器满足宽频带、低插损的要求,具有小型化、高集成、轻量化的特点。 展开更多
关键词 小型化 宽带 电调衰减 P型-本征-n型(pin)二极管 Π型衰减网络 基板塑封
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组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器 被引量:12
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作者 张显鹏 欧阳晓平 +4 位作者 张忠兵 田耕 陈彦丽 李大海 张小东 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期82-87,共6页
提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理.这种组合的主要特点有:1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性;2)提高了... 提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理.这种组合的主要特点有:1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性;2)提高了探测器的n/γ分辨本领;3)在实现多个探测器信号相加的同时,组合探测器相对于单片探测器时间响应没有明显改变.从实验及理论上对组合探测器的14MeV中子及1.25MeVγ灵敏度、n/γ分辨,时间特性和测量统计性进行了研究. 展开更多
关键词 SI pin半导体探测器 灵敏度 n γ分辨 时间响应
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具有统计增强效应的(CF_2)_n-PIN夹层探测阵列 被引量:5
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作者 欧阳晓平 李真富 +2 位作者 霍裕昆 王义 张忠兵 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2006年第7期704-708,共5页
采用灵敏区尺寸为(?)60mm,厚度1000μm的大面积电流型厚PIN半导体探测器+聚四氟乙烯片 +PA101低噪声放大器,构建了灵敏度为10-11C·cm2,具有显著统计增强效应的夹层高灵敏PIN探测阵列.采用Monte-Carlo数值模拟方法,研究了该探测阵... 采用灵敏区尺寸为(?)60mm,厚度1000μm的大面积电流型厚PIN半导体探测器+聚四氟乙烯片 +PA101低噪声放大器,构建了灵敏度为10-11C·cm2,具有显著统计增强效应的夹层高灵敏PIN探测阵列.采用Monte-Carlo数值模拟方法,研究了该探测阵列的统计增强效应和对γ射线探测灵敏度.该阵列在极低强度脉冲γ射线探测中具有明显的统计增强效应,且能量响应平坦,单个阵列探测范围可达7个量级,其γ灵敏度比直径为(?)20mm,厚度为250μm的单个PIN探测器高4个量级并可进行直接标定,是低强度裂变n/γ混合场脉冲γ射线波形面积测量较理想的探测器,已在有关科学实验中获得成功应用. 展开更多
关键词 统计增强 (CF2)n-pin夹层 半导体探测器
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半导体/液结费米能级钉着的理论分析 被引量:1
10
作者 林仲华 罗瑾 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期608-612,共5页
在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化... 在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化还原对的电位,后者不随氧化还原对的电位和外加电位而变化,费米能级钉着在表面态。n-GaAs 电极的光电效应和电反射效应的实验结果证明理论分析的合理性。 展开更多
关键词 半导体 液结 费米能级钉着 表面态
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一种双悬臂梁柔性销轴的微动疲劳研究 被引量:1
11
作者 杨世平 董梦瑜 李飞 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期236-248,共13页
大型齿轮增速箱的行星齿轮轴常采用过盈配合的双悬臂梁柔性销轴结构,而该处的过盈配合结构易产生微动疲劳.通过理论计算获得有效过盈量的最值,再利用有限元软件Abaqus模拟柔性销轴的弯曲受载过程,分析弯曲载荷、过盈量和渗碳层深度3个... 大型齿轮增速箱的行星齿轮轴常采用过盈配合的双悬臂梁柔性销轴结构,而该处的过盈配合结构易产生微动疲劳.通过理论计算获得有效过盈量的最值,再利用有限元软件Abaqus模拟柔性销轴的弯曲受载过程,分析弯曲载荷、过盈量和渗碳层深度3个因素对接触应力、摩擦剪切应力以及滑移幅值的影响情况,探究各因素对微动疲劳损伤的影响程度,并使用SWT(Smith-Watson-Topper)临界平面法对销轴结构的疲劳寿命S-N曲线进行预测.对多组试件进行弯曲载荷疲劳加载试验,获得柔性销轴试验S-N曲线,并分析了试验后的构件表面微动疲劳损伤形貌.研究结果表明:弯曲载荷对疲劳寿命的影响大于过盈量的影响,也大于渗碳层深度的影响.采用SWT法预测的疲劳寿命与由试验获得的疲劳寿命吻合得较好.因此,在工程设计中可采用数值仿真分析对柔性销轴的疲劳寿命进行辅助校核. 展开更多
关键词 柔性销轴 数值仿真 疲劳加载试验 疲劳寿命预测 S-n曲线
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离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究
12
作者 谢凡 杜树成 韩德俊 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期761-766,共6页
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,... 选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 . 展开更多
关键词 X射线探测器 pin管结构 暗电流密度 n型保护区 离子注入 表面漏电 单晶硅材料
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Onset temperature of intrinsic pinning in a REBCO coated conductor from critical current anisotropy
13
作者 Nicholas M.Strickland Arya Ambadiyil Soman +1 位作者 Martin W.Rupich Stuart C.Wimbush 《Superconductivity》 2022年第4期1-6,共6页
The field‐angle dependence of the critical current in a REBa_(2)Cu_(3)O_(7) coated conductor has been measured over a fine range of temperatures from 15 K to 80 K.The particular sample is demonstrated to have a very ... The field‐angle dependence of the critical current in a REBa_(2)Cu_(3)O_(7) coated conductor has been measured over a fine range of temperatures from 15 K to 80 K.The particular sample is demonstrated to have a very low fraction of extrinsic planar defects by its near‐isotropic critical current at 77 K.At a representative magnetic field of 3 T we are able to track the emergence of the ab‐plane peak usually associated with intrinsic pinning and quantify its evolution with temperature by fitting to a maximum‐entropy function.We are also able to observe the evolution of dip and peak features in the angle dependence of the power‐law index n with decreasing temperature and show that a dip appearing at 65 K is supplanted by a sharper positive peak from 50 K.The combination of critical current and power‐law index temperature dependences shows the onset of intrinsic pinning at 50 K. 展开更多
关键词 Intrinsic pinning REBCO coated conductors Maximum entropy n value
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钒微合金化中锰马氏体耐磨钢奥氏体晶粒长大行为 被引量:4
14
作者 韩汝洋 杨庚蔚 +3 位作者 孙新军 赵刚 梁小凯 朱晓翔 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1589-1599,共11页
利用热模拟试验机、OM和TEM研究了钒微合金化中锰马氏体耐磨钢的奥氏体晶粒长大行为,分析了不同加热温度和保温时间下第二相粒子的形貌、尺寸和粒径分布及其与奥氏体晶粒长大行为的交互作用。结果表明,在820℃保温10 s时,试样的平均奥... 利用热模拟试验机、OM和TEM研究了钒微合金化中锰马氏体耐磨钢的奥氏体晶粒长大行为,分析了不同加热温度和保温时间下第二相粒子的形貌、尺寸和粒径分布及其与奥氏体晶粒长大行为的交互作用。结果表明,在820℃保温10 s时,试样的平均奥氏体晶粒尺寸为3.98μm,继续保温3600 s后仅长大1.47μm,具有较强的抗粗化能力。这是因为基体中细小的V(C, N)粒子钉扎奥氏体晶界,抑制了奥氏体晶粒的长大。随着保温温度升高和时间的增加,V(C, N)粒子发生溶解和粗化,钉扎能力减弱,奥氏体晶粒快速长大。利用增加时间指数的新型Sellars模型,通过预设误差函数的新型计算方法,建立了两段奥氏体长大模型,其与传统Beck模型相比,预测精度大幅度提升。 展开更多
关键词 中锰马氏体耐磨钢 V(C n)析出 钉扎力 晶粒长大 奥氏体晶粒长大模型
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