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Corrosion evolution of high-temperature formed oxide film on pure Sn solder substrate 被引量:2
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作者 Hui ZHAO Xu SUN +2 位作者 Long HAO Jian-qiu WANG Jing-mei YANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第12期3998-4013,共16页
The evolution of morphology, composition, thickness and corrosion resistance of the oxide film on pure Sn solder substrate submitted to high-temperature aging in 150 °C dry atmosphere was investigated. The result... The evolution of morphology, composition, thickness and corrosion resistance of the oxide film on pure Sn solder substrate submitted to high-temperature aging in 150 °C dry atmosphere was investigated. The results indicate that high-temperature aging accelerates the dehydration of Sn(OH)_(4)in the pre-existing native oxide film to form SnO_(2)and facilitates the oxidation of fresh Sn substrate, resulting in the gradual increase in oxide film thickness and surface roughness with prolonging aging time. However, the corrosion resistance of the film initially is enhanced and then deteriorated with an extending aging time. Besides, the formation and evolution mechanisms of the oxide film with aging time were discussed. 展开更多
关键词 pure Sn solder oxide film high-temperature aging corrosion resistance
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基于Au/Ni-W多层薄膜修饰铜基微纳分级结构固相瞬态焊接方法
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作者 肖金 田学锋 +2 位作者 冯晓杰 刘志明 徐创 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期260-267,共8页
目的以特殊形貌的铜基微纳结构为基板,在其上依次镀覆Ni-W合金层和Au纳米层,在超声能量和室温条件下,实现瞬时与锡基焊料的焊接,解决无铅焊料由于高熔点对薄芯片和热敏器件造成的热冲击和热损伤问题,保证器件安全性和性能可靠性。方法... 目的以特殊形貌的铜基微纳结构为基板,在其上依次镀覆Ni-W合金层和Au纳米层,在超声能量和室温条件下,实现瞬时与锡基焊料的焊接,解决无铅焊料由于高熔点对薄芯片和热敏器件造成的热冲击和热损伤问题,保证器件安全性和性能可靠性。方法采用电化学方法沉积出特殊形貌铜基微纳分级结构,在其上化学镀覆层厚为180 nm的Ni-W合金层和50 nm的Au层。将获得的Au/Ni-W多层薄膜修饰的铜基结构与商用焊料(SAC305)在焊接压力98 N(20 MPa)、焊接时间3 s、超声振动3 s条件下实现固相瞬态焊接。将不同表面修饰层的铜基微纳分级结构与焊球进行破坏剪切测试。将焊接后的样品在180℃下分别进行10、30、60 min的时效处理。结果铜基微米级突起结构高度为2~4μm,底端尺寸为800~1200 nm,具有优良的凸起结构密度和长径比。Au/Ni-W修饰后的铜基微纳分级结构与SAC305焊球所形成的焊接界面嵌入效果好,没有任何孔洞存在,焊接界面平均剪切强度为43.06 MPa。结论铜基微纳分级结构插入焊球内部形成镶嵌,产生机械互锁,而Au/Ni-W合金修饰层能有效提高铜基微纳分级结构表面硬度,与锡焊料形成较大的硬度差,在插入式焊接中减少了孔洞的形成,焊接效果优良。Ni-W合金层的存在延缓了Cu-Sn之间的互扩散,阻挡了Cu-Sn金属间化合物的生长,减少了因界面失效而产生的可靠性问题。 展开更多
关键词 微纳分级结构 薄膜 焊接 扩散
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基于Ag-Sn焊片共晶键合的MEMS气密性封装 被引量:2
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作者 陈继超 赵湛 +2 位作者 刘启民 肖丽 杜利东 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第6期6-7,28,共3页
研究了在MEMS气密性封装中基于Ag-Sn焊片的共晶键合技术。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,在221℃实现了良好的键合效果,充N2保护的键合环境下,平均剪切强度达到9.4 MPa.三个月前后气密性对比实验表明氦泄漏不超过5×10-... 研究了在MEMS气密性封装中基于Ag-Sn焊片的共晶键合技术。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,在221℃实现了良好的键合效果,充N2保护的键合环境下,平均剪切强度达到9.4 MPa.三个月前后气密性对比实验表明氦泄漏不超过5×10-4Pa.cm3/s,满足GJB548B—2005标准规定,验证了Ag-Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中应用的可行性。 展开更多
关键词 共晶键合 气密封装 ag-sn焊片
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Electrochemical migration behavior and mechanism of PCB-ImAg and PCB-HASL under adsorbed thin liquid films 被引量:5
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作者 丁康康 李晓刚 +3 位作者 肖葵 董超芳 张凯 赵瑞涛 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期2446-2457,共12页
The electrochemical migration(ECM) behavior and mechanism of immersion silver processing circuit board(PCB-ImAg)and hot air solder leveling circuit board(PCB-HASL) under the 0.1 mol/L Na2SO4 absorbed thin liquid... The electrochemical migration(ECM) behavior and mechanism of immersion silver processing circuit board(PCB-ImAg)and hot air solder leveling circuit board(PCB-HASL) under the 0.1 mol/L Na2SO4 absorbed thin liquid films with different thicknesses were investigated using stereo microscopy and scanning electron microscopy(SEM).Meanwhile,the corrosion tendency and kinetics rule of metal plates after bias application were analyzed with the aid of electrochemical impedance spectroscopy(EIS)and scanning Kelvin probe(SKP).Results showed that under different humidity conditions,the amount of migrating corrosion products of silver for PCB-ImAg was limited,while on PCB-HASL both copper dendrites and precipitates such as sulfate and metal oxides of copper/tin were found under a high humidity condition(exceeding 85%).SKP results indicated that the cathode plate of two kinds of PCB materials had a higher corrosion tendency after bias application.An ECM model involving multi-metal reactions was proposed and the differences of ECM behaviors for two kinds of PCB materials were compared. 展开更多
关键词 immersion silver processing circuit board(PCB-ImAg) hot air solder leveling circuit board(PCB-HASL) electrochemical migration electrical bias absorbed thin liquid film
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EFFECT OF LASER INPUT ENERGY ON AuSn_x INTERMETALLIC COMPOUNDS FORMATION IN SOLDER JOINTS WITH DIFFER-ENT THICKNESS OF Au SURFACE FINISH ON PADS
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作者 W. Liu C.Q. Wang +1 位作者 Y.H. Tian M.Y. Li 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第3期183-190,共8页
Formation of AuSnx intermetallic compounds (IMCs) in laser reflowed solder joints was investigated. The results showed that few IMCs formed at the solder/0. 1μm Au interface. Needlelike AuSn4 IMCs were observed at ... Formation of AuSnx intermetallic compounds (IMCs) in laser reflowed solder joints was investigated. The results showed that few IMCs formed at the solder/0. 1μm Au interface. Needlelike AuSn4 IMCs were observed at the solder/0.5μm Au interface. In Sn-2.0Ag-O,75Cu-3,0Bi and Sn-3.5Ag-O.75Cu solder joints, when the laser input energy was increased, AuSn4 IMCs changed .from a layer to needlelike or dendritic distribution at the solder/0.9μm Au interface. As for the solder joints with 4.0 μm thickness of Au surface finish on pads, AuSn4 , AuSnx, AuSn IMCs, and Au2Sn phases formed at the interface. Moreover, the content of AuSnx IMCs, such as, AuSn4 and AuSn2, which contained high Sn concentration, would become larger as the laser input energy increased. In the Sn-37Pb solder joints with 0.9 μm or 4.0 μm thickness of the Au surface finish on pads, AuSn4 IMCs were in netlike distribution. The interspaces between them were filled with Pb-rich phases. 展开更多
关键词 Laser soldering Inlermetallics Au films
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激光自动焊接在金属化薄膜电容器的应用及技术研究 被引量:5
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作者 郭凯强 李洋 《电力电容器与无功补偿》 2023年第1期27-33,共7页
随着现代激光焊接技术的不断优化及稳定发展,激光焊接技术在金属化薄膜电容器行业内也得到了应用,但是金属化薄膜电容器普遍容量较大,种类较多,加之其材料的特殊性,影响其焊点成型的因素众多,使得目前金属化薄膜电容器元件组的锡焊难以... 随着现代激光焊接技术的不断优化及稳定发展,激光焊接技术在金属化薄膜电容器行业内也得到了应用,但是金属化薄膜电容器普遍容量较大,种类较多,加之其材料的特殊性,影响其焊点成型的因素众多,使得目前金属化薄膜电容器元件组的锡焊难以实现自动化,多为手工作业。为实现金属化薄膜电容器自动焊锡,分析了激光锡焊对各种电容的焊接方式,同时对比传统焊接的独特优势,从治具、激光器、焊材、视觉检测等方面进行了分析,通过拉脱试验测试锡焊点的拉力值检测焊接强度。研究结果表明,激光焊接可以实现金属化薄膜电容器的自动焊锡与焊后质量检测,能够满足焊点质量要求,焊点一致性与稳定性较好。 展开更多
关键词 激光锡焊 金属化薄膜电容器 自动锡焊 视觉检测
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LTCC电路基板大面积接地钎焊工艺设计 被引量:5
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作者 解启林 朱启政 +1 位作者 林伟成 雷党刚 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 2007年第3期358-362,共5页
提出了一种提高LTCC电路基板大面积接地钎焊的钎着率及可靠性的钎焊工艺设计.在LTCC电路基板接地面设置(Ni+M)复合金属膜层,根据试验测试比较,其耐焊性(>600s)明显优于常规金属化接地层(常规要求>50s);在LTCC电路基板的接地面的... 提出了一种提高LTCC电路基板大面积接地钎焊的钎着率及可靠性的钎焊工艺设计.在LTCC电路基板接地面设置(Ni+M)复合金属膜层,根据试验测试比较,其耐焊性(>600s)明显优于常规金属化接地层(常规要求>50s);在LTCC电路基板的接地面的一端预置"凸点",通过X射线扫描图对比分析,增加"凸点"的设计提高了大面积接地钎焊的钎着率.研究表明:新的钎焊工艺设计保证了LTCC电路基板大面积接地的钎焊可靠性和一致性. 展开更多
关键词 (Ni+M)复合金属膜层 耐焊性 凸点 钎着率
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超声波辅助钎焊技术的研究进展 被引量:4
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作者 李国栋 栗卓新 +1 位作者 张天理 马司鸣 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期1-4,共4页
综述了超声波辅助钎焊金属材料、陶瓷材料及铝基复合材料的研究进展,介绍了超声辅助钎焊工艺对钎焊接头性能及显微组织的影响,重点分析了钎焊过程中超声波对基体表面状态的作用、超声波辅助钎焊连接机理,对超声波辅助钎焊技术今后的发... 综述了超声波辅助钎焊金属材料、陶瓷材料及铝基复合材料的研究进展,介绍了超声辅助钎焊工艺对钎焊接头性能及显微组织的影响,重点分析了钎焊过程中超声波对基体表面状态的作用、超声波辅助钎焊连接机理,对超声波辅助钎焊技术今后的发展进行了展望。 展开更多
关键词 超声波辅助钎焊 氧化膜 空化作用
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钎焊及时效过程中化学镀Ni-P与Sn-3.5Ag的界面反应 被引量:1
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作者 黄明亮 柏冬梅 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1189-1194,共6页
研究磷含量为6.5%(质量分数)的化学镀Ni-P薄膜与Sn-3.5Ag钎料合金之间的润湿行为,以及Sn-3.5Ag/Ni-P焊点在钎焊和时效过程中的界面反应。结果表明:250℃时,直径为(2.3±0.06)mm的Sn-3.5Ag焊球在化学镀Ni-6.5%P薄膜上钎焊后得到的润... 研究磷含量为6.5%(质量分数)的化学镀Ni-P薄膜与Sn-3.5Ag钎料合金之间的润湿行为,以及Sn-3.5Ag/Ni-P焊点在钎焊和时效过程中的界面反应。结果表明:250℃时,直径为(2.3±0.06)mm的Sn-3.5Ag焊球在化学镀Ni-6.5%P薄膜上钎焊后得到的润湿角约为44,铺展率约为67%;焊点界面由Ni3Sn4IMC层、及较薄的Ni-Sn-P过渡层构成Ni3P晶化层;钎焊过程中界面Ni3Sn4IMC的生长速率与钎焊时间t1/3呈线性关系;时效过程中界面Ni3Sn4IMC及富P层的生长速率与时效时间t1/2呈线性关系。 展开更多
关键词 化学镀Ni-P薄膜 Sn-3.5Ag钎料 界面反应 钎焊 时效
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Sn/Al真空钎焊压力下母材氧化膜的破碎效果 被引量:2
10
作者 杨德云 石南辉 +2 位作者 张健 郝亮 吴犇 《黑龙江科技大学学报》 CAS 2016年第5期546-551,共6页
Sn基钎料是常用的低温钎料。为深入研究真空钎焊下Sn与Al结合机理,分析不同加压环境下,不同尺寸母材氧化膜破碎情况。结果表明:小尺寸Al母材氧化膜得以破碎和去除,而大尺寸Al母材氧化膜基本无变化。当采用尺寸大小相当的母材,母材变形... Sn基钎料是常用的低温钎料。为深入研究真空钎焊下Sn与Al结合机理,分析不同加压环境下,不同尺寸母材氧化膜破碎情况。结果表明:小尺寸Al母材氧化膜得以破碎和去除,而大尺寸Al母材氧化膜基本无变化。当采用尺寸大小相当的母材,母材变形量基本一致,氧化膜彻底破碎和去除,露出新鲜的母材基体,与钎料Sn直接接触。温度达到300℃时,Sn钎料对母材产生溶解,形成良好的结合。 展开更多
关键词 锡钎料 纯铝 钎焊工艺 氧化膜
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AlF_3-KF-KBr钎剂去膜机理研究 被引量:3
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作者 俞伟元 路文江 刘贇 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2012年第1期9-11,共3页
AlF3-KF-KBr钎剂是一种新型的低熔点、无腐蚀钎剂,可用于低熔点铝合金的钎焊.通过X衍射分析研究AlF3-KF-KBr钎剂去除纯铝表面氧化膜的机理.研究表明:AlF3-KF-KBr钎剂使纯铝表面的Al2O3氧化膜松动、破碎,并与其发生化学反应使膜彻底破坏... AlF3-KF-KBr钎剂是一种新型的低熔点、无腐蚀钎剂,可用于低熔点铝合金的钎焊.通过X衍射分析研究AlF3-KF-KBr钎剂去除纯铝表面氧化膜的机理.研究表明:AlF3-KF-KBr钎剂使纯铝表面的Al2O3氧化膜松动、破碎,并与其发生化学反应使膜彻底破坏,钎剂与氧化膜反应后生成KAl5O8和Al5O7Br,氧化膜的去除主要是溶解过程.此外还发现,AlF3-KF钎剂去除氧化膜主要是K3AlF6与Al2O3发生反应,KAlF4不与其发生反应,但能确保钎剂的流动性. 展开更多
关键词 AlF3-KF-KBr钎剂 氧化膜 X衍射分析
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Sn-Cu薄膜的沉积行为及其微观形貌分析 被引量:1
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作者 胡炜 谭澄宇 +2 位作者 崔航 郑子樵 贺甜 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期940-946,共7页
利用电沉积法,在酸性镀液中制得Sn-Cu薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)及能谱仪(EDS)研究镀液中主盐浓度、电镀工艺条件及添加剂对薄膜形貌的影响,并借助循环伏安曲线研究不同条件对Sn-Cu沉积行为的影响。研究结果表明:镀液中主盐浓度的增... 利用电沉积法,在酸性镀液中制得Sn-Cu薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)及能谱仪(EDS)研究镀液中主盐浓度、电镀工艺条件及添加剂对薄膜形貌的影响,并借助循环伏安曲线研究不同条件对Sn-Cu沉积行为的影响。研究结果表明:镀液中主盐浓度的增大促进了Sn-Cu的还原沉积;添加剂的引入对金属离子具有较强的螯合作用,限制了镀液中自由金属离子的浓度,使得合金沉积电位负移;此外,镀液中Sn2+浓度变化对镀层晶粒粒度影响较大,改变Cu2+浓度对镀层的平整度影响较大;电流密度增加、温度降低及加入添加剂,都能细化镀层晶粒。 展开更多
关键词 电沉积 可焊性镀层 Sn-Cu薄膜 循环伏安
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厚膜焊区Au-Pt导体浆料(英文) 被引量:2
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作者 俞守耕 刘婀娜 张晓明 《贵金属》 CAS CSCD 2004年第4期26-30,共5页
用聚乙烯醇作分散剂,抗坏血酸作还原剂,将氯金酸还原到Au;以水合肼作还原剂,将氯铂酸盐还原到Pt,分别制备了Au粉和Pt粉;Au、Pt粉的平均尺寸分别为0.55μm和≈0.08μm。用氧化物和硼硅酸盐作粘结剂配制了1种玻璃粘结、3种混合粘结的浆料... 用聚乙烯醇作分散剂,抗坏血酸作还原剂,将氯金酸还原到Au;以水合肼作还原剂,将氯铂酸盐还原到Pt,分别制备了Au粉和Pt粉;Au、Pt粉的平均尺寸分别为0.55μm和≈0.08μm。用氧化物和硼硅酸盐作粘结剂配制了1种玻璃粘结、3种混合粘结的浆料。浆料性能测量结果表明,一种性能较好的浆料有:拉伸强度>20N/mm2,烧结后收缩≤0.003mm,片电阻率≤40mΩ/□/25μm,30次浸锡后的溶蚀量为0.062~0.087mm。CuO溶入玻璃改善了化学键,从而提高了附着力。 展开更多
关键词 硼硅酸盐 水合肼 浆料性能 还原剂 氯铂酸 分散剂 附着力 抗坏血酸 配制 混合
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高耐热高耐焊性环氧胶膜的研制 被引量:1
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作者 邵康宸 李会录 +2 位作者 韩江凌 魏弘利 韩萌 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2015年第2期16-19,共4页
以双酚A型环氧树脂EP638、EP828为基体树脂,丁腈橡胶为增韧剂,酰肼为固化剂,咪唑为固化促进剂,引入导热填料氮化硼、氧化铝,制备了高耐热高耐焊性环氧胶膜。采用单因素试验法优选出制备环氧胶膜的最佳工艺条件,对环氧胶膜的导热性能、... 以双酚A型环氧树脂EP638、EP828为基体树脂,丁腈橡胶为增韧剂,酰肼为固化剂,咪唑为固化促进剂,引入导热填料氮化硼、氧化铝,制备了高耐热高耐焊性环氧胶膜。采用单因素试验法优选出制备环氧胶膜的最佳工艺条件,对环氧胶膜的导热性能、介电性能、剪切强度、粘结强度和玻璃化转变温度(Tg)等进行测试。结果表明:制备高耐热高耐焊性环氧胶膜的最佳工艺条件是:m(EP638)∶m(EP828)=1∶1;w(丁腈橡胶)=20%,w(酰肼)=10%,w(咪唑)=5‰,w(填料)=60%,m(A12O3)∶m(BN)=1∶1;固化条件为120℃/1 h+150℃/1 h。此时环氧胶膜的介电常数为5.66,导热系数为0.581 W/(m·K),粘结强度为36.99 MPa,Tg为174.77℃,耐浸焊时间达10 min。 展开更多
关键词 环氧胶膜 耐焊性 介电性能 导热性能
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AlF_3-KF-CsF-ZnCl_2钎剂的研制及性能研究 被引量:2
15
作者 路文江 范百震 +2 位作者 俞伟元 郭熠 陈大林 《焊接技术》 北大核心 2014年第6期52-54,6,共3页
AlF3-KF-CsF钎剂无腐蚀、不吸潮,广泛应用于含镁铝合金的焊接,但由于CsF价格昂贵,导致该钎剂成本较高,限制了其使用范围。Zn在Al中有很大的固溶度,在AlF3-KF-CsF钎剂组元中加入ZnCl2,依靠Zn的传质作用,增强了钎剂的活性,还可以降低CsF... AlF3-KF-CsF钎剂无腐蚀、不吸潮,广泛应用于含镁铝合金的焊接,但由于CsF价格昂贵,导致该钎剂成本较高,限制了其使用范围。Zn在Al中有很大的固溶度,在AlF3-KF-CsF钎剂组元中加入ZnCl2,依靠Zn的传质作用,增强了钎剂的活性,还可以降低CsF的含量,同时保证钎剂低熔点、易去膜等优良特性;采用DTA,XRD等手段对钎剂的熔点、铺展性及力学性能进行了测试,并对影响其性能的因素进行了分析。研究表明:AlF3-KF-CsF钎剂使氧化膜松动、破碎,并与氧化膜发生化学反应,而Zn的传质作用使Al离子化,氧化膜失去依附而漂浮起来,并在熔融状态钎剂界面张力的作用下使Al2O3膜破碎。 展开更多
关键词 AlF3-KF-CsF-ZnCl2钎剂 X衍射 氧化膜
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铝合金表面磁控溅射Cu膜的镀制及其低温钎焊性能研究 被引量:1
16
作者 杨波 田修波 巩春志 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期153-157,共5页
针对铝合金无法直接烙铁钎焊的问题,本文提出了一种表面改性焊接的新方法:采用离子注入与磁控溅射相结合的技术在2024铝合金表面制备Cu膜,并实现了铝合金的低温钎焊。实验中通过改变基体偏压,研究不同参数对Cu膜的沉积速率、表面形貌、... 针对铝合金无法直接烙铁钎焊的问题,本文提出了一种表面改性焊接的新方法:采用离子注入与磁控溅射相结合的技术在2024铝合金表面制备Cu膜,并实现了铝合金的低温钎焊。实验中通过改变基体偏压,研究不同参数对Cu膜的沉积速率、表面形貌、相结构以及低温钎焊性能的影响。结果表明:随着偏压幅值的增大,Cu膜的沉积速率逐渐下降,表面粗糙度先降低后增大,Cu膜呈现出较强的(111)择优取向;Cu膜的镀制改善了铝合金的低温钎焊性能,当偏压为-300 V时,所得钎焊接头剪切强度可达24.47 MPa,接头断口微观形貌呈现出局部拉长且方向一致的韧窝。 展开更多
关键词 铝合金 磁控溅射 CU膜 低温钎焊
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氮化铝表面分层电镀制备金锡共晶薄膜工艺 被引量:1
17
作者 牛通 纪乐 +1 位作者 王从香 夏海洋 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2020年第17期1152-1157,共6页
采用分层电镀技术在氮化铝基板上制备了金锡共晶薄膜,主要工序为磁控溅射铜、电镀镍、电镀锡、电镀金和热处理。研究了电镀工艺和热处理的相关因素对金锡共晶膜层性能的影响,得到了可制得Au、Sn质量分数分别为(80±1)%和(20±1)... 采用分层电镀技术在氮化铝基板上制备了金锡共晶薄膜,主要工序为磁控溅射铜、电镀镍、电镀锡、电镀金和热处理。研究了电镀工艺和热处理的相关因素对金锡共晶膜层性能的影响,得到了可制得Au、Sn质量分数分别为(80±1)%和(20±1)%的金锡共晶合金膜的工艺参数。所得共晶膜可焊性良好,剪切强度优异。 展开更多
关键词 金锡共晶合金 电镀 薄膜 氮化铝 热处理 可焊性 剪切强度
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混合集成电路高线性锁相鉴频模块的研制 被引量:1
18
作者 褚丽莉 孙勇 +1 位作者 彭焕先 王宇 《辽宁工学院学报》 2004年第1期19-20,23,共3页
介绍了一种典型的频率/电压转换电路的原理、研制目的、主要技术指标及组装工艺、调试过程中遇到的问题和解决措施。该产品已于2003年被信息产业部认定具有国内先进水平,并应用于航天航空系统。
关键词 混合集成电路 锁相鉴频模块 厚膜 再流焊 键合 二次集成电路
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全膜电容器低熔点刮擦焊料性能的研究 被引量:2
19
作者 王友功 陈孝存 +2 位作者 华自圭 李丽琴 宋琳 《电力电容器》 1991年第1期23-30,共8页
全膜电容器已成为电力电容器的发展方向,而铝箔外凸式电极结构又是其最佳选择。本文主要介绍新研制成功的铝钎焊用低熔点焊料的优良性能。用于全膜电容器,对进一步提高电容器的性能将会发挥重要作用。
关键词 全膜电容器 低熔点钎料 铝钎焊
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用于大功率半导体激光器的Ag-In焊料研究 被引量:1
20
作者 程东明 伏桂月 +1 位作者 朱飒爽 王永平 《电子与封装》 2012年第7期1-3,共3页
大功率半导体激光器的封装对焊料选择极其重要,因为焊料导热或导电性差,激光器工作产生的大量热量使焊料焊接失效,激光器也会遭到损坏。为此,文中研究了软焊料In及其保护层Ag作为一种焊料组合,通过真空蒸发镀膜仪蒸发蒸镀Ag-In与Ag-In-A... 大功率半导体激光器的封装对焊料选择极其重要,因为焊料导热或导电性差,激光器工作产生的大量热量使焊料焊接失效,激光器也会遭到损坏。为此,文中研究了软焊料In及其保护层Ag作为一种焊料组合,通过真空蒸发镀膜仪蒸发蒸镀Ag-In与Ag-In-Ag-In两种薄膜方式。根据微结构知识及扩散动力学与热动力学相结合讨论了Ag-In焊料产生间隙的原因,通过XRD衍射仪了解到薄膜间界面化合物AgIn2的生成可能导致表面微结构的改变,结果表明Ag层对In层易被氧化的性质起到了保护作用,多层的Ag-In焊料层可抑制大量间隙的产生,提高器件工作可靠性及稳定性。 展开更多
关键词 焊料 Ag-In薄膜 封装
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