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埋空隙PSOI结构的耐压分析
被引量:
3
1
作者
段宝兴
张波
+1 位作者
李肇基
罗小蓉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1818-1822,共5页
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击...
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击穿电压条件下,此结构较一般PSOI结构只需1/4厚度的埋层,当漂移区厚度和埋层厚度均为2μm时可获得600V以上的击穿电压.
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关键词
RESURF结构
apsoi
自热效应
表面电场
击穿电压
下载PDF
职称材料
题名
埋空隙PSOI结构的耐压分析
被引量:
3
1
作者
段宝兴
张波
李肇基
罗小蓉
机构
电子科技大学IC设计中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1818-1822,共5页
文摘
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击穿电压条件下,此结构较一般PSOI结构只需1/4厚度的埋层,当漂移区厚度和埋层厚度均为2μm时可获得600V以上的击穿电压.
关键词
RESURF结构
apsoi
自热效应
表面电场
击穿电压
Keywords
RESURF structure
apsoi
self-heating effect
surface electric field
breakdown voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
埋空隙PSOI结构的耐压分析
段宝兴
张波
李肇基
罗小蓉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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职称材料
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